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公开(公告)号：CN113393868A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202010945118.7
申请日：2020-09-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能提高记录密度的磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头、磁记录介质以及电气电路。所述磁头包括磁极、第1屏蔽件以及设置在所述磁极与所述第1屏蔽件之间的层叠体。所述层叠体包括：第1磁性层、设置在所述磁极与所述第1磁性层之间的第2磁性层、设置在所述第2磁性层与所述第1磁性层之间的第1非磁性层、设置在所述第1磁性层与所述第1屏蔽件之间的第2非磁性层以及设置在所述磁极与所述第2磁性层之间的第3非磁性层。
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公开(公告)号：CN110910908B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201910187027.9
申请日：2019-03-13
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/11
Abstract: 本发明提供能够提高记录密度的磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头、第1电路以及第2电路。磁头包括磁极、第1屏蔽件、设置于磁极与第1屏蔽件之间并将磁极与第1屏蔽件电连接的导电部件、以及线圈。第1电路能够向磁极、导电部件以及第1屏蔽件供给第1电流。第2电路能够向线圈供给记录电流。从磁极产生与记录电流相应的记录磁场。记录电流的上升时间是最短位长的65％以上。
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公开(公告)号：CN112786074A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202010952619.8
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高记录密度的磁头以及磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头和电气电路。所述磁头包括第1磁极、第2磁极以及设置在所述第1磁极与所述第2磁极之间的层叠体。所述层叠体包括：第1非磁性层；第1磁性层，其设置在所述第1非磁性层与所述第2磁极之间；第1层，其设置在所述第1磁性层与所述第2磁极之间；第2非磁性层，其设置在所述第1层与所述第2磁极之间；第2磁性层，其设置在所述第2非磁性层与所述第2磁极之间；以及第3非磁性层，其设置在所述第2磁性层与所述第2磁极之间。所述电气电路向所述层叠体供给第1电流，所述第1电流具有从所述第2磁极朝向所述第1磁极的第1方向。
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公开(公告)号：CN112614517A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202010933146.7
申请日：2020-09-08
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高记录密度的磁头以及磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头和电气电路。磁头包括磁极、第1屏蔽件、和设置在磁极与第1屏蔽件之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、第2磁性层、设置在第1磁性层与第2磁性层之间的第1层以及设置在第1磁性层与第1层之间的第1非磁性层，所述第1层包含选自由Ta、Zr、Hf、Mo、W、Tc、Re、Ru、Rh、Os、Ir、Pd、Pt、Mn、Cr、V、Ti、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、GD、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu构成的组中的至少一种。电气电路向层叠体供给电流。
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公开(公告)号：CN112466341A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202010170190.7
申请日：2020-03-12
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B11/105
Abstract: 提供能提高记录密度的磁头及磁记录装置。磁头包括磁极、第1屏蔽件、第1磁性层～第3磁性层及第1中间层～第4中间层。第1磁性层～第3磁性层分别设置在磁极与第1屏蔽件之间、第1磁性层与第1屏蔽件之间、第2磁性层与第1屏蔽件之间。第1中间层设置在磁极与第1磁性层之间，包含选自由Au、Cu、Ag、Al以及Ti构成的第1组的至少一种。第2中间层设置在第1磁性层与第2磁性层之间，包含选自由Ta、Ir、W、Mo、Cr、Tb、Rh以及Pd构成的第2组的至少一种。第3中间层设置在第2磁性层与第3磁性层之间，包含选自第1组的至少一种。第4中间层设置在第3磁性层与第1屏蔽件之间，包含选自第2组的至少一种。
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公开(公告)号：CN112466340A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202010168901.7
申请日：2020-03-12
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括磁极、第1屏蔽件、设置于所述磁极与所述第1屏蔽件之间的第1磁性层、设置于所述第1磁性层与所述第1屏蔽件之间的第2磁性层和设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性的中间层。所述磁极与所述第1磁性层之间的沿着从所述第1磁性层向所述第2磁性层的第1方向的第1距离，为所述磁极与所述第1屏蔽件之间的沿着所述第1方向的第2距离的1％以上且10％以下。
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公开(公告)号：CN106067305A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201510450655.3
申请日：2015-07-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/314 , G11B5/1278 , G11B2005/0024
Abstract: 本发明的实施方式提供实现稳定的高频辅助且可以实现高记录密度化的磁记录头及具备其的盘装置。根据实施方式，磁记录头具备：空气支撑面(43)；主磁极(60)，其具有延伸到空气支撑面的前端部(60b)，且产生记录磁场；写防护件(62)，其与主磁极的前端部隔着写间隙相对，且与主磁极一起构成磁芯；以及高频振荡器(65)，其在写间隙内设置于主磁极与写防护件之间，且与主磁极及写防护件连接。高频振荡器具有在头部行进方向层叠的旋转注入层(65a)、中间层(65b)及振荡层(65c)，振荡层及旋转注入层分别具有在与空气支撑面交叉的方向延伸的层叠面。从空气支撑面离开的高度位置处的旋转注入层的头部行进方向的膜厚比空气支撑面处的旋转注入层的头部行进方向的膜厚形成得厚。
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公开(公告)号：CN114550754B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202110947763.7
申请日：2021-08-18
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/39
Abstract: 提供能够进行稳定的动作的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、及层叠体。层叠体包括第1磁性部件、设置于第1磁性部件与第2磁极之间的第2磁性部件、及设置于第1磁性部件与第2磁性部件之间且包含选自由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群的至少1个的第1层。第1磁性部件包括多个第1磁性区域和第1非磁性区域。第1非磁性区域包含选自由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群的至少1个。多个第1磁性区域包含选自由Fe、Co及Ni构成的群的至少1个。第1层的沿着第1方向的厚度比第1非磁性区域的沿着第1方向的厚度厚。
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公开(公告)号：CN118588120A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202311059099.8
申请日：2023-08-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本公开提供能够提高记录密度的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、以及设置于第1磁极与第2磁极之间的磁元件。磁元件包括第1磁性层～第4磁性层、和第1非磁性层～第5非磁性层。第4磁性层包含Fe、Co及Ni中的至少一种、和从由Cr、V、Mn、Ti、N及Sc构成的组中选择出的至少一种第1元素。第4非磁性层包含从由Cu、Au、Cr、Al、V及Ag构成的组中选择出的至少一种。第5非磁性层包含从由Cu、Au、Cr、Al、V及Ag构成的组中选择出的至少一种。
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公开(公告)号：CN118588119A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202311059022.0
申请日：2023-08-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本公开提供能够提高记录密度的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、以及设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间的磁元件。所述磁元件包括第1磁性层～第5磁性层和第1非磁性层～第6非磁性层。所述第6非磁性层包含从由Ru、Ir、Ta、Rh、Pd、Pt及W构成的组中选择出的至少一种。
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