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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100505134C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200480004839.7
申请日：2004-06-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J9/022 , C01B32/20 , H01J1/30 , H01J1/304 , H01J2201/30446
Abstract: 本发明涉及电子发射特性优异的电子发射材料。本发明特别涉及一种含有取向性石墨的电子发射材料的制造方法，其特征在于，具有制备取向性石墨的工序，该工序是在表面存在碳之外的第2组分的状态下，通过对高分子薄膜进行热处理，得到含该第2组分、且内部有空穴的取向性石墨。
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公开(公告)号：CN100424905C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200480019715.6
申请日：2004-09-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L37/00 , F25B2321/003
Abstract: 一种热电变换元件，具有：利用热和电场作用发射电子的发射极(1)；与发射极(1)相对配置的、收集从发射极(1)发射的电子的集电极(2)；作为从发射极(1)发射的电子的移动区域的、由发射极(1)和集电极(2)夹着的电子传送层(3)，电子传送层(3)是作为气相和固相混合构造的多孔质体，构成多孔质体的所述固相整体由电绝缘体材料构成，向集电极(2)施加比向发射极(1)施加的电位还高的电位，从发射极(1)放出的电子，在气相中移动。
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公开(公告)号：CN1820381A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200480019715.6
申请日：2004-09-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L37/00 , F25B2321/003
Abstract: 一种热电变换元件，具有：利用热和电场作用发射电子的发射极(1)；与发射极(1)相对配置的、收集从发射极(1)发射的电子的集电极(2)；作为从发射极(1)发射的电子的移动区域的、由发射极(1)和集电极(2)夹着的电子传送层(3)，电子传送层(3)是作为气相和固相混合构造的多孔质体，构成多孔质体的所述固相整体由电绝缘体材料构成，向集电极(2)施加比向发射极(1)施加的电位还高的电位，从发射极(1)放出的电子，在气相中移动。
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公开(公告)号：CN1259727C
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN01819415.X
申请日：2001-11-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/778 , H04M1/00
CPC classification number: H01L27/0605 , H01L21/8252 , H01L29/2003 , H01L29/7785 , H03F3/601 , H03F2200/294
Abstract: 本发明缓和高耐压和低电阻的折衷，提供低耗电、高耐压半导体装置，及用这种装置的通信系统用机器。其解决方法为，HEMT，包括InP基板(201)上的，由InAlAs层(202)、InGaAs层(203)、n型掺杂层(204a)、及无掺杂层(204b)相互交错沉积而成的多重δ掺杂InAlAs层(204)、InP层(205)、肖特基栅电极(210)、源电极(209a)及漏电极(209b)。电流流过InGaAs层(203)内的多重δ掺杂InAlAs层(204)的界面附近区域(沟道区域)时，对于通过载流子供应层的多重δ掺杂InAlAs层(204)的载波移动电阻会降低，且可以提高非接通时的耐压。
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公开(公告)号：CN1781172A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200480011314.6
申请日：2004-12-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供降低功函数的电子发射材料，以及与现有相比实现低电能消耗化及/或高电流密度化的电子发射特性优良的电子发射元件。该电子发射材料包括：表面上具有原子台阶及在相邻的两个所述原子台阶之间具有平坦部的半导体基体；和所述平坦部上配置的吸附层，吸附层含有选自碱金属元素、碱土类金属元素及Sc中的至少一种元素。
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