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公开(公告)号：CN105897182B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201610307653.3
申请日：2016-05-11
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于谐波控制的高效率Doherty功率放大器，包括等分威尔金森功分器、载波功率放大电路、峰值功率放大电路和负载调制网络，其中，等分威尔金森功分器用于将输入功率进行等分后分别输出给载波功率放大电路和峰值功率放大电路，载波功率放大电路的输出端和峰值功率放大电路的输出端与负载调制网络相连接，经负载调制网络将功率输出给负载。相对于现有技术，本发明通过在E类功率放大器中利用谐波控制电路控制高次谐波，并通过谐波控制网络将负载阻抗变换到需要的基波阻抗，同时在奇次谐波频率上开路，在偶次谐波频点上短路，实现波形整形的目的，在理论上功放管没有功率损耗，使得功放的理想漏极效率可以达到100％。
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公开(公告)号：CN106452370A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610888444.2
申请日：2016-10-12
Applicant: 杭州电子科技大学
CPC classification number: H03F1/0288 , H03F3/68
Abstract: 本发明提供一种基于非对称结构的高回退Doherty功率放大器及其实现方法，采用非对称功分器，其中，非对称功分器用于将输入功率进行不等分，并将功率较小的第一信号输出给主功率放大电路以及将功率较大的第二信号输出给辅助功率放大电路；主功率放大电路的输出端接50欧四分之一波长阻抗变换器T1，并与辅助功率放大电路的输出端相连接，在合路端串接28.9欧四分之一波长的阻抗变换器T2后再将功率合路输出给负载。相对于现有技术，本发明通过采用非对称结构以及改进传统Doherty功率放大器的负载调制网络，增大低输入功率状态下主功放的负载阻抗，提高了Doherty功放的高效率功率回退范围。
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公开(公告)号：CN106374863A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610888767.1
申请日：2016-10-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种提高功率回退动态范围的Doherty功率放大器及其实现方法，包括等分威尔金森功分器、载波功率放大电路、峰值功率放大电路和新型负载调制网络，其中，等分威尔金森功分器用于将输入功率进行等分后分别输出给载波功率放大电路和峰值功率放大电路，载波功率放大电路的输出端接86.6欧四分之一波长阻抗变换器T1，并与峰值功率放大电路的输出端相连接将功率合路输出给负载。相对于现有技术，本发明通过改进传统Doherty功率放大器的负载调制网络，增大低输入功率状态下主功放的负载阻抗，提高了Doherty功放的高效率功率回退范围。
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公开(公告)号：CN105897179A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610305277.4
申请日：2016-05-10
Applicant: 杭州电子科技大学
CPC classification number: H03F1/0288 , H03F3/21
Abstract: 本发明公开了一种紧凑型宽带Doherty功率放大器及其实现方法，该功率放大器包括威尔金森功分器、载波放大电路和峰值放大电路；其中，输入信号经威尔金森功分器输出端分别连接载波放大电路和峰值放大电路的输入端；所述载波放大电路由载波输入匹配电路、载波放大器、载波输出匹配电路、70.7Ω四分之一波长阻抗变换器依次串接组成；所述峰值放大电路由50Ω相位补偿线、峰值输入匹配电路、峰值放大器、峰值输出匹配电路和100Ω补偿线串接组成；70.7Ω四分之一波长阻抗变换器和100Ω补偿线并接作为输出端。本发明通过减少四分之一波长阻抗变换线的阻抗变换比，极大地增大了功率放大器的带宽，同时也减小了功率放大器整体尺寸。
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公开(公告)号：CN104733522A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510160791.9
申请日：2015-04-07
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT压力传感器工艺实现方法，采用MOCVD或MBE方法在蓝宝石衬底上外延生长出单晶h-BN移除层；然后在h-BN移除层上外延常规的AlGaN/GaN HEMT结构层；在帽层上形成AlGaN/GaN HEMT的栅极、源极和漏极；把AlGaN/GaN HEMT器件的正面朝下粘贴在陶瓷载体上；施以外力克服h-BN的范德瓦耳斯力将蓝宝石衬底剥离掉；把AlGaN/GaN HEMT器件的反面朝下粘贴在开有孔洞的金属铜衬底上。本发明通过h-BN移除层可以转移器件的衬底，避免腐蚀工艺，使得器件可以生长在除外延材料质量硬度高的蓝宝石衬底上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107332527B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201710436098.9
申请日：2017-06-12
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03F1/56 , H03F3/217 , G06F30/36 , G06F30/367
Abstract: 本发明提供一种基于紧凑型输出匹配网络的宽带高效J类功率放大器实现方法，包括紧凑型输出匹配网络、GaN HEMT晶体管、基于切比雪夫低通滤波器原型的输入匹配网络，其中，紧凑型输出匹配网络为LC低通匹配网络，为了增强带宽性能，使用开路扇形微带传输线代替并联电容器。输入匹配网络采用基于切比雪夫低通原型的多级低通匹配网络进行设计，以系统地提高带宽。相对现有技术，本发明通过采用一种新型的晶体管输出阻抗计算方法，改进传统J类放大器的输入输出匹配网络，增强了J类放大器的效率和带宽，使其在更宽的带宽内有效地放大信号。
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公开(公告)号：CN111010092A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911160328.9
申请日：2019-11-23
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03F1/07
Abstract: 本发明涉及一种新型Doherty功率放大器。本发明输入信号经所述的功率分配器分成两路后，一路信号直接输入给主功率放大器支路，另外一路先经过第二相位延迟线后再输入给辅功率放大器支路。主功率放大器支路的输出信号经过第一相位延迟线后进入补偿相位及合路网络，辅功率放大器支路的输出信号直接进入补偿相位及合路网络，两路信号通过补偿相位及合路网络后输出。本发明通过补偿传统Doherty功率放大器主辅支路存在相位差，减小了高功率阶段主功放支路功率的泄露以及避免了低功率阶段主功放负载阻抗的减小，提高了Doherty功放的输出功率和效率。
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公开(公告)号：CN106411275B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201610889028.4
申请日：2016-10-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于负载调制网络改善带宽的三路Doherty功率放大器及其实现方法，载波功率放大电路的输出端接70.7欧四分之一波长的第一阻抗变换器T1，并与第一峰值功率放大电路和第二峰值功率放大电路的输出端相连接，经40.82欧四分之一波长的第二阻抗变换器T2合路将功率输出给负载。相对于现有技术，本发明通过改进传统三路Doherty功率放大器的负载调制网络，减小了负载调制网络的阻抗变换比，同时将峰值支路的补偿线加入到峰值输出匹配电路中，减小整体峰值输出匹配电路的品质因数，极大地拓宽了三路Doherty功率放大器的工作带宽。
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公开(公告)号：CN107332527A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710436098.9
申请日：2017-06-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于紧凑型输出匹配网络的宽带高效J类功率放大器实现方法，包括紧凑型输出匹配网络、GaN HEMT晶体管、基于切比雪夫低通滤波器原型的输入匹配网络，其中，紧凑型输出匹配网络为LC低通匹配网络，为了增强带宽性能，使用开路扇形微带传输线代替并联电容器。输入匹配网络采用基于切比雪夫低通原型的多级低通匹配网络进行设计，以系统地提高带宽。相对现有技术，本发明通过采用一种新型的晶体管输出阻抗计算方法，改进传统J类放大器的输入输出匹配网络，增强了J类放大器的效率和带宽，使其在更宽的带宽内有效地放大信号。
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公开(公告)号：CN106876482A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710086828.7
申请日：2017-02-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/812 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/338
CPC classification number: H01L29/8122 , H01L29/1029 , H01L29/42316 , H01L29/66848
Abstract: 本发明公开了一种基于垂直沟道的MESFET(金属‑半导体场效应晶体管)器件，其包括MES结构、源极及漏极，所述MES结构包括栅极以及至少一半导体沟道，所述半导体沟道的轴线基本垂直于一选定平面，所述栅极环绕半导体沟道设置，所述源极经半导体沟道与漏极电连接，所述源极和漏极沿半导体沟道轴向间隔设置，所述栅极分布于源、漏极之间。本发明还公开了所述MESFET器件的制备方法。本发明的MESFET器件具有栅控能力好、工作频率高，制作工艺难度低，成品率高等优点。
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