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公开(公告)号:CN1199309C
公开(公告)日:2005-04-27
申请号:CN02123303.9
申请日:2002-06-14
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01M10/0565 , H01M4/0435 , H01M4/13 , H01M4/382 , H01M4/40 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M10/0585 , Y10T29/4911
Abstract: 一种锂蓄电池包括:正极;和负极,该负极还包含一种迭片结构,这种迭片结构包括:能够支撑锂离子的锂离子支撑层;以及和锂离子支撑层直接接触的无定形锂基层。
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公开(公告)号:CN1197182C
公开(公告)日:2005-04-13
申请号:CN02151408.9
申请日:2002-09-03
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01M4/02
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/131 , H01M4/366 , H01M4/38 , H01M4/386 , H01M4/387 , H01M4/40 , H01M4/405 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/052 , Y02E60/122
Abstract: 一种用于非水电介质二次电池的阳极,包括吸留和释放锂离子的活性材料膜,和用于抑制阳极上树枝状晶体生长和阳极降解的覆盖活性材料膜的无定形碳膜或类金刚石碳膜,从而延长了二次电池的循环寿命。
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公开(公告)号:CN1578847A
公开(公告)日:2005-02-09
申请号:CN02821406.4
申请日:2002-11-21
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01M4/0404 , C23C14/042 , C23C14/044 , C23C14/18 , C23C14/562 , H01M4/04 , H01M4/0409 , H01M4/0421
Abstract: 本发明的真空成膜装置使用于将来自蒸发源(6a、6b)的蒸发物质在柔性基板(1)的既定位置成膜的场合。在真空中使用辊(2a、2b、3a、3c)使柔性基板(1)行走的同时,通过开闭器(8a、8b)的开闭来控制经由遮蔽部件(9a、9b)的开口部的蒸发物质的移动。在柔性基板(1)上控制性高地形成具有既定形状图案的薄膜。由此提供将来自蒸发源(6a、6b)的蒸发物质在柔性基板(1)的既定位置成膜时使用的真空成膜装置。
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公开(公告)号:CN1414647A
公开(公告)日:2003-04-30
申请号:CN02151408.9
申请日:2002-09-03
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01M4/02
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/131 , H01M4/366 , H01M4/38 , H01M4/386 , H01M4/387 , H01M4/40 , H01M4/405 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/052 , Y02E60/122
Abstract: 一种用于非水电介质二次电池的阳极,包括吸留和释放锂离子的活性材料膜,和用于抑制阳极上树枝状晶体生长和阳极降解的覆盖活性材料膜的无定形碳膜或类金刚石碳膜,从而延长了二次电池的循环寿命。
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公开(公告)号:CN1392624A
公开(公告)日:2003-01-22
申请号:CN02123303.9
申请日:2002-06-14
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01M10/0565 , H01M4/0435 , H01M4/13 , H01M4/382 , H01M4/40 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M10/0585 , Y10T29/4911
Abstract: 一种锂蓄电池包括:正极;和负极,该负极还包含一种迭片结构,这种迭片结构包括:能够支撑锂离子的锂离子支撑层;以及和锂离子支撑层直接接触的无定形锂基层。
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公开(公告)号:CN1088259C
公开(公告)日:2002-07-24
申请号:CN96113450.X
申请日:1996-09-27
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor: 山本博规
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02301 , H01L21/31612 , Y10S438/906
Abstract: 一种半导体器件的制造方法,其中的半导体衬底上具有主表面和目的氧化膜。将该衬底在氧化气氛中热处理一预定时间以在主表面上形成临时氧化膜。接着将其放在还原气氛中以除去临时氧化膜而露出作为半导体衬底的露出表面。之后,在该露出表面上形成目的氧化物。加热处理最好在氧分压不大于5%的氧化气氛、温度不低于950℃下加热不少于40分钟。还原气氛主要含氢。上述各步骤可在同一炉子中进行。
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