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    触摸传感器
    21.
    发明公开
    触摸传感器 有权

    公开(公告)号：CN106133661A

    公开(公告)日：2016-11-16

    申请号：CN201580015808.X

    申请日：2015-03-31

    Applicant: 日东电工株式会社

    Inventor： 竹安智宏 ,  川本育郎

    IPC: G06F3/041 ,  B32B15/08 ,  G02B5/30 ,  G06F3/044

    CPC classification number: G06F3/044 ,  B32B15/08 ,  B32B2457/208 ,  G02B5/3033 ,  G06F3/041 ,  G06F2203/04103

    Abstract: 本发明提供一种生产率优异、并且不产生金属配线的断线而可实现较高的可靠性、且金属配线层难以看到的使用感良好的触摸传感器。本发明的触摸传感器具有：在两侧的表面(11a)、(11b)分别具有多个突起的膜基材(11)；在该膜基材的一侧的表面(11a)上形成的金属配线层(12)；在膜基材(11)的可视侧(A)形成的圆偏振光膜(14)；以及在膜基材(11)的另一侧的表面(11b)上形成的金属配线层(15)。金属配线层(12)的线宽度超过5μm且是8μm以下，金属配线层(12)的厚度是0.1μm以上且小于0.5μm。

    透明导电性膜
    22.
    发明授权
    透明导电性膜 有权

    公开(公告)号：CN103839607B

    公开(公告)日：2016-06-22

    申请号：CN201310597960.6

    申请日：2013-11-22

    Applicant: 日东电工株式会社

    Inventor： 竹安智宏 ,  山本祐辅 ,  金谷实 ,  佐佐和明

    IPC: H01B5/14 ,  H01B1/08 ,  G06F3/044

    CPC classification number: G06F3/044 ,  H01B1/08 ,  Y10T428/265

    Abstract: 提供结晶性优良，比电阻小的透明导电性膜。本发明的透明导电性膜（1），包含：膜基材（2）、和在该膜基材上形成的铟锡氧化物的多晶层（3）。多晶层（3），在厚度方向具有氧化锡的浓度梯度，多晶层（3）的厚度方向的氧化锡浓度的最大值为6重量%～12重量%。此外，多晶层（3）的总厚度为10nm～35nm，构成多晶层（3）的晶粒的最大尺寸的平均值为380nm～730nm。

    导电性膜
    23.
    发明公开
    导电性膜 审中-公开

    公开(公告)号：CN119451815A

    公开(公告)日：2025-02-14

    申请号：CN202380050036.8

    申请日：2023-05-12

    Applicant: 日东电工株式会社

    Inventor： 竹下翔也 ,  曾根大希 ,  竹安智宏

    IPC: B32B15/04 ,  B32B9/00 ,  B32B15/20 ,  H05K1/03

    Abstract: 导电性膜(1)具备：有机树脂基材(2)；无机层(3)，配置于有机树脂基材(2)的厚度方向一侧；以及铜层(4)，直接配置于无机层(3)的厚度方向一面，在无机层(3)附近的铜层(4)中，通过能量色散型X射线分析(EDX)测定的O相对于Cu、O以及来自无机层(3)的无机元素的总和的元素浓度为1.4原子％以上且15原子％以下。

    导电性膜
    24.
    发明公开
    导电性膜 审中-公开

    公开(公告)号：CN119451814A

    公开(公告)日：2025-02-14

    申请号：CN202380050035.3

    申请日：2023-05-12

    Applicant: 日东电工株式会社

    Inventor： 竹下翔也 ,  曾根大希 ,  竹安智宏

    IPC: B32B15/04 ,  B32B9/00 ,  B32B15/20

    Abstract: 导电性膜(1)具备：有机树脂基材(2)；无机层(3)，配置于有机树脂基材(2)的厚度方向一侧；以及铜层(4)，直接配置于无机层(3)的厚度方向一面，铜层(4)具有边界附近区域(4A)和边界分离区域(4B)，边界附近区域(4A)包括铜层(4)与无机层(3)的边界，边界分离区域(4B)配置于边界附近区域(4A)的厚度方向一面，在透射型电子显微镜观察下，铜层(4)的剖面处的边界附近区域(4A)和边界分离区域(4B)在对比度上存在差异。

    透明导电性薄膜
    25.
    发明公开
    透明导电性薄膜 审中-公开

    公开(公告)号：CN118737526A

    公开(公告)日：2024-10-01

    申请号：CN202410362871.1

    申请日：2024-03-28

    Applicant: 日东电工株式会社

    Inventor： 田边凌祐 ,  竹安智宏 ,  藤野望 ,  鸦田泰介

    IPC: H01B5/14

    Abstract: 一种透明导电性薄膜。本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(H)依次具备透明基材(10)和透明导电层(20)。透明导电层(20)从透明基材(10)侧起依次具有第一非晶质层(21)、结晶质层(22)和第二非晶质层(23)。第一非晶质层与第二非晶质层的总厚度相对于透明导电层(20)的厚度的比例为40％以上。

    带铜层的薄膜
    27.
    发明公开
    带铜层的薄膜 审中-公开

    公开(公告)号：CN118147599A

    公开(公告)日：2024-06-07

    申请号：CN202311650032.1

    申请日：2023-12-05

    Applicant: 日东电工株式会社

    Inventor： 竹下翔也 ,  竹安智宏

    IPC: C23C14/56 ,  C23C14/35 ,  C23C14/20 ,  C23C14/58

    Abstract: 本发明提供带铜层的薄膜。提供效率良好地制造带铜层的薄膜并且适于抑制其铜层表面变色的带铜层的薄膜的制造方法。本发明的带铜层的薄膜的制造方法为一边通过卷对卷方式输送工件薄膜一边制造带铜层的薄膜X的方法，所述方法包括成膜工序(S2)、加热工序(S3)和卷取工序(S4)。成膜工序(S2)中，在工件薄膜上成膜铜层。在加热工序(S3)中，通过加热温度50℃以上的加热处理将铜层的表面氧化。在卷取工序(S4)中，在加热工序后卷取工件薄膜。在成膜工序(S2)、加热工序(S3)及卷取工序(S4)中，在真空下输送工件薄膜。

    天线薄膜
    28.
    发明公开
    天线薄膜 审中-实审

    公开(公告)号：CN117044036A

    公开(公告)日：2023-11-10

    申请号：CN202180096024.X

    申请日：2021-12-28

    Applicant: 日东电工株式会社

    Inventor： 永冈直树 ,  竹安智宏

    IPC: H01Q1/38

    Abstract: 天线薄膜在与厚度方向正交的面方向上具有X方向以及与前述X方向正交的Y方向。天线薄膜朝向厚度方向的一侧依次具备支撑层以及金属层。支撑层朝向厚度方向的一侧依次具备N个基材。在第i个基材中，天线薄膜的X方向的规定频率下的介电常数εiX、以及天线薄膜的Y方向的规定频率下的介电常数εiY满足规定的关系。此外，各基材的X方向的介电常数的总和与各基材的Y方向的介电常数的总和之差的绝对值满足规定的关系。

    导电性薄膜的制造方法
    29.
    发明授权
    导电性薄膜的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN111210944B

    公开(公告)日：2023-07-25

    申请号：CN201911147533.1

    申请日：2019-11-21

    Applicant: 日东电工株式会社

    Inventor： 竹安智宏 ,  鹰尾宽行 ,  西岛仁志

    IPC: H01B13/00 ,  H01B5/14

    Abstract: 本发明提供导电性薄膜的制造方法，提供使用载体薄膜制作带金属层的导电性薄膜时，制造金属层的图案化精度良好的导电性薄膜的方法。导电性薄膜(1)的制造方法具备下述工序：准备层叠体(2)的准备工序，所述层叠体(2)具备：依次具备透明基材(5)、第1透明导电层(7)及第1金属层(8)的中间薄膜(3)、和配置于中间薄膜(3)的载体薄膜(4)；及去除工序，对第1金属层(8)实施干洗处理而去除源自载体薄膜(4)的成分。

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