-
公开(公告)号：CN104094142A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201380008115.9
申请日：2013-07-24
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G02B5/3083 , B29C55/08 , B29D11/00634 , B29D11/00951 , B29K2029/14 , B29K2067/003 , B29K2069/00
Abstract: 本发明提供拉伸性优异且可实现高取向性的相位差膜的制造方法。本发明的相位差膜的制造方法是一边将长条状的树脂膜(31)在长度方向上搬送一边使其在宽度方向上拉伸，而获得满足0.70＜Re(450)/Re(550)＜0.97的关系的相位差膜(30)的制造方法，该方法包括下述工序：预热工序，其将树脂膜(31)加热至温度T1；预拉伸工序，其在预热后使树脂膜(31)一边冷却至温度T2一边进行拉伸；以及主体拉伸工序。
-
公开(公告)号：CN101876721B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201010158607.4
申请日：2010-04-07
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G02B5/30 , G02B1/10 , G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133528 , G02B5/3083 , G02F1/133634 , G02F2413/02 , G02F2413/12
Abstract: 一种偏振片、液晶面板及液晶显示装置。本发明提供一种偏振片，其特征在于，其包含透明保护薄膜(11)、起偏器(12)及光学补偿层(13)，透明保护薄膜(11)、起偏器(12)及光学补偿层(13)被依次层叠，光学补偿层(13)包含相位差薄膜，所述相位差薄膜含有从由降冰片烯系树脂、纤维素系树脂、聚乙烯醇缩醛系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚酯系树脂以及聚碳酸酯系树脂而成的组选择的至少一种树脂，光学补偿层(13)显示出以下述式(I)表示的光学特性，并且所述偏振片的含水率为2.8质量％以下，nx＞ny＞nz (I)。
-
公开(公告)号：CN101889222A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200880119193.5
申请日：2008-10-21
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G02B5/30 , G02F1/1335 , G02F1/13363
CPC classification number: G02B5/3033 , G02B1/105 , G02B1/14 , G02F1/133528
Abstract: 本发明提供一种甚至连微少的亮度不均的产生都可以防止的偏振片。本发明的偏振片是依次层叠有透明保护薄膜(11)、起偏器(12)及光学补偿层(13)且所述透明保护薄膜(11)的透湿度与所述光学补偿层(13)的透湿度不同的偏振片(10)，其特征在于，所述光学补偿层(13)是含有降冰片烯系树脂、聚乙烯醇缩醛系树脂、聚酯系树脂、聚丙烯系树脂、聚碳酸酯系树脂及丙烯酸系树脂中的至少一种树脂的相位差薄膜，所述偏振片(10)的含水率为3％以下。
-
公开(公告)号：CN1288749C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200410003264.9
申请日：2004-02-03
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L23/29
CPC classification number: C08G18/797 , H01L24/73 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 用于光半导体元件的封装的树脂，它包括具有特定结构的聚碳化二亚胺；包括用该树脂封装的光半导体元件的一种光半导体设备；和生产光半导体设备的方法，它包括将树脂放置在光半导体元件上和加热该树脂的两个步骤。该树脂能够使光半导体元件保持高亮度，当它是发光元件时，和保持高的光检测敏感性，当它是光检测器时，并能够使光半导体元件容易地封装。
-
公开(公告)号：CN1519921A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200410003264.9
申请日：2004-02-03
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L23/29
CPC classification number: C08G18/797 , H01L24/73 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 该树脂封装的光学半导体元件的一种光学半导体设备；和生产光学半导体设备的方法，用于光学半导体元件的封装的树脂，它包括具有特定结构的聚碳化二亚胺；包括用它包括将树脂放置在光学半导体元件上和加热该树脂的两个步骤。该树脂能够使光学半导体元件保持高亮度，当它是发光元件时，和保持高的光检测敏感性，当它是光检测器时，并能够使光学半导体元件容易地封装。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107108944B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201580071036.1
申请日：2015-12-25
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供例如可以在抑制龟裂产生的同时形成空隙率高的多孔结构、且也兼具强度的有机硅多孔体。本发明的有机硅多孔体的特征在于，含有硅化合物的微细孔粒子，且上述硅化合物的微细孔粒子彼此介由催化作用而进行了化学键合。本发明的有机硅多孔体的例如通过Bemcot(注册商标)得到的耐擦伤性为60～100％，通过MIT试验得到的耐折次数为100次以上。上述有机硅多孔体例如可以通过下述制造：使用含有凝胶状硅化合物的粉碎物的溶胶形成上述有机硅多孔体的前体，并使上述有机硅多孔体的前体中所含的上述粉碎物彼此进行化学键合。上述粉碎物彼此的化学键合例如优选为上述粉碎物彼此的化学交联键合。
-
公开(公告)号：CN107108943B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201580071018.3
申请日：2015-12-25
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供例如可以在抑制龟裂产生的同时形成空隙率高的多孔结构、且也兼具强度的空隙结构膜。本发明的空隙结构膜的特征在于，形成微细的空隙结构的一种或多种构成单元彼此介由催化作用而进行了化学键合。本发明的空隙结构膜例如通过Bemcot(注册商标)得到的耐擦伤性为60～100％，通过MIT试验得到的耐折次数为100次以上。上述空隙结构膜例如可以通过下述制造：使用含有凝胶状硅化合物的粉碎物的溶胶形成上述有机硅多孔体的前体，并使上述有机硅多孔体的前体中所含的上述粉碎物彼此进行化学键合。上述粉碎物彼此的化学键合例如优选为上述粉碎物彼此的化学交联键合。
-
公开(公告)号：CN105487141B
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201610048366.5
申请日：2013-06-18
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种视角特性优异且抑制显示特性的变化的偏振板。本发明的偏振板用于有机EL面板，具备偏振片(10)、第一相位差层(30)、及第二相位差层(40)。第一相位差层(30)显示出nx＞ny≥nz的折射率特性，满足Re(450)＜Re(550)的关系，其吸水率为3％以下。第二相位差层(40)显示出nz＞nx≥ny的折射率特性。第一相位差层(30)与第二相位差层(40)的层叠体的Re(550)为120nm～160nm，Rth(550)为40nm～100nm。
-
公开(公告)号：CN104094142B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201380008115.9
申请日：2013-07-24
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G02B5/3083 , B29C55/08 , B29D11/00634 , B29D11/00951 , B29K2029/14 , B29K2067/003 , B29K2069/00
Abstract: 本发明提供拉伸性优异且可实现高取向性的相位差膜的制造方法。本发明的相位差膜的制造方法是一边将长条状的树脂膜(31)在长度方向上搬送一边使其在宽度方向上拉伸，而获得满足0.70＜Re(450)/Re(550)＜0.97的关系的相位差膜(30)的制造方法，该方法包括下述工序：预热工序，其将树脂膜(31)加热至温度T1；预拉伸工序，其在预热后使树脂膜(31)一边冷却至温度T2一边进行拉伸；以及主体拉伸工序。
-
公开(公告)号：CN105487141A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201610048366.5
申请日：2013-06-18
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种视角特性优异且抑制显示特性的变化的偏振板。本发明的偏振板用于有机EL面板，具备偏振片(10)、第一相位差层(30)、及第二相位差层(40)。第一相位差层(30)显示出nx＞ny≥nz的折射率特性，满足Re(450)＜Re(550)的关系，其吸水率为3％以下。第二相位差层(40)显示出nz＞nx≥ny的折射率特性。第一相位差层(30)与第二相位差层(40)的层叠体的Re(550)为120nm～160nm，Rth(550)为40nm～100nm。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
35
records
(took 0.066 seconds)
