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公开(公告)号：CN115667184A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202180036514.0
申请日：2021-05-14
IPC: C04B35/587 , F16C33/32
Abstract: 本发明提供一种氮化硅烧结体，其特征在于，在用金属显微镜观察氮化硅烧结体的任意的截面时，在单位面积5mm×5mm的视场内存在1个以上长径为10μm以上的黑色部。此外，黑色部的长径优选为500μm以下。此外，单位面积5mm×5mm的视场内的黑色部优选为2个以上且10个以下。此外，优选在黑色部内存在Fe的偏析部。
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公开(公告)号：CN112313191A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201980042179.8
申请日：2019-07-30
IPC: C04B35/587 , H01L23/15 , H01L23/36 , H01L23/373 , H05K1/03
Abstract: 本发明提供一种氮化硅烧结体，其特征在于，其是具备氮化硅晶粒及晶界相的氮化硅烧结体，其中，在至少一部分上述氮化硅晶粒的内部，存在位错缺陷部。在氮化硅烧结体的任意的截面或表面，可见到全部轮廓的任意的50个上述氮化硅晶粒中的上述至少一部分上述氮化硅晶粒的数目的比例为50％～100％。使用了氮化硅烧结体的氮化硅基板的厚度优选为0.1mm～0.4mm的范围内。另外，将氮化硅基板用于氮化硅电路基板，能够提高TCT特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112292912A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201980042187.2
申请日：2019-08-05
IPC: H05K1/03 , C04B35/584 , H01L23/13
Abstract: 本发明提供一种氮化硅基板，其特征在于，其是由具有氮化硅晶粒和晶界相的氮化硅烧结体制成的氮化硅基板，其中，氮化硅基板的板厚为0.4mm以下，在氮化硅烧结体的任意的截面或表面中，在单位面积10μm×10μm中存在的氮化硅晶粒中在晶粒内具有位错缺陷部的粒子的比例以个数比例计为0％～20％。在制成电路基板时能够提高耐蚀刻性。
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公开(公告)号：CN107405831A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201580077819.0
申请日：2015-09-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B29C64/153 , B22F3/105 , B33Y10/00
Abstract: 根据实施方案的三维制造方法的增材制造过程形成并添加通过造粒初级颗粒得到的二次颗粒的层，以制造三维物体。烧结过程加热三维物体以制备烧结体。所述三维制造方法可以使用减小粒径的粉末或具有不同粒径和特性的材料的混合物来提供具有稳定质量的三维制造物体。
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公开(公告)号：CN105680006A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201510882127.5
申请日：2015-12-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供高容量及循环特性优异的活性物质、非水电解质电池用电极、非水电解质二次电池及电池包。实施方式的非水电解质电池用活性物质是包括碳质物和分散于所述碳质物中的含硅粒子的至少2种的复合体，所述含硅粒子具备硅、硅合金及硅氧化物中的至少1种，在氩离子激光拉曼光谱中，在1575cm-1以上且1625cm-1以下的范围具有最大强度I1的峰的半值幅(ΔG)为100cm-1以上且150cm-1以下，在500cm-1以上且550cm-1以下的范围具有最大强度I2的峰相对于所述在1575cm-1以上且1625cm-1以下的范围具有最大强度I1的峰的强度比(I2/I1)为0.25以上且0.50以下。
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公开(公告)号：CN105449183A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510507157.8
申请日：2015-08-18
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/366 , H01M4/131 , H01M4/134 , H01M4/386 , H01M4/485 , H01M4/625 , H01M10/052 , Y02T10/7011 , H01M4/628 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供一种循环特性优异的非水电解质二次电池用电极活性物质及具备其的非水电解质二次电池。非水电解质二次电池用电极活性物质包含由含硅化合物和含锂硅氧化物形成的复合体，所述含硅化合物含有硅及硅氧化物中的至少1种，其中，所述含锂硅氧化物以Li2Si2O5为主成分。
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公开(公告)号：CN103765637A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280041861.3
申请日：2012-03-23
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供一种长寿命的非水电解质二次电池用负极活性物质。本发明的非水电解质二次电池用负极活性物质的特征在于，其具有碳质物、碳质物中的氧化硅物相、氧化硅相中的硅相和碳质物中的氧化锆相，所述负极活性物质在粉末X射线衍射测定中于2θ=30±1°处具有衍射峰。
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