公开(公告)号：CN209842023U

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201721727095.2

申请日：2017-12-12

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 朱华辰 ,  许超 ,  钱正洪 ,  白茹

IPC: G01R31/385

Abstract: 本实用新型涉及基于隔离耦合器件的汽车电池电流电压检测设备。本实用新型电压检测单元采集电动汽车电池电压信号后传输到控制与数据处理单元；电流检测单元采集电动汽车电池电流信号并将电池电流信号传输到控制与数据处理单元处理。高低压隔离单元通过高隔离度DC-DC变换器和高隔离度的数字耦合器实现信号和电源的隔离。控制与数据处理单元处理电流电压信号以及控制所有单元运行，将数据传输到高速CAN总线上。本实用新型中电流电压检测单元独立化，缩短了检测距离，降低了外界干扰对信号检测的影响，提高了检测精度和BMS可靠性。迁移到位于高低压接驳处的高压配电单元内，与高压配电系统的硬件资源整合，降低成本。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN203616599U

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201320576479.4

申请日：2013-09-17

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 钱正洪 ,  白茹 ,  朱华辰

IPC: G05B19/042

Abstract: 本实用新型涉及一种具有非易失性锁存功能的多通道数据缓冲接口芯片。目前的芯片在掉电时将丢失所存储的信息，不利于掉电后系统的恢复，还可能引起系统的错误。本实用新型中的每一个数据通道由信号输入端、非易失性磁锁存隔离耦合单元和三态门数据输出端组成，其中非易失性磁锁存隔离耦合单元包括磁场信号产生电路和磁敏感存储单元，磁场信号产生电路和磁敏感存储单元由绝缘间隔层电气隔离。本实用新型不仅具有体积小、速度快的特性，而且兼具非易失性的锁存功能和数据隔离耦合功能。

公开(公告)号：CN204089770U

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201420568480.7

申请日：2014-09-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 钱正洪 ,  朱华辰 ,  白茹

IPC: H03K19/16

Abstract: 本实用新型涉及一种新型硅基磁电信号耦合器件。本实用新型包含信号电流线圈、几何巨磁电阻器件、信号处理集成电路，所述信号处理集成电路包含恒流源和读取电路；外部信号源将信号电流输入信号电流线圈，产生与信号电流的大小及方向线性相关的磁场，其中信号电流线圈设置于几何巨磁电阻器件正上方，产生垂直于几何巨磁电阻器件表面的磁场；恒流源为几何巨磁电阻器件提供恒定电流，使几何巨磁电阻器件工作于最佳状态，根据磁场大小和方向的不同，读取电路的输入端得到显著变化的电压信号，通过放大整形后输出。本实用新型不需要额外的信号调制电路，结构简单，且后端信号读取电路与前端输入信号不存在互感影响。

公开(公告)号：CN204089751U

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201420568369.8

申请日：2014-09-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 钱正洪 ,  朱华辰 ,  白茹

IPC: H03K3/012

Abstract: 本实用新型涉及一种将电平信号转换为脉冲磁场信号的电路。目前应用于磁电信号隔离耦合器件的“电平-磁场”转换电路存在较高的静态功耗。本实用新型包含防抖电路，延时电路，线圈驱动电路A，线圈驱动电路B和励磁线圈；防抖电路处于信号输入端，用于抑制输入信号抖动；延时电路连接于防抖电路与线圈驱动电路B之间，使输入线圈驱动电路B的信号相对于输入线圈驱动电路A的信号存在一个特定的延时；线圈驱动电路A连接于防抖电路与励磁线圈正极之间，对励磁线圈提供正向驱动电流；线圈驱动电路B连接于延时电路与励磁线圈负极之间，对励磁线圈提供反向驱动电流。本实用新型应用于磁电信号隔离耦合器件中，可以显著降低其使用功耗。

公开(公告)号：CN204086509U

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201420569471.X

申请日：2014-09-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 白茹 ,  钱正洪 ,  朱华辰

IPC: G01R33/09

Abstract: 本实用新型涉及一种新型的集成单体芯片三轴磁敏传感器。由于目前已有技术仅可做到磁敏传感器的三维封装集成，然而，真正意义上的在工艺中实现的单体芯片集成方法尚在探索之中。本实用新型将具有几何增强效应的硅基磁敏单元与磁电子敏感单元与信号处理电路集成在同一张硅片上，实现了三轴磁敏传感器的单体芯片集成，其中几何增强效应的硅基磁敏单元具有垂直方向磁敏感特性，两对面内正交排列的磁电子敏感单元具有面内磁敏感特性。本实用新型可避免生长垂直薄膜或者垂直封装集成的技术难题，且与微电子工艺具有很好的兼容性，器件体积小、灵敏度高。