公开(公告)号：CN115136516B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202080096761.5

申请日：2020-02-28

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 小木曾义弘 ,  田野边博正 ,  山中祥吾 ,  尾崎常祐 ,  石川光映

IPC: H04B10/40

Abstract: 就包括数字信号处理电路、以及光调制模块和光接收模块的光收发装置而言，采用了一种高速光收发装置，其中，将柔性基板用作所述光调制模块和所述光接收模块的高频接口，在数字信号处理电路的封装基板上设有将高频布线图案与所述柔性基板连接的机构，所述封装基板与所述光调制模块和所述光接收模块通过所述柔性基板连接。

公开(公告)号：CN114730980A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN201980102186.2

申请日：2019-11-13

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 田野边博正 ,  尾崎常祐

IPC: H01P1/04

Abstract: 根据本发明的高频线路结构(10)包括：高频线路基板(111)；接地引线引脚(122)，固定到设置在高频线路基板的底表面中的接地端；以及信号引线引脚(132)，固定到设置在高频线路基板的底表面中的信号线端，其中，信号引线引脚(132)设置在接地引线引脚(122)之间，信号引线引脚(132)具有以下结构：信号引线引脚(132)中的每一个从接地引线引脚(122)的底表面所属的水平面在朝向布置有高频线路基板的一侧的方向上弹起，并且在各个信号引线引脚(132)弹起的结构中弹起高度基本上相同。因此，本发明的高频线路结构(10)能够降低宽频带的串扰，并能够提供优异的高频特性。

公开(公告)号：CN114616513A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN201980101868.1

申请日：2019-10-29

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 田野边博正 ,  尾崎常祐

IPC: G02F1/015 ,  H01L23/38 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18 ,  H01L35/30 ,  H01L35/32

Abstract: 一种光模块(1)，包括：珀耳帖模块；光半导体元件(3)，安装在珀耳帖模块上；以及驱动器(4)，驱动光半导体元件(3)的高频线(37、38)。光半导体元件(3)包括：光回路(31至36)，提供光干涉仪的功能；以及高频线(37、38)。珀耳帖模块在驱动器(4)附近区域中的冷却性能比在其他区域中的冷却性能高。

公开(公告)号：CN114365033A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN201980100217.0

申请日：2019-09-13

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 小木曾义弘 ,  尾崎常祐 ,  桥诘泰彰 ,  石川光映 ,  布谷伸浩

IPC: G02F1/01

Abstract: 一种具有嵌套构造的MZ光波导的IQ光调制器，所述嵌套构造的MZ光波导具有I/Q两个信道光调制区域，其中，IQ光调制器的输入光波导的端部和输出光波导的端部位于所述IQ光调制器的芯片的同一端面，所述IQ光调制器具备嵌套构造的MZ光波导的第一光合波器与第二光合波器之间的光波导和输入光波导交叉的光交叉波导，第一光分波器设于所述I信道光调制区域与所述Q信道光调制区域之间，所述第一光分波器内的光传输方向与所述光调制区域内的光传输方向为相反方向。

公开(公告)号：CN107615140B

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201680031603.5

申请日：2016-06-01

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 小木曾义弘 ,  尾崎常祐 ,  柏尾典秀 ,  菊池顺裕 ,  神德正树

IPC: G02F1/025 ,  G02F1/225

Abstract: 本发明提供一种能作为超高速且电稳定性优异的调制器来使用的马赫‑策德尔型(MZ)半导体光调制元件。本发明的半导体光调制元件是通过对在光波导进行导波的光的折射率进行调制的折射率调制区域以及进行在该折射率调制区域分支的光的合分波的输入输出区域来进行光的调制的马赫‑策德尔型半导体光调制元件，其特征在于，所述光波导在折射率调制区域中，在与闪锌矿型半绝缘性的半导体晶体基板的(100)面等效的基板面上，从上层层叠有n型包层、i芯层以及p型包层，所述n型包层在倒置台面方向形成为脊状，在该n型包层上设有电容加载电极。

公开(公告)号：CN107710500B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201680036151.X

申请日：2016-06-24

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 菊池顺裕 ,  山田英一 ,  小木曾义弘 ,  尾崎常祐

IPC: H01P3/08 ,  G02F1/025 ,  H01P3/00

Abstract: 本发明提供一种具备抑制与光波导交叉的高频布线中的阻抗变化、电的过量损失发生的结构的高频线路。高频线路为微带线，其基本结构是在SI‑InP基板上依次层叠接地电极、电介质层、信号电极而成。另外，如横向剖视图所示，在横切高频线路的形态下，交叉着InP类半导体的光波导芯。沿着高频线路的传输方向，在包含光波导交叉的一定区域内，使信号电极的宽度局部扩大。在微带线中，信号电极的宽度的局部从w1扩大至w2，相比宽度为均匀的w1，使特性阻抗降低。

公开(公告)号：CN110573940A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201880026064.5

申请日：2018-04-17

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 尾崎常祐 ,  小木曾义弘 ,  柏尾典秀

IPC: G02F1/025 ,  G02F1/017

Abstract: 本发明的半导体MZM具备：第一信号电极和第二信号电极，分别与第一臂波导和第二臂波导并联地形成；多个第一相位调制电极和第二相位调制电极，从第一信号电极和第二信号电极分支，分别沿第一信号电极和第二信号电极离散地设于第一臂波导和第二臂波导上；第一接地电极和第二接地电极，沿第一信号电极和第二信号电极并联地形成；以及多个连接配线，在多个点之间连接第一接地电极和第二接地电极，第一信号电极和第二信号电极被输入/输出差分信号，相邻的所述多个连接配线以在第一信号电极和第二信号电极中传输的信号的波长的1/4以下的间隔进行设置。