公开(公告)号：CN100397404C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN02121807.2

申请日：2002-04-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤和也 ,  井上壮一 ,  田中聪

IPC: G06F19/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  G01J1/00

CPC classification number: G03F7/70125 ,  G01J1/26 ,  G03F7/70133

Abstract: 一种曝光装置的照度不匀度的测定方法，向光掩膜照射从照明光学系统射出的照明光，对于通过投影光学系统而在感光衬底上的有限区域内投影并曝光通过该光掩膜的光的曝光装置，进行所述投影光学系统引起的、在所述感光衬底上的有限区域内的照度不匀度的测定，其特征在于，包括：按在所述感光衬底上的有限区域内的多个成像点的每一个，计算从所述光掩膜的一点射出并到达成像点的光线的、在所述投影光学系统的透射率的平均值，根据按所述成像点求出的透射率的平均值，算出所述感光衬底上的有限区域内的照度不匀度。

公开(公告)号：CN1702549A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510073472.0

申请日：2005-05-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 野岛茂树 ,  田中聪 ,  小谷敏也 ,  出羽恭子 ,  井上壮一

IPC: G03F1/08 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/36

Abstract: 本发明提供一种图形数据的制作方法，包括：准备含有设计图形的集成电路图形；设定复制所述设计图形时形成在处理基板上的第1图形、或将第1图形用作掩模加工所述处理基板所形成的第2图形的容许误差范围；在所述容许误差范围内，制作目标图形；在考虑到复制所述设计图形时的影响、形成第1图形时的影响及形成第2图形时的影响中的一种或一种以上的影响的预定条件下，对所述目标图形进行修正，制作第1修正图形。

公开(公告)号：CN1212644C

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN02153879.4

申请日：2002-12-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田中聪 ,  井上壮一

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/00

CPC classification number: G03F1/36

Abstract: 一种掩模图形形成方法，包括：准备设计掩模图形；采用粗校正处理，由所述设计掩模图形获得粗校正掩模图形；以及采用基于使用模拟曝光装置的复制像的精密模型的基于模型的校正方法的精密校正处理，由所述粗校正掩模图形获得精密校正掩模图形。

公开(公告)号：CN1212642C

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN02144071.9

申请日：2002-09-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小谷敏也 ,  田中聪 ,  井上壮一 ,  小林幸子 ,  市川裕隆

IPC: H01L21/00 ,  G06F17/50

CPC classification number: G03F1/36

Abstract: 一种由设计图形生成掩模图形的掩模图形制成方法，包括：直到前述设计图形的设计结束为止，制成修正库，该修正库记录有由前述设计图形的掩模蚀刻坐标组、和用于修正前述边缘坐标组的修正值组组成的对；获得设计结束后的设计图形的第一个边缘坐标组；将对应于与第一个边缘坐标组一致的边缘坐标组的修正值组记录到前述修正库中，或从该修正库中调出；在无记录的情况下，通过根据预先确定的修正参数进行的模拟，计算出第一边缘坐标组的修正值组；将由第一边缘坐标组和修正值组构成的对追加记录到前述修正库中；在有记录的情况下，从前述修正库中读取对应的修正值组；和根据计算出的修正值组、或读出的修正值组中的任何一个，对设计图形进行修正，生成掩模图形。

公开(公告)号：CN1624590A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410101124.5

申请日：2002-04-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤和也 ,  井上壮一 ,  田中聪

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70125 ,  G01J1/26 ,  G03F7/70133

Abstract: 一种曝光装置的照度不匀度的测定方法，向光掩膜照射从照明光学系统射出的照明光，对于通过投影光学系统而在感光衬底上的有限区域内投影并曝光通过该光掩膜的光的曝光装置，进行所述投影光学系统引起的、在所述感光衬底上的有限区域内的照度不匀度的测定，其特征在于，包括：按在所述感光衬底上的有限区域内的多个成像点的每一个，计算从所述光掩膜的一点射出并到达成像点的光线的、在所述投影光学系统的透射率的平均值，根据按所述成像点求出的透射率的平均值，算出所述感光衬底上的有限区域内的照度不匀度。

公开(公告)号：CN1489195A

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN03156085.7

申请日：2003-08-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山口真司 ,  井上壮一 ,  田中聪 ,  井上麻里

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F1/84

Abstract: 一种掩模缺陷检查方法包括：关于包括掩模图形的光掩模，就所述掩模图形的多个地点，各自准备根据上述地点上的缺陷对晶片的影响度决定的在所述地点的缺陷检测灵敏度；以及按照所述检测灵敏度，检查所述多个地点上的缺陷。

公开(公告)号：CN1444268A

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN03119489.3

申请日：2003-03-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小谷敏也 ,  田中聪 ,  桥本耕治 ,  井上壮一 ,  森一郎

IPC: H01L21/82

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用来决定在半导体集成电路器件的制造中使用的加工参数的方法，具备：根据加工参数信息对与半导体集成电路的设计布图对应的第1图案进行修正，得到第2图案的步骤；用上述加工参数信息，预测与上述第2图案对应而且应当用刻蚀加工在半导体晶片上边形成的第3图案的步骤；通过将上述第3图案与上述第1图案进行比较，得到评价值的步骤；判断上述评价值是否满足规定的条件的步骤；在上述评价值被判断为不满足规定的条件的情况下，变更上述加工参数信息的步骤。

公开(公告)号：CN1411034A

公开(公告)日：2003-04-16

申请号：CN02144071.9

申请日：2002-09-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小谷敏也 ,  田中聪 ,  井上壮一 ,  小林幸子 ,  市川裕隆

IPC: H01L21/00

CPC classification number: G03F1/36

Abstract: 一种由设计图形生成掩模图形的掩模图形制成方法，包括：直到前述设计图形的设计结束为止，制成修正库，该修正库记录有由前述设计图形的掩模蚀刻坐标组、和用于修正前述边缘坐标组的修正值组组成的对；获得设计结束后的设计图形的第一个边缘坐标组；将对应于与第一个边缘坐标组一致的边缘坐标组的修正值组记录到前述修正库中，或从该修正库中调出；在无记录的情况下，通过根据预先确定的修正参数进行的模拟，计算出第一边缘坐标组的修正值组；将由第一边缘坐标组和修正值组构成的对追加记录到前述修正库中；在有记录的情况下，从前述修正库中读取对应的修正值组；和根据计算出的修正值组、或读出的修正值组中的任何一个，对设计图形进行修正，生成掩模图形。