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公开(公告)号：CN101371413A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200780002674.3
申请日：2007-01-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L21/205 , H01L33/00
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L33/32 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/305 , H01S5/3211
Abstract: 本发明的氮化物半导体发光器件，包括：氮化物类半导体基板(10)、和在半导体基板(10)上形成的氮化物类半导体叠层结构。此叠层结构包含进行发光的有源层(16)和位于有源层(16)至基板(10)之间、含有n型掺杂物的多个半导体层(12)、(14)、(15)。n型半导体层(12)、(14)、(15)分别含有Al原子。
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公开(公告)号：CN100454699C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200580005185.4
申请日：2005-11-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/343 , H01S5/22 , H01L21/205
CPC classification number: H01S5/22 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01S5/32341 , H01S2304/12
Abstract: 本发明的氮化合物系半导体装置具备支承于具有导电性的基板构造物101的半导体叠层构造物。基板构造物101的主面具有：作为氮化合物系半导体的纵向生长的晶种而起作用的至少1个纵向生长区域；及使在所述纵向生长区域上生长的氮化合物半导体的横向生长成为可能的多个横向生长区域。在设定由箭头A表示的纵向生长区域的尺寸的总和为∑X，该方向的多个横向生长区域的尺寸的总和为∑Y时，∑X/∑Y＞1.0的关系成立。
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公开(公告)号：CN1305187C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN03802320.2
申请日：2003-01-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01S5/0213 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/0425
Abstract: 一种氮化物半导体激光元件的制造方法，包括：第一步骤，在基底(101)上形成半导体叠层体，该半导体叠层体至少有n型氮化物半导体层(102)、活性层(105)及p型氮化物半导体层(108)；第二步骤，通过选择性蚀刻上述半导体叠层体，使n型氮化物半导体层(102)和p型氮化物半导体层(108)的表面分别在不同高度的位置露出；第三步骤，通过绝缘膜(109)来覆盖包含n型氮化物半导体层(102)和p型氮化物半导体层(108)的露出面的上述半导体叠层体的表面，该绝缘膜具有比n型氮化物半导体层(102)的露出面和p型氮化物半导体层(108)的露出面之间产生的台阶大的膜厚；第四步骤，将绝缘膜(109)表面平坦化；以及第五步骤，贯通绝缘膜(109)并分别形成与n型氮化物半导体层(102)和p型氮化物半导体层(108)电连接的n型电极(111)及p型电极(110)。根据该制造方法，可以获得可靠性高、并且具有良好散热特性的氮化物半导体激光元件。
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公开(公告)号：CN1856915A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200480027878.9
申请日：2004-09-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/323 , H01L33/00 , H01L21/205
Abstract: 本发明的氮化物半导体元件包括：p型氮化物半导体层、n型氮化物半导体层以及夹持在所述p型氮化物半导体层和所述n型氮化物半导体层之间的激活层。p型氮化物半导体层具有：包含Al和Mg的第一p型氮化物半导体层、包含Mg的第二p型氮化物半导体层。第一p型氮化物半导体层位于所述激活层和所述第二p型氮化物半导体层之间，第二p型氮化物半导体层具有比第一p型氮化物半导体层的能带间隙大的能带间隙。
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公开(公告)号：CN1518138A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200410002946.8
申请日：2004-01-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205 , H01S5/223 , H01S5/343
CPC classification number: C30B25/02 , C30B9/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02625 , H01L21/02642 , H01L21/0265 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供一种制造方法，可以制造只由高质量第三族氮化物晶体形成并具有较少翘曲的衬底。包括间隙的第三族氮化物层(籽晶层12和选择生长层15)形成在衬底(蓝宝石衬底11)上。在含氮气氛中，使第三族氮化物层的表面与含有碱金属和选自镓、铝和铟中的至少一种第三族元素的熔化物相接触，由此该至少一种第三族元素和氮互相反应，在第三族氮化物层上生长第三族氮化物晶体(GaN晶体16)。此后在间隙附近使包括衬底的部分和包括第三族氮化物晶体的部分相互分离。
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公开(公告)号：CN110050330A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201880004481.X
申请日：2018-10-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/30 , C23C16/34 , C30B25/18 , C30B29/38
Abstract: 本发明提供一种高品质的III族氮化物半导体。该III族氮化物半导体具备：包含AlxGa1-xN(0≤x＜1)的n-GaN层；配置于所述n-GaN层上且包含InGaN的InGaN层；配置于所述InGaN层上且包含n型的AlyGa1-yN(0≤y＜1)的n-AlGaN层；以及配置于所述n-AlGaN层上的功能层，所述n-GaN层的Mg浓度比所述n-AlGaN层的Mg浓度大。
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公开(公告)号：CN100452583C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200480027878.9
申请日：2004-09-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/323 , H01L33/00 , H01L21/205
Abstract: 本发明的氮化物半导体元件包括：p型氮化物半导体层、n型氮化物半导体层以及夹持在所述p型氮化物半导体层和所述n型氮化物半导体层之间的激活层。p型氮化物半导体层具有：包含Al和Mg的第一p型氮化物半导体层、包含Mg的第二p型氮化物半导体层。第一p型氮化物半导体层位于所述激活层和所述第二p型氮化物半导体层之间，第二p型氮化物半导体层具有比第一p型氮化物半导体层的能带间隙大的能带间隙。
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公开(公告)号：CN100411265C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200510075140.6
申请日：2005-06-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，它包括：由氮化物半导体构成的基板；与上述基板的上表面相接连地形成、由含p型杂质的氮化物半导体构成的半导体层；在上述半导体层之上形成、由含第1导电型杂质的氮化物半导体构成的第1包层；在上述第1包层之上形成的活性层；在上述活性层之上形成、由含第2导电型杂质的氮化物半导体构成的第2导电型包层。
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公开(公告)号：CN100362710C
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200480002182.0
申请日：2004-01-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/323
Abstract: 一种氮化物半导体元件，其特征在于，具有：在表面形成有由空隙构成的凹部(102b)和由III族氮化物构成的凸部(102a)的基板(101)、在基板(101)上形成的氮化物半导体层(106)和在氮化物半导体层(106)上形成的具有活性层的氮化物半导体层叠体，基板(101)的晶格常数与III族氮化物(102a)的晶格常数不同，基板(101)具有由电介质(104)构成的掩模(104a)，掩模(104a)仅在凸部(102a)的侧面形成，凸部(102a)的上面露出，并且在凹部(102b)露出基板(101)，掩模(104a)的高度L1在50nm以上5000nm以下，凹部(102b)的宽度L2在5000nm以上50000nm以下，凹部(102b)的高宽比L1/L2在0.001以上1.0以下。利用这样的结构，可以提高氮化物半导体元件的可靠性。
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公开(公告)号：CN1957510A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200680000267.4
申请日：2006-05-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01S5/0425
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置，该氮化物半导体装置(100)具备：n－GaN基板(1)；形成于n－GaN基板(1)的主面上，包括p型区域及n型区域的半导体叠层构造；与半导体叠层构造中所含的p型区域的一部分接触的p侧电极(32)；设于基板(1)的背面的n侧电极(34)。基板(1)的背面包括粗糙区域(40a)和平坦区域(40b)，n侧电极(34)将粗糙区域(40a)的至少一部分覆盖。
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