公开(公告)号：CN114309596B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202111584907.3

申请日：2021-12-22

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张阳 ,  楚晴晴 ,  郑辉 ,  郑梁 ,  郑鹏

IPC: B22F1/18 ,  B22F9/04 ,  B22F3/14 ,  C22C9/00 ,  C22C26/00 ,  C22C1/05

Abstract: 本发明公开了一种高导热表面金属化金刚石/铜复合基板制备方法，包括以下步骤：(1)将表面镀有金属层的金刚石与铜粉混合后球磨，得混合粉末；(2)将混合粉末置于石墨模具中，于热压炉中进行分步热压烧结；(3)烧结后卸压并降至室温，脱模后即得高导热表面金属化金刚石/铜复合基板。本发明首先通过瞬态的高温让铜粉处于半熔融态，促进铜与金刚石界面金属发生反应，提高界面效果，然后迅速降至低温后长时间保温保压，促进表面金属化金刚石/铜复合导热基板致密化，工艺步骤简单，工艺条件可控，操作简单，得到的高导热表面金属化金刚石/铜复合基板界面结合优良，均匀致密，热学性能好。

公开(公告)号：CN116713326A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202310718170.2

申请日：2023-06-16

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 郑辉 ,  高源 ,  范力宁 ,  郭晓晓 ,  郑鹏 ,  郑梁 ,  张阳

IPC: B21B1/38 ,  B21B47/00 ,  B21C51/00

Abstract: 本发明公开了一种累积热压叠轧制备多层铜钼石墨烯叠层的方法，通过反复对铜钼石墨烯叠层进行冷轧和热压退火，实现金属层内部的位错累积，达到细化晶粒的目的。本发明采用上述的一种累积热压叠轧制备多层铜钼石墨烯叠层的方法，可用于制备高性能铜基导体材料，具有制备工艺简单、可控性高、性能提升明显以及成功率高的特点，为铜钼合金的制备方法提供新的可能。

公开(公告)号：CN115852189A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211420913.X

申请日：2022-11-14

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 郑辉 ,  钱俊 ,  陈伟 ,  张阳 ,  郑鹏 ,  郑梁

IPC: C22C1/05 ,  C22C9/00 ,  B22F1/18 ,  B22F3/14 ,  B22F9/04

Abstract: 本发明涉及一种高填充率高导热双粒径金刚石铜复合材料的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：制备表面金属化的金刚石；将两种粒径的上述金刚石和铜均匀混合后放置热压炉中进行热压烧结。本发明通过熔盐法在金刚石表面镀覆碳化钨和钨金属过渡层，从而有效解决金刚石与铜之间亲润性差的问题，同时采用粒径为200μm和40μm的大小金刚石，保持一个合适的配比，使得小粒径金刚石有效填充在大金刚石之间的缝隙中，从而进一步提高复合材料中金刚石的总体积分数，最终制备出低密度，高填充率，高热导率的金刚石铜复合材料，其特征在于，大小金刚石的总体积分数高达70％，密度低于5.4g/cm3，热导率达到639.53W/mK，在现代电子封装的热管理领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN112701023B

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202011593091.6

申请日：2020-12-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 郑辉 ,  周珂 ,  张阳 ,  郑梁 ,  郑鹏

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304

Abstract: 本发明属于场发射冷阴极领域，提供了一种柔性透明场发射冷阴极的制备方法，其主要特征是在耐高温透明柔性基底上，基于超薄多孔氧化铝(AAO)模板以及真空物理沉积技术，实现在柔性及透光性良好的基底上的场发射冷阴极材料的制备。该制备方法主要包括4部分，(1)在柔性透明基底上沉积导电透明金膜；(2)在沉积金膜的基底上附着AAO模板；(3)利用真空物理沉积技术制备得spindt型金属阵列；(4)去除AAO模板。本发明的柔性透明场发射冷阴极制备方法简单、成本低、可进行大面积制备，在柔性平板显示器等领域中有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN112521145B

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202011566061.6

申请日：2020-12-25

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 郑鹏 ,  李成伟 ,  白王峰 ,  郑梁 ,  张阳

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638

Abstract: 本发明涉及钛酸锶钡基高储能密度和功率密度陶瓷及其制备方法，属于电能储存材料领域。采用固相合成方法，以顺电体材料Ba0.6Sr0.4TiO3为基础，掺入一定摩尔比的NaNbO3反铁电材料，得到一种新型的复合陶瓷，其化学式是(1‑x)Ba0.6Sr0.4TiO3‑xNaNbO3，其中0.10≤x≤0.25。本发明获得的储能陶瓷材料，其主要性能参数可恢复储能密度Wrec＝6.09J/cm3，储能效率η＝87.4％，在360kV/cm电场下，功率密度PD＝221.7MW/cm3，电流密度可达1231.42A/cm2，能量存储性能较现有产品有大幅提升。此外，工艺流程简单，适合工业化生产，同时符合当前无铅环保的要求。

公开(公告)号：CN114736016A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202210385865.9

申请日：2022-04-13

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 牛子昂 ,  郑鹏 ,  白王峰 ,  郑梁 ,  张阳

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638

Abstract: 本发明公开了一种宽温度稳定性的高储能密度钛酸铋钾基钙钛矿陶瓷及制备方法，属于电能储存材料领域。采用固相合成方法，以钙钛矿材料Bi0.5K0.5TiO3为基础，通过二元复合得到钙钛矿材料0.75Bi0.5K0.5TiO3‑0.25BiFeO3，并进行一定摩尔比的CaTiO3掺杂，得到一种新型的陶瓷，其化学式是(1‑x)(0.75Bi0.5K0.5TiO3‑0.25BiFeO3)‑xCaTiO3，其中0≤x≤0.6。本发明获得的脉冲储能介质陶瓷材料，具有较高的可恢复储能密度Wrec＝6.34J/cm3，较高的储能效率η＝93.3％，在250kV/cm电场下，功率密度PD＝97.07MW/cm3，电流密度可达776.5A/cm2，能量存储性能较现有产品有大幅提升。更重要的是，储能密度在30‑160℃的宽温度范围内只有微小的波动(

公开(公告)号：CN113990723A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111126915.3

申请日：2021-09-26

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 郑辉 ,  周珂 ,  郑鹏 ,  郑梁 ,  张阳

IPC: H01J9/02

Abstract: 本发明公开了一种阵列化垂直石墨烯场发射冷阴极制备方法，包括以下步骤：(1)在硅基底上沉积金属导电层；(2)在金属导电层上附着AAO模板；(3)在金属导电层暴露的表面沉积得到金属催化点阵；(4)移除AAO模板，利用CVD技术在金属催化点阵上生长垂直石墨烯阵列，得阵列化垂直石墨烯场发射冷阴极。本发明制备工艺简单，可大面积制备，得到的阵列化垂直石墨烯场发射冷阴极开启电场低，场屏蔽效应小，电流密度较大，发射稳定性高。

公开(公告)号：CN112813488A

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN202011638281.5

申请日：2020-12-31

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 郑辉 ,  徐海波 ,  张阳 ,  郑梁 ,  郑鹏

IPC: C25F3/22

Abstract: 本发明公开了一种双阴极间断式抛光铜的方法，旨在提供一种抛光效果好、效率高、操作方便的铜表面抛光的方法；该方法包括下述步骤：配制抛光溶液并置于反应皿中；将两个碳棒浸入溶液中作为阴极，将待抛光铜片置于两个阴极正中间作为阳极；接通电源进行间断式抛光，即先在一定的电流密度下(1.5‑2.5A/cm2)持续抛光一定的时间(10‑20s)，再将电流密度降为0，保持一定的时间(例如5‑10min)，随后再继续在一定的电流密度下(1.5‑2.5A/cm2)持续抛光一定的时间(10‑20s)，重复5‑10次。其中，每100g抛光溶液包括64.7g纯度为85％的磷酸、0.3g纯度为99％的抗坏血酸、0.2g纯度为97％的乙烯硫脲，剩余34.8g为水的含量。

公开(公告)号：CN109811313B

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN201910150917.2

申请日：2019-02-28

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 郑辉 ,  陈伟 ,  郑梁 ,  郑鹏 ,  张阳

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/16 ,  C23C14/30 ,  C23C14/58 ,  C25F3/20 ,  C25D11/08 ,  C25D11/12 ,  C25D11/20 ,  C25D11/24 ,  C23F17/00

Abstract: 本发明公开一种高电阻率基底上多孔氧化铝模板的制备方法，主要采用两步阳极氧化法。该方法包括如下步骤：(1)高电阻率硅基片的清洗；(2)钛膜的制备；(3)铝膜的制备；(4)铝膜的退火；(5)对Al/Ti/Si薄膜的封装及电化学抛光；(6)一次阳极氧化；(7)氧化层的去除以及第二次阳极氧化；(8)通孔、扩孔处理。本发明采用特殊的封装技术在高电阻率基底上制备出较高的有序度，厚度、孔径可调的多孔氧化铝模板，该方法操作简单、成本低、能够实现高电阻率甚至非导电基底AAO的制备，为模板辅助制备纳米材料扩展了应用范围。

公开(公告)号：CN110277461A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910494240.4

申请日：2019-06-09

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 吴章婷 ,  洪锦涛 ,  张阳 ,  郑鹏 ,  郑梁

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开一种基于二硫化铼/二硒化钨(ReS2/WSe2)异质结的光电器件及制备方法，属于材料应用技术领域。本发明包括：P型硅衬底、二氧化硅绝缘层、单层ReS2和WSe2构成的异质结、漏极和源极；所述的源极、漏极、单层ReS2和WSe2均位于二氧化硅/硅(SiO2/Si)衬底上，其中Si为栅极。本发明还公开了一种简易地制备上述光电器件的方法。该光电探测器件实现了宽的势垒区和抑制了ReS2中的缺陷态对探测器的影响，提高了探测器的响应时间。