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公开(公告)号：CN109942195B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201711389364.3
申请日：2017-12-20
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有高介电常数低介电损耗的玻璃陶瓷及其制备方法。该玻璃陶瓷的化学成分组成为：xBaO‑ySrO‑zPbO‑wTiO2‑vSiO2‑tNb2O5，其中的x、y、z、w、v、t表示各成分的摩尔比例，分别为：2.5≤x≤14，14≤y≤20，0≤z≤10，4≤w≤12，16≤v≤22，10≤t≤30。其制备方法是：将上述成分对应的原料按照所述摩尔比例进行配料、混料，在1450℃的高温下保温3个小时形成熔融的玻璃液，然后将玻璃液制成玻璃片，玻璃片经过可控结晶热处理，得到本发明的玻璃陶瓷。本发明的玻璃陶瓷具有高的介电常数、低的介电损耗，适合用作高压电容器介质。
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公开(公告)号：CN109704763B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201811620340.9
申请日：2018-12-28
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C04B35/499 , H01G4/12 , H01G4/30 , C03C6/00 , C04B41/88 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了属于无机非金属材料技术领域的一种低温烧结陶瓷介质材料的制备方法。将85.0～99.0wt.％原料A、1.0～15.0wt.％原料B混合球磨，经烘干、过筛、造粒、单轴加压、冷等静压、烧结后制得；原料A包括BaCO33.0～10.0wt.％、SiO25.0～10.0wt.％、Nb2O530.0‑50.0wt.％、PbSiO316.5～25.0wt.％、TiO23.2～8.5wt.％、SrCO315.0～30.0wt.％；原料B中各组分摩尔比为SiO2:B2O3:BaO:SrO＝4:5:10:1。本发明方法烧结温度低、工艺简单、成本低、易推广，具有较大的实用价值和应用前景。
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公开(公告)号：CN119510745A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202510090388.7
申请日：2025-01-21
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N33/53 , G01N33/68 , G01N33/577 , G01N21/3581 , G01N21/59 , G01N21/01
Abstract: 本申请涉及太赫兹超材料生物传感器技术领域，具体涉及一种明暗模态耦合的太赫兹全介质生物传感器及制备方法。本发明通过阳极键合‑光刻图形化‑刻蚀‑特异性抗体修饰得到全介质超材料生物传感器，该传感器包括介质层和衬底层，介质层由全介质超材料的开口环结构和棒状结构交替组成阵列，开口环结构的两端对称开口，且开口连线与棒状结构平行，棒状结构与左右两侧开口环结构的距离分别为u和v，且5μm≥|v‑u|≥1μm。本发明传感器的介质层中通过将棒状结构作为明模态，开口环结构作为暗模态，两套阵列相互作用，实现明暗模态耦合，使谐振峰劈裂，增大Q因子和灵敏度，使得传感器在太赫兹波段对于低浓度生物样品检测具有高灵敏度及低检测限效果，且方法稳定可靠。
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公开(公告)号：CN114525451A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210117653.2
申请日：2022-02-08
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/44 , C22C38/54 , C22C38/56 , C22C38/58 , C22C1/03 , C22C30/00 , C22C33/06
Abstract: 本发明提出一种屏蔽型非等原子比高熵合金钢及其制备方法，以铁为基体，以高含量的钨、硼元素作为抗射线、中子辐射功能组元，并添加能够提高材料综合结构性能的过渡金属元素(镍、铬、钼、锰)、小原子半径元素(硅、碳)以及稀土元素(钆、钇)。该材料兼具优异的射线、中子屏蔽性能以及较好的力学性能、耐腐蚀性能，可满足核用抗辐射功能‑结构一体化需求，可采用常规熔炼法制备，无需变形加工及热处理，制造工艺简单、成本低，适于批量化工业生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109868467B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201711265538.5
申请日：2017-12-04
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种铝合金表面抗辐射加固复合涂层的制备方法，包括以下步骤：(1)对基材铝合金表面进行预处理；(2)将预处理后的铝合金片固定至不锈钢球磨罐底部，将钨粉、铝粉或铝合金粉按配比混合后放入球磨罐中，不锈钢磨球与粉料重量比为5∶1，使用行星式球磨机在真空或氩气保护的环境中以转速为100转/分钟球磨1小时，再以转速为300转/分钟高能球磨5～20小时，即可得到的铝合金表面抗辐射加固复合涂层；(3)采用真空热压致密化处理的方法进行致密化；(4)经表面修整和机加工得到铝合金表面抗辐射加固复合涂层。采用本发明的方法制备的铝合金表面抗辐射加固复合涂层，具有致密度高、界面结合力强、屏蔽性能好的特点，具有较大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN112742870A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011475464.X
申请日：2020-12-14
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种屏蔽型镁钽多层复合板的制备方法，所述屏蔽型复合板包括钽或钽合金作为高Z金属相，镁或镁合金作为低Z金属相。本发明公开的镁/钽复合板制备方法包括以下步骤：(1)对钽板和镁板分别进行退火处理；(2)对退火后板材进行表面处理，去除表面的氧化层、杂质和油污；(3)将上一步骤得到的板材进行堆叠，随后放入包套中抽真空、封焊，制成板坯；(4)将组装好的板坯入炉加热保温，送入轧机进行轧制，空冷后去除包套，得到镁/钽双金属多层复合板。本发明通过轧制的方式将镁(镁合金)和钽(钽合金)两种材料进行整体复合，制备方法简单、成本低、易于工业化生产，可以替代传统的抗电子辐射屏蔽材料。
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公开(公告)号：CN112599271A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011475474.3
申请日：2020-12-14
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了属于空间辐射防护技术领域的一种抗高能电子辐射多层结构屏蔽材料及其制备方法。根据空间辐射环境对材料重量和屏蔽性能等强约束条件及要求，采用多层屏蔽的设计方法，设计的屏蔽材料主体层由高Z金属钽和低Z金属镁复合而成。当面密度为2g/cm2时，该层状复合屏蔽材料对3.5MeV电子的屏蔽性能大于80％。基于冶金学原理引入Ti、Cu、Al等金属过渡层，通过扩散焊连接技术实现了Mg、Ta互不相容金属的冶金结合。
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公开(公告)号：CN109868381B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201711265537.0
申请日：2017-12-04
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高体积分数钨颗粒增强铝基复合材料的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)将钨粉在双锥混料机中进行预处理，得到预处理钨粉；(2)将预处理钨粉与铝粉按配比混合，使用双锥混料机混合均匀，得到复合粉体；(3)将复合粉体进行冷等静压成型，冷等静压压力为50MPa～200MPa，保压时间为10min～40min，得到冷等静压坯锭；(4)将冷等静压坯锭装在铝包套中，使用热等静压烧结的方法成型，得到热等静压态钨颗粒增强铝基复合材料；(5)将得到的热等静压态钨颗粒增强铝基复合材料置于耐高压快速升温试验台中进行真空等温锻压热变形处理。采用本发明的方法制备的复合材料具有致密度高、增强相分布均匀、综合力学性能好等优点。
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公开(公告)号：CN109402477A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811591037.0
申请日：2018-12-20
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C22C27/04 , C22C29/00 , C22C29/08 , C22C32/00 , C22C29/14 , C22C1/05 , C22C1/04 , C22C1/10 , G21F1/08
Abstract: 本发明公开了属于复合屏蔽材料技术领域的一种屏蔽高剂量γ射线和热中子的铝基复合材料及制备方法。以质量百分比计，所述铝基复合材料包括75％～90％钨元素、0.5％～3％硼元素、余量的铝或铝合金；钨元素原料选自钨、碳化钨、氧化钨、硼化钨中的一种或多种；硼元素原料选自碳化硼和/或硼化钨；具体通过在惰性气体保护下混合原料粉末，然后经冷等静压、热等静压成型处理制得铝基复合材料；本发明提供的铝基复合材料致密度达到99％以上，具备良好的屏蔽性能、力学性能、耐热性能和加工性能，应用于核反应堆中对高剂量γ射线和热中子的屏蔽，特别适用于对核反应堆中高剂量γ射线泄漏区域的屏蔽。
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