公开(公告)号：CN103681904A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310430246.8

申请日：2013-09-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 芝崎聪一郎 ,  平贺广贵 ,  中川直之 ,  山崎六月 ,  山本和重 ,  樱田新哉 ,  稻叶道彦

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/032 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/022466 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明的实施方式的目的是提供高效率的光电转换元件以及太阳电池。实施方式的光电转换元件具备：由I－III－VI2族化合物或I2－II－IV－VI4族化合物的p型化合物半导体层和n型化合物半导体层进行同质接合而成的光电转换层、透明电极、形成于光电转换层和透明电极之间的n型层上的平均膜厚为1nm～10nm的中间层、以及形成于中间层和透明电极之间的窗层。

公开(公告)号：CN103503160A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280022016.1

申请日：2012-04-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 芝崎聪一郎 ,  山崎六月 ,  中川直之 ,  樱田新哉 ,  稻叶道彦

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0322 ,  C23C14/3414 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明实施方案的光电转换元件,其特征在于,该元件具有：p型光吸收层,该p型光吸收层含有Cu、选自由Al、In及Ga构成的组中的至少1种以上的IIIb族元素、与由O、S、Se及Te构成的组中的至少1种以上的元素;以及,上述p型光吸收层上形成的n型半导体层,该n型半导体层为Zn1-yMyO1-XSX、Zn1-y-zMgzMyO(M为选自由B、Al、In及Ga构成的组中的至少1种元素)与由控制载流子浓度的GaP表示的任何一种,在上述Zn1-yMyO1-XSX及Zn1-y-zMgzMy中，x、y、z满足0.55≤x≤1.0、0.001≤y≤0.05及0.002≤y+z≤1.0的关系。

公开(公告)号：CN103117323A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201210595830.4

申请日：2012-11-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 芝崎聪一郎 ,  山崎六月 ,  平贺广贵 ,  中川直之 ,  山本和重 ,  樱田新哉 ,  稻叶道彦

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/547

Abstract: 提供一种包含第1电极、第2电极和光吸收层的光电转换元件和太阳能电池。所述第1电极包含第1化合物且具有透光性，所述第1化合物包含(Zn1-xMgx)1-yMyO和Zn1-βMβO1-αSα(M是选自B、Al、Ga以及In组成的组中的至少一种元素，0.03≤x≤0.4，0.005≤y≤0.2，0.4≤α≤0.9，0.005≤β≤0.2)中的至少任一种。所述光吸收层设置在所述第1电极和所述第2电极之间。所述光吸收层含有具有黄铜矿型结构或黄锡矿型结构的化合物半导体。所述光吸收层包含p型部和设置在所述p型部与所述第1电极之间、与所述p型部同质接合的n型部。

公开(公告)号：CN102484164A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201180003677.5

申请日：2011-03-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中川直之 ,  樱田新哉 ,  西田靖孝 ,  伊藤聪 ,  稻叶道彦

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的目的是提高化合物薄膜太阳能电池的转换效率或品质寿命，并提高化合物薄膜太阳能电池的性能。化合物薄膜太阳能电池(100)的特征在于：光吸收层和缓冲层形成接合界面，与所述光吸收层形成接合界面的缓冲层是含有选自Cd、Zn、In及Ga之中的至少1种元素以及选自S、Se及Te之中的至少1种元素、且具有闪锌矿型结构、纤锌矿结构或缺陷尖晶石型结构中的任一种晶体结构的化合物，闪锌结构的缓冲层的晶格常数a或者将纤锌矿结构或缺陷尖晶石型结构转换为闪锌矿型结构时的所述缓冲层的晶格常数a为0.59nm～0.62nm。