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公开(公告)号：CN114867810A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202080089720.3
申请日：2020-12-15
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09J201/00 , C09J11/08 , C09J183/04 , C09J183/05 , C09J183/07 , H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及一种粘接剂组合物，其包含粘接剂成分(S)；以及剥离成分(H)，由复数粘度为3400(Pa·s)以上的聚有机硅氧烷构成。
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公开(公告)号：CN114730709A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080079477.7
申请日：2020-11-16
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 一种清洗剂组合物，其特征在于，所述清洗剂组合物用于去除粘接剂残留物，所述清洗剂组合物含有季铵盐和溶剂，所述溶剂含有第一有机溶剂和第二有机溶剂，所述第一有机溶剂是式(Z)所示的酰胺衍生物，所述第二有机溶剂是与所述酰胺衍生物不同的其他有机溶剂，所述清洗剂组合物的含水量小于4.0质量％。(式中，R0表示乙基、丙基或异丙基，RA和RB相互独立地表示碳原子数1～4的烷基。)。
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公开(公告)号：CN109417026A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780038781.5
申请日：2017-06-13
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J5/06 , C09J11/06 , C09J183/04 , C09J183/05
Abstract: 本发明的课题是提供在晶片的背面研磨后可以容易地剥离，耐热性、洗涤除去性容易的粘接剂。解决手段是一种粘接剂，是用于在支持体与晶片的电路面之间可剥离地粘接从而对晶片的背面进行加工的粘接剂，通过从支持体侧或晶片侧进行加热而该粘接剂固化，从而能够选择粘接层的剥离时的剥离面。上述粘接剂包含：通过氢化硅烷化反应而固化的成分(A)、和包含聚二甲基硅氧烷的成分(B)。成分(B)为具有1100mm2/s～2000000mm2/s的粘度的聚二甲基硅氧烷。一种叠层体的形成方法，将在第一基体的表面涂布粘接剂而成的粘接层与第二基体的表面接合，从第一基体侧进行加热。一种剥离方法，将在第一基体的表面涂布粘接剂而成的粘接层与第二基体的表面接合，从第一基体侧进行加热从而固化而形成叠层体，然后对叠层体进行加工，在第一基体与粘接层之间发生剥离。
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公开(公告)号：CN111316401B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN201880069448.5
申请日：2018-10-30
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , B32B7/023 , B32B7/06 , B32B27/00 , H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 本发明是在支持体与被加工物之间具有以能够剥离的方式粘接的中间层、用于通过切断等分离被加工物、或是用于进行晶片的背面研磨等加工的层叠体，该中间层至少含有与支持体侧接触的剥离层，剥离层含有能够吸收隔着支持体照射的190nm～600nm的光而改性的酚醛清漆树脂，本发明提供可以不进行机械加工就可以进行分离的材料和方法。本发明是支持体与晶片的电路面之间具有以能够剥离的方式粘接的中间层的用于晶片背面研磨的层叠体，该中间层含有与晶片一侧接触的粘接层和与支持体侧接触的剥离层，剥离层能够吸收隔着支持体照射的190nm～600nm的光而改性的酚醛清漆树脂。剥离层的透光率在190nm～600nm的范围为1～90％。光吸收改性是酚醛清漆树脂的光分解。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110870049B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN201880045131.8
申请日：2018-07-05
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J183/04 , C09J183/07 , C09J201/02 , H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 提供对晶片的电路面、支持体的旋转涂布性优异，与粘接层的接合时、晶片背面的加工时的耐热性优异，晶片背面的研磨后容易剥离，剥离后附着于晶片、支持体的粘接剂容易除去的临时粘接剂及其叠层体、使用了其的加工方法。是用于在支持体与晶片的电路面之间能够剥离地粘接，并对晶片的背面进行加工的粘接剂，其特征在于，粘接剂包含：通过氢化硅烷化反应而固化的成分(A)、和包含含有苯基的聚有机硅氧烷的成分(B)，成分(A)与成分(B)以质量％计为95：5～30：70的比例。在第一基体上涂布该粘接剂而形成粘接层，然后将第二基体接合，从第一基体侧加热使粘接剂固化。如果结束该叠层体的加工，则在第一基体、第二基体与粘接层之间进行剥离。
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公开(公告)号：CN115362246A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202180026155.0
申请日：2021-03-30
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C11D1/62 , C11D3/20 , C11D3/43 , H01L21/304
Abstract: 一种清洗剂组合物，其特征在于，用于去除粘接剂残留物，该清洗剂组合物包含季铵盐、金属腐蚀抑制剂以及有机溶剂，上述金属腐蚀抑制剂由碳原子数7～40的脂肪族饱和烃化合物单羧酸、碳原子数7～40的脂肪族饱和烃化合物二羧酸或其酸酐、碳原子数7～40的脂肪族不饱和烃化合物单羧酸、或碳原子数7～40的脂肪族不饱和烃化合物二羧酸或其酸酐构成。
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公开(公告)号：CN115335970A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202180024051.6
申请日：2021-03-22
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物剥离半导体基板上的粘接层的工序，上述剥离用组合物包含溶剂且不含盐，上述溶剂包含80质量％以上的式(L)所表示的有机溶剂。(式中，L1和L2分别独立地表示碳原子数1～6的烷基，L1的烷基的碳原子数与L2的烷基的碳原子数的合计为6以下。)
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公开(公告)号：CN115335969A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202180024022.X
申请日：2021-03-22
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/50
Abstract: 本发明提供一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物来剥离半导体基板上的粘接层的工序，其特征在于，上述剥离用组合物包含溶剂，不包含盐，上述溶剂包含选自分子量小于160的、脂肪族烃化合物、芳香族烃化合物、醚化合物、硫醚化合物、酯化合物以及胺化合物中的一种或两种以上，上述粘接层上的上述剥离用组合物的接触角小于31.5度。
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公开(公告)号：CN113439324A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202080014654.3
申请日：2020-02-14
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/32 , C11D7/50
Abstract: 本发明提供一种清洗剂组合物，其用于去除残留于基体上的聚硅氧烷系粘接剂，所述清洗剂组合物包含氟化四(烃)铵和有机溶剂，上述有机溶剂包含式(1)所示的内酰胺化合物和含环状结构的醚化合物，所述含环状结构的醚化合物包含选自环状醚化合物、环状烷基链状烷基醚化合物、环状烷基支链状烷基醚化合物以及二(环状烷基)醚化合物中的至少一种。(式中，R101表示碳原子数1～6的烷基，R102表示碳原子数1～6的亚烷基。)
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