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公开(公告)号：CN1533002A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN200410032116.X
申请日：1999-09-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01S5/32341 , H01S5/34333
Abstract: 首先，将衬底温度升高到1020℃，在由蓝宝石构成的衬底(11)上顺序生长由n型Al0.1Ga0.9N组成的n型包层(14)、由n型GaN组成的n型光波导层(15)、及由n型Al0.2Ga0.8N组成的、抑制n型光波导层(15)构成原子的再蒸发的平坦性维持层(16)。接着，停止III族原料气体供给，将衬底温度降低到780℃，与此同时将运载气体由氢气更换为氮气，然后选择性导入V族源NH3、III族源TMI和TMG生长具有多量子阱结构的有源层(17)。
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公开(公告)号：CN1440098A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN03106059.5
申请日：2003-02-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/028
Abstract: 一种半导体激光器，它包括在衬底上形成的活性层和将活性层夹在中间的一对包层。在半导体激光器的谐振器端面102、104的至少一个面上有添加氢的第一介质膜109，在第一介质膜和谐振器端面之间设有防止氢扩散的第二介质膜108。这样当半导体激光器暴露于高温状态时，即使端面镀膜层中有添加氢的膜，端面镀膜脱离和端面镀膜变质的现象也能得到抑制。
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公开(公告)号：CN1316123A
公开(公告)日：2001-10-03
申请号：CN99810355.1
申请日：1999-09-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/30 , H01S5/323 , H01L33/00 , C30B25/14 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01S5/32341 , H01S5/34333
Abstract: 首先,将衬底温度升高到1020℃,在由蓝宝石构成的衬底(11)上顺序生长由n型Al0.1Ga0.9N组成的n型包层(14)、由n型GaN组成的n型光波导层(15)、及由n型Al0.2Ga0.8N组成的、抑制n型光波导层(15)构成原子的再蒸发的平坦性维持层(16)。接着,停止Ⅲ族原料气体供给,将衬底温度降低到780℃,与此同时将运载气体由氢气更换为氮气,然后选择性导入Ⅴ族源NH3、Ⅲ族源TMI和TMG生长具有多量子阱结构的有源层(17)。
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公开(公告)号：CN101483318B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200910001611.7
申请日：2009-01-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , B82Y20/00 , H01S5/3406 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S2301/173
Abstract: 提供一种抑制活性层发生结晶缺陷，并改善对发光点施加的应力的非对称性，从而可防止可靠性降低且提高偏光特性的半导体激光装置。在由n型GaAs构成的基板(10)上集成有红色激光部(1)和红外激光部(2)。在红色激光部(1)的由p型AlGaInP构成的p型金属包层(14)、和红外激光部(2)的由p型AlGaInP构成的p型金属包层(24)，分别设置有具有发光点的脊条部，在各脊条部的两侧方形成有由SiNx构成的电流阻碍层(15A)，在电流阻碍层(15A)上的各脊条部的外侧的区域中，选择性形成有由ZrO2构成的应变缓和层(15B)。当设p型金属包层(14、24)的热膨胀系数为Tc、电流阻碍层(15A)的热膨胀系数为Tb、应变缓和层(15B)的热膨胀系数为Tc时，满足Tb＜Tc＜Ts的关系。
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公开(公告)号：CN101047301B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200710088516.6
申请日：2007-03-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/2206 , H01S5/3201 , H01S5/3211 , H01S5/34326 , H01S2301/173
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光元件及其制造方法。半导体激光元件，在半导体衬底(101)上具有从距半导体衬底(101)较近的一侧依次层叠第一包覆层(103)、活性层(104)及第二包覆层(105)而成的叠层结构。第一包覆层(103)及第二包覆层(105)中的至少一个，对半导体衬底(101)具有压缩应变，并且第一包覆层(103)及第二包覆层(105)中的至少一个，包含对半导体衬底(101)具有拉伸应变的半导体层(106)。因此，能够提供一种具有能够提高元件可靠性的结构的半导体激光元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1610138B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200410086095.X
申请日：2004-10-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L21/0237 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02521 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/02625 , H01L29/155 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L33/02 , Y10S438/94 , Y10T428/24926
Abstract: 本发明提供一种防止碱金属扩散的半导体器件。在III族元素氮化物结晶衬底上层叠有III族元素氮化物结晶层的III族元素氮化物半导体器件中，所述衬底是在含有碱金属及碱土类金属之中的至少一种的熔融液中，通过使含有氮的气体中的所述氮和III族元素反应并结晶化而制成，在所述衬底上形成有薄膜层，其中，在所述衬底中含有的杂质在所述薄膜层中的扩散系数比该杂质在所述衬底中的扩散系数更小。
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公开(公告)号：CN101490915A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780026061.3
申请日：2007-06-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/223
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0287 , H01S5/1014 , H01S5/1039 , H01S5/221 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/18
Abstract: 本发明提供一种具有脊条构造的半导体激光装置(100)，具备：n型包层(105)，具有凸部；以及n型电流阻碍层(107)，覆盖除凸部的上表面之外的上述包层；设上述上表面的宽度为W，前后两解理面间的距离为L，前方的解理面上的上述上表面的宽度为Wf，后方的解理面上的上述上表面的宽度为Wr时，Wf＞Wr；在与前方的解理面的距离为L/2以内的范围内，上述上表面所占的面积Sc在L/8×(3Wf+Wr)＜Sc≤L/2×Wf的范围内，在上述范围内的任意的位置，W在1/2(Wf+Wr)＜W≤Wf的范围内。
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公开(公告)号：CN101483318A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200910001611.7
申请日：2009-01-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , B82Y20/00 , H01S5/3406 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S2301/173
Abstract: 提供一种抑制活性层发生结晶缺陷，并改善对发光点施加的应力的非对称性，从而可防止可靠性降低且提高偏光特性的半导体激光装置。在由n型GaAs构成的基板(10)上集成有红色激光部(1)和红外激光部(2)。在红色激光部(1)的由p型AlGaInP构成的p型金属包层(14)、和红外激光部(2)的由p型AlGaInP构成的p型金属包层(24)，分别设置有具有发光点的脊条部，在各脊条部的两侧方形成有由SiNx构成的电流阻碍层(15A)，在电流阻碍层(15A)上的各脊条部的外侧的区域中，选择性形成有由ZrO2构成的应变缓和层(15B)。当设p型金属包层(14、24)的热膨胀系数为Tc、电流阻碍层(15A)的热膨胀系数为Tb、应变缓和层(15B)的热膨胀系数为Tc时，满足Tb＜Tc＜Ts的关系。
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公开(公告)号：CN100452583C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200480027878.9
申请日：2004-09-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/323 , H01L33/00 , H01L21/205
Abstract: 本发明的氮化物半导体元件包括：p型氮化物半导体层、n型氮化物半导体层以及夹持在所述p型氮化物半导体层和所述n型氮化物半导体层之间的激活层。p型氮化物半导体层具有：包含Al和Mg的第一p型氮化物半导体层、包含Mg的第二p型氮化物半导体层。第一p型氮化物半导体层位于所述激活层和所述第二p型氮化物半导体层之间，第二p型氮化物半导体层具有比第一p型氮化物半导体层的能带间隙大的能带间隙。
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公开(公告)号：CN101141050A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710148293.8
申请日：2007-09-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/1039 , H01S5/1064 , H01S5/162 , H01S5/22 , H01S5/4087
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光装置，目的在于实现在同一衬底上具有多个发光部的半导体激光装置的高拐点电平、低工作电流及低工作电压。半导体激光装置具有各自包括条纹构造的第一发光部及第二发光部。第一发光部的条纹具有宽度沿谐振器方向变化的部分且包括第一前端面，当将第一前端面的宽度设为Wf1、将距第一前端面的距离为L1的位置的宽度设为W1、将距第一前端面的距离为L1+L2的位置的宽度设为W2时，Wf1≥W1、W1＞W2及(Wf1－W1)/2L1＜(W1－W2)/2L2成立。在第二发光部的条纹中，与上述相同的关系成立。
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