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公开(公告)号：CN112551575A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011595518.6
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种Bi12O17Cl12纳米粉体的制备方法，其包括以下步骤：将硝酸铋溶于乙二醇形成硝酸铋溶液，将氯化铵溶解于去离子水形成氯化铵溶液，将硝酸铋溶液溶于氯化铵溶液并置入高压反应釜中，将配置有反应物料的反应釜密闭，在100‑160℃进行热处理，后冷却至室温，移除上清液，调节pH值，搅拌使得固体产物析出，烘干，得到Bi12O17Cl12纳米粉体。本发明制备方法操作简单，采用了常用的原料试剂，成本低廉。通过这种简单水热法制备的Bi12O17Cl12纳米粉体厚度不大于20nm，因此可以有效地增大材料的比表面积。
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公开(公告)号：CN109468469B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201910040269.5
申请日：2019-01-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Inventor： 张怀伟
Abstract: 本发明涉及一种铜渣火法还原贫化的装置及方法，属于冶金工艺及设备技术领域，装置包括贫化电炉，气体发生装置，贫化电炉的顶部通过顶吹喷枪连接一混合仓，气体发生装置包括还原性气体装置和惰性气体装置，还原性气体装置和惰性气体装置的出气口均通过第一管道与混合仓的进气口连通，还原性气体与碳粉在混合仓内混合成所需配比的还原剂，在惰性气体的作用下，经顶吹喷枪送入贫化电炉，贫化电炉侧壁设有侧吹喷枪，惰性气体装置的出气口还通过第二管道连接侧吹喷枪，惰性气体将还原剂输送至熔融铜冶炼渣，能够实现碳还原剂的输送，有效的平衡各种还原剂的优缺点，工艺流程简单，适应性较强。
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公开(公告)号：CN109295314A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811300235.7
申请日：2018-11-02
Applicant: 杭州电子科技大学
Inventor： 张怀伟
Abstract: 本发明公开了一种铜冶炼炉渣连续贫化的装置及方法。本发明的铜渣贫化流程分为两部分，第一部分为熔渣缓冲过程，第二部分为熔渣流动贫化过程。将从铜熔炼炉出来的高温熔融铜渣直接导入缓冲装置，经再次升温和加热，使其具有良好的流动性；再引入到槽式贫化装置中；通过调节电场强度、进料温度和熔渣停留时间控制熔渣中铜及其它有用金属的含量。本发明具有缩短贫化时间，提高贫化效率，降低能耗等优点。
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公开(公告)号：CN112846222B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202011600757.6
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种花状Bi/Bi2WO6纳米材料的制备方法，包括以下步骤：1)称取硝酸铋溶于去离子水中，调节所形成的硝酸铋溶液浓度为：0.1～0.2mol/L；2)称取钨酸钠溶解于去离子水中，调节所形成的钨酸钠溶液浓度为：0.01～0.02mol/L；3)将步骤1)所得硝酸铋溶液倒入步骤2)所得钨酸钠溶液中，调节钨酸钠和硝酸铋的摩尔比为1:1～1:2，搅拌后转移到高压反应釜中，用去离子水调节使体积占高压反应釜容积的2/3～4/5；4)将配置有反应物料的高压反应釜密闭，在120～140℃下保温14～20小时进行热处理；后降至室温，过滤，用去离子水、无水乙醇清洗，60℃～80℃温度下烘干后，转移至铜管中；5)将铜管填充0.3～0.4mPa的氢气并封闭，并转移至管式炉中，在330℃～350℃下处理2～3小时后，降至室温，制得花状Bi/Bi2WO6纳米材料。
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公开(公告)号：CN112551575B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202011595518.6
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种Bi12O17Cl2纳米粉体的制备方法，其包括以下步骤：将硝酸铋溶于乙二醇形成硝酸铋溶液，将氯化铵溶解于去离子水形成氯化铵溶液，将硝酸铋溶液溶于氯化铵溶液并置入高压反应釜中，将配置有反应物料的反应釜密闭，在100‑160℃进行热处理，后冷却至室温，移除上清液，调节pH值，搅拌使得固体产物析出，烘干，得到Bi12O17Cl2纳米粉体。本发明制备方法操作简单，采用了常用的原料试剂，成本低廉。通过这种简单水热法制备的Bi12O17Cl2纳米粉体厚度不大于20nm，因此可以有效地增大材料的比表面积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112850649B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202011601059.8
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明铋氧溴纳米片的制备方法，包括：1)称取硝酸铋溶于乙二醇中，调节所形成的硝酸铋溶液浓度为：0.05～0.4mol/L；2)称取溴化铵溶解于去离子水中，调节所形成的溴化铵溶液浓度为：0.01～0.06mol/L；3)将步骤1)所得硝酸铋溶液倒入步骤2)所得的溴化铵溶液中，调节其中氯化铵和硝酸铋的摩尔比为2:1～3:1，搅拌后转移到高压反应釜中；4)将反应釜密闭，在100～160℃下进行热处理，后降至室温，倒出上清液，调节pH值，搅拌后转移到高压反应釜中；5)将反应釜密闭，在80～100℃下保温8～12小时进行热处理，后降至室温，过滤，依次用去离子水、无水乙醇清洗，60℃～80℃温度下烘干，得到铋氧溴纳米片。本发明工艺过程简单，易于控制，无环境污染，成本低，易于规模化生产。
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公开(公告)号：CN112875755A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202011604122.3
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钨酸铋纳米粉体的制备方法，其包括以下步骤：1)将硝酸铋溶于乙二醇中，形成硝酸铋溶液；2)将钨酸钠溶解于去离子水中，形成钨酸钠溶液；3)将步骤1)所得硝酸铋溶液倒入步骤2)所得钨酸钠溶液中，搅拌后转移到高压反应釜中；4)将配置有高压反应物料的反应釜密闭，进行热处理，后降至室温，过滤，依次用去离子水、无水乙醇清洗，烘干，得到钨酸铋纳米粉体。本发明工艺过程简单，易于控制，无环境污染，成本低，易于规模化生产。产品质量稳定，纯度高，粉体颗粒分散性好。
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公开(公告)号：CN112791720A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011621344.6
申请日：2020-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于新材料制备技术领域，具体涉及一种用于催化材料氧空位制备的装置，包括反应腔体、真空泵、惰性气体罐、还原性气体罐和气体预混室，真空泵、反应腔体、惰性气体罐和还原性气体罐分别通过阀门与气体预混室连通；通过调节阀门，以使真空泵对反应腔体抽真空，并通过惰性气体清洗反应腔体，通入还原气体进入反应腔体，以实现氧空位制造；本发明将真空热处理和氧空位可控制备集中一起，大大缩短了材料处理的时间和步骤，可以制备出不同晶体结构的具有丰富氧空位的纳米光催化剂。
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公开(公告)号：CN112678868A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011593060.0
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了Bi12O17Cl12/Bi2O2CO3复合纳米材料的制备方法：1)硝酸铋溶于乙二醇，溶液浓度为：0.1～0.2mol/L；2)取氯化铵溶解于去离子水，溶液浓度为：0.02～0.04mol/L；3)将硝酸铋溶液倒入氯化铵溶液，搅拌后转到高压反应釜，用去离子水调节使体积占反应釜容积的2/3～4/5；4)将反应釜密闭，在120～140℃下保温8～24小时；降至室温，移除上清液，加入盐酸、氢氧化钾调节pH，搅拌使得固体产物完全析出后，依次用去离子水、无水乙醇清洗，烘干，得到Bi12O17Cl12纳米粉体；5)将纳米粉体移入球磨罐，加入氧化锆球磨珠球、乙二醇使体积占反球磨罐容积2/3～3/4后进行球磨，将所得粉末依次用去离子水、无水乙醇清洗，烘干，得到复合纳米材料。
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公开(公告)号：CN109234695A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811359671.1
申请日：2018-11-15
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米金属间化合物储氢材料的制备方法。本发明的方法以高纯金属靶材作为溅射源，高纯氩气作为离子溅射气体进行多靶磁控反应共溅射，其特征在于，溅射过程中保证样品台以一定频率发生振动，溅射源金属离子发生合金化反应形成纳米颗粒沉积至样品台，得到纳米金属间化合物储氢材料，并通过样品台底部带有磁场的加热装置进行退火。本发明具有工艺简单，流程短，无污染，可控性强等优点。
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