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公开(公告)号：CN100365815C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200480000648.3
申请日：2004-05-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C14/009 , H01L27/1104 , H01L27/24 , H01L45/04 , H01L45/145
Abstract: 一种非易失性存储器，包括：第一基板(100)和第二基板(110)，所述第一基板(100)具有多个排列成矩阵的开关元件(4)和多个连接在所述开关元件(4)的第一电极(18)，所述第二基板(110)具有导电膜(32)，和通过提供电脉冲改变阻值的记录层(34)，其中，所述多个第一电极(18)被所述记录层(34)完整地覆盖，该记录层(34)由此位于所述多个第一电极(18)和所述导电膜(32)之间；所述第一基板(100)还包括第二电极(22)，和所述第二电极(22)与所述导电膜(32)电联接，当给所述记录层(34)施加电流时，所述第二电极(22)的电压保持在一定的水平上。该非易失性存储器以低成本获得高集成度。
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公开(公告)号：CN100345075C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN02814561.5
申请日：2002-12-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G05F3/24
Abstract: 本发明提供一种电位发生电路，具备电容器(4)；串联连接于电容器(4)上的强电介质电容器(6)；输出端子(11)；将输出端子(11)接地的电容(10)；将两个电容器(4、6)的连接节点(5)与输出端子(11)连接的开关(9)；及将连接节点(5)接地的开关(1)，在第一期间中，在开关(1)及开关(9)变为截止状态的状态下，向端子(3)提供正电位，同时，将端子(7)接地，在所述第一期间之后的第二期间，将端子(3)接地，且开关(9)变为导通状态，在所述第二期间之后的第三期间，开关(9)变为截止状态，开关(1)变为导通状态，且向端子(7)提供正电位，在所述第三期间之后的第四期间，将端子(7)接地，重复所述第一期间到所述第四期间。
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公开(公告)号：CN1659660A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN03812834.9
申请日：2003-06-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C14/00 , G11C14/0063 , G11C14/0072 , G11C14/0081 , G11C14/009
Abstract: 本发明涉及一种非易失性存储电路，其特征在于，具有：各自的栅极和漏极连接而构成第一逆变器的第一和第二晶体管(101、102)；各自的栅极和漏极相互连接而构成第二逆变器的第三和第四晶体管(103、104)；字码线(107)连接栅极、且连接在第一比特线(108)和第二逆变器的输入端子之间的第五晶体管(105)；字码线(107)连接栅极、且连接在第二比特线(109)和第一逆变器的输入端子之间的第六晶体管(106)；和分别和第一及第二逆变器串联连接的第一及第二电阻元件(114、115)，第一逆变器的输入和输出端子分别和第二逆变器的输入和输出端子连接，与接地线(111)连接的第一及第二电阻元件(114、115)的电阻值可电气变化。
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公开(公告)号：CN1655883A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN03811605.7
申请日：2003-05-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B08B7/0021
Abstract: 通过用液化气体或超临界流体清洗介质清洗具有凹部构造的部件来提高清洗效果。在去除附着在具有凹部构造的部件(31)的至少上述凹部构造表面的附着物的清洗方法中，使用超临界气体或液化气体使清洗介质不遍布在上述凹部构造表面来进行清洗。
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公开(公告)号：CN1533525A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN02814561.5
申请日：2002-12-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G05F3/24
Abstract: 本发明提供一种电位发生电路，具备电容器(4)；串联连接于电容器(4)上的强电介质电容器(6)；输出端子(11)；将输出端子(11)接地的电容(10)；将两个电容器(4、6)的连接节点(5)与输出端子(11)连接的开关(9)；及将连接节点(5)接地的开关(1)，在第一期间中，在开关(1)及开关(9)变为截止状态的状态下，向端子(3)提供正电位，同时，将端子(7)接地，在所述第一期间之后的第二期间，将端子(3)接地，且开关(9)变为导通状态，在所述第二期间之后的第三期间，开关(9)变为截止状态，开关(1)变为导通状态，且向端子(7)提供正电位，在所述第三期间之后的第四期间，将端子(7)接地，重复所述第一期间到所述第四期间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1148786C
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN00100676.2
申请日：2000-01-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/302 , H01L21/31 , H01L21/469
CPC classification number: H01L29/513 , C23C16/409 , C23C16/4485 , H01L21/28167 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28291 , H01L21/31691 , H01L29/516 , H01L29/517 , H01L29/518
Abstract: 将硅衬底11置入容器17内。向容器17内供入金属有机络合物和超临界状态的二氧化碳，在白金薄膜13上形成BST薄膜14，与此同时，除去形成BST薄膜14时所生成的含碳化合物。利用含碳化合物在超临界状态的二氧化碳中的熔解度很高，超临界状态的二氧化碳的粘度很低这一特性，可有效地除去BST薄膜14中的含碳化合物。利用超临界状态或亚临界状态的水等进行低温下的氧化、氮化等处理，还可以形成氧化膜、氮化膜等。
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公开(公告)号：CN1389922A
公开(公告)日：2003-01-08
申请号：CN02121828.5
申请日：2002-06-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L29/772 , G06F15/18 , H03K19/08 , H03K19/185
CPC classification number: G11C27/005 , G11C11/54 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供作为神经元元件、电位发生装置、逻辑变换电路而发挥作用的半导体装置。在电位发生装置中,N型MIS晶体管(54)的源极和P型MIS晶体管(56)的源极彼此相连,并且,与输出端子(55)连接。N型MIS晶体管(54)的漏极和提供电源电压VDD的电源电压提供部(53)相连,P型MIS晶体管(56)的漏极和提供接地电压VSS的接地(57)相连。并且,N型MIS晶体管(54)的衬底电位是接地电压VSS,P型MIS晶体管(56)的衬底电位是电源电压VDD。这样,构成了从源极取出输出的源极跟随器电路。利用该电位发生装置,能得到稳定地进行NOR动作和NAND动作的切换的逻辑变换电路。
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公开(公告)号：CN107464819B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201710679609.X
申请日：2014-02-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明涉及发光面板。一种薄膜半导体基板，具备顶栅型的第1TFT(10)及第2TFT(20)和数据线(源极布线(32))，第1TFT(10)包括第1半导体层(11)、第1栅极绝缘膜(12)、第1栅电极(10G)、第1源电极(10S)及第1漏电极(10D)、以及第1保护层(13)，第2TFT(20)包括第2半导体层(21)、第2栅极绝缘膜(22)、第2栅电极(20G)、第2源电极(20S)及第2漏电极(20D)、以及第2保护层(23)，数据线与第1源电极(10S)连接，第1漏电极(10D)是第2栅电极(20G)延伸而构成的，第2栅电极(20G)的厚度比数据线的厚度薄。
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公开(公告)号：CN107516471A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201710679587.7
申请日：2014-02-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G09F9/30 , H01L21/336 , H01L27/32 , H05B33/26 , H01L51/50 , H05B33/12 , H05B33/22 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及发光面板。一种薄膜半导体基板，具备顶栅型的第1TFT(10)及第2TFT(20)和数据线(源极布线(32))，第1TFT(10)包括第1半导体层(11)、第1栅极绝缘膜(12)、第1栅电极(10G)、第1源电极(10S)及第1漏电极(10D)、以及第1保护层(13)，第2TFT(20)包括第2半导体层(21)、第2栅极绝缘膜(22)、第2栅电极(20G)、第2源电极(20S)及第2漏电极(20D)、以及第2保护层(23)，数据线与第1源电极(10S)连接，第1漏电极(10D)是第2栅电极(20G)延伸而构成的，第2栅电极(20G)的厚度比数据线的厚度薄。
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公开(公告)号：CN107464819A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710679609.X
申请日：2014-02-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明涉及发光面板。一种薄膜半导体基板，具备顶栅型的第1TFT(10)及第2TFT(20)和数据线(源极布线(32))，第1TFT(10)包括第1半导体层(11)、第1栅极绝缘膜(12)、第1栅电极(10G)、第1源电极(10S)及第1漏电极(10D)、以及第1保护层(13)，第2TFT(20)包括第2半导体层(21)、第2栅极绝缘膜(22)、第2栅电极(20G)、第2源电极(20S)及第2漏电极(20D)、以及第2保护层(23)，数据线与第1源电极(10S)连接，第1漏电极(10D)是第2栅电极(20G)延伸而构成的，第2栅电极(20G)的厚度比数据线的厚度薄。
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