公开(公告)号：CN1235338A

公开(公告)日：1999-11-17

申请号：CN98125636.8

申请日：1998-09-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川分康博 ,  里见三男 ,  杉田康成 ,  榊间博

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3932 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/3268 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明的磁阻效应器件包括一个多层膜。该多层膜包括反铁磁膜、第一铁磁膜、非磁膜、及第二铁磁膜,它们以此顺序直接地或通过一下层设在非磁衬底上。反铁磁膜包括α－Fe2O3膜。多层膜的表面粗糙度约为0.5nm或以下。

公开(公告)号：CN1189675A

公开(公告)日：1998-08-05

申请号：CN97126174.1

申请日：1997-11-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川分康博 ,  榊间博 ,  里见三男

IPC: H01F10/08 ,  G11B5/31

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3133 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3951 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/324 ,  H01F10/3268 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明的磁致电阻器件包括:至少两个其间夹有非磁性层而堆叠的磁性层;和形成传导电子的金属反射层,与磁性层的最外两层中至少之一接触。金属反射层与最外磁性层的一个表面接触,该表面与最外磁性层的与非磁性层接触的另一表面相反。在保持电子的自旋方向时金属反射层易于反射传导电子。