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公开(公告)号：CN1985456A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200580021115.8
申请日：2005-06-08
Applicant: 新泻精密株式会社
IPC: H04H5/00
CPC classification number: H04B1/1646 , H04H40/63
Abstract: 本发明可不使动态范围变窄地对分离电平进行调整。在输入混合信号的MOS晶体管Q5和输入基准电压的MOS晶体管Q6的源极之间并联连接有被串联连接的电阻R1与开关元件SW1、R2与SW2、R3与SW3......。在直流工作中，电阻R1～R5不影响MOS晶体管Q5的输出电压，在交流工作时，改变并联连接的电阻R1～R5的值，由此，可对分离电平进行调整。
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公开(公告)号：CN1973432A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200580017977.3
申请日：2005-05-25
Applicant: 新泻精密株式会社
Abstract: 为了提供一种能够不受制造时电阻器、电容器等电路元件变化的影响抑制镜像信号的镜像抑制电路，本发明的镜像抑制电路包括第一混频器单元(2)，用于将由接收机装置所接收的信号与由本地振荡器(1)所产生的第一本地振荡信号混频；第二混频器单元(3)，用于将所接收的信号与第二本地振荡信号混频，所述第二本地振荡信号通过将由本地振荡器(1)产生的本地振荡信号移动90°来获得；多相滤波器电路(4)，它包括电容器(C1)和开关电容器；以及合成输出单元(5)，用于合成输出从多相滤波器电路(4)输出的IF信 号。
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公开(公告)号：CN1311625C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN02801151.1
申请日：2002-02-21
Applicant: 新泻精密株式会社
Inventor： 宫城弘
IPC: H03F3/195
CPC classification number: H03F3/45645 , H03F3/16 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F2200/168 , H03F2200/54 , H03F2203/45051 , H03F2203/45458 , H03F2203/45526 , H03F2203/45631 , H03F2203/45652
Abstract: 本发明的目的在于提供可获得高增益的FET频带放大器。AM接收机包含的FET频带放大器5由例如5级的放大器11～15和其间插入的BPF16构成。放大器11～15分别采用p沟道FET作为放大元件并作为差动放大器动作。BPF16使比整个FET频带放大器的放大频带宽的频带分量通过。通过除去由3级的放大器11～13放大的信号的低通分量，可以降低1/f噪声，通过除去高通分量可以降低热噪声。从而，BPF16的后级连接的放大器14、15不会因噪声分量引起饱和。
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公开(公告)号：CN1883112A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200480033735.9
申请日：2004-11-11
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 新泻精密株式会社
IPC: H03G3/10
CPC classification number: H03G1/007 , H03G1/0029
Abstract: 本发明的课题是提供可在低电源电压下使用，且电路内部发生的噪声较少的可变增益放大电路。在构成差动放大电路的2个MOS晶体管的源极间连接第三MOS晶体管，第三MOS晶体管的栅极上，被供给使第三MOS晶体管在非饱和区域工作的直流偏压。若AM可变增益放大电路的输出电压增加，则提供使第三MOS晶体管的源极/漏极间电阻变小的控制电压，AM中频可变增益放大电路的增益变小。
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公开(公告)号：CN1806331A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200480016261.7
申请日：2004-06-11
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 新泻精密株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L27/092 , H03H19/00 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66787 , H01L21/823807 , H01L21/82385 , H01L27/092
Abstract: 在硅衬底上形成高度为HB、宽度为WB的矩形平行六面体突出部分(21)，并且在该突出部分(21)的上壁表面及侧壁表面部分上形成栅极氧化膜，以形成MOS晶体管。上述准备的P沟道和n沟道MOS晶体管并联，以配置开关电容电路的开关。以这种方式，开关电容电路可表现出更小的漏泄电流和更小的DC偏置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1795613A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200480014048.2
申请日：2004-07-12
Applicant: 新泻精密株式会社
CPC classification number: H03J5/242 , H03J5/0245 , H03J2200/10 , H03L7/07 , H03L7/181
Abstract: 通过设置将从基准振荡器(12)所输出的基准振荡信号频率，施行倍频的2倍频电路(21，22)，便可将以晶体振荡器(11)频率fx＝75KHz变为4倍的频率(300KHz)，与经对AM无线电播放平均1频道所分配频率，乘以规定分频比的频率(54KHz)间的最大公约数，为基准振荡信号的频率，变为较大于以往状况，由此便可减小可程序计数器(17)的分频比，达缩小电路规模、锁相时间缩短化、及提升S/N比的效果。
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公开(公告)号：CN1236553C
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN02801150.3
申请日：2002-02-21
Applicant: 新泻精密株式会社
Inventor： 宫城弘
CPC classification number: H03F3/45645 , H03F3/16 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F2200/168 , H03F2200/54 , H03F2203/45051 , H03F2203/45458 , H03F2203/45526 , H03F2203/45631 , H03F2203/45652
Abstract: 本发明的目的是提供可以降低增益控制时的残留噪声的FET带通放大器。在AM(调幅)收信机中所含的FET频带放大器(5)设有如图示的5级放大器(11-15)和插入在它们中间的BPF(带通滤波器)(16)以及AGC(自动增益控制)电路(8)。BPF(16)在通过比FET带通放大器全部放大频带更宽的频带成分的同时，通过除去从第3级放大器输出的信号中的低频成分来降低1/f噪声，通过除去高频成分来降低热噪声。因而，从末级放大器(15)输出的信号中所含的增益控制时的残留噪声就得到了降低。
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公开(公告)号：CN1705095A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200510074287.3
申请日：2005-06-02
Applicant: 新泻精密株式会社
CPC classification number: G01R31/2893
Abstract: 本发明提供一种半导体检查装置，其设有结构非常简单的被检查部件托盘(10)，该被检查部件托盘(10)其表面具有容纳多个被检查部件的多条槽部(1)，在各个槽部(1)中，具有用于与容纳的被检查部件的电极电连接的导体形成到里面为止的接触部，以在被检查部件托盘(10)中容纳多个被检查部件的形式将其保持在检查装置的托盘把持器中，通过使多个探针一次接触到被检查部件托盘(10)所具有的多个接触部，就能够同时对多个被检查部件进行电检查。
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公开(公告)号：CN1666413A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN03815895.7
申请日：2003-06-27
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 新泻精密株式会社
Inventor： 宫城弘
CPC classification number: H03G3/3052 , H03F2203/45408 , H03G1/0029 , H03G1/007
Abstract: 提供在RF接收器中的AGC电路具有对高频接收信号进行检测并输出包括脉动分量的检测信号的检测电路，并且根据检测输出在RF放大电路上实现增益控制。在检测电路之后紧接有放大器(DC放大器)，对其进行设置以便降低其高频属性或者将降低高频属性的单元连接于放大器。根据这种结构，与检测输出相叠加的脉动分量被尽可能地去除。
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公开(公告)号：CN1666410A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN03815845.0
申请日：2003-06-27
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 新泻精密株式会社
Inventor： 宫城弘
IPC: H03F3/19
CPC classification number: H03G1/007 , H03F1/223 , H03F3/193 , H03F2200/306
Abstract: 由共源共栅串联的P沟道MOSFET4和5构成放大AM广播信号的RF放大电路21。通过共源共栅串联减小P沟道MOSFET4的源－栅间的反馈电容，使之稳定地工作。另外，通过用P沟道MOSFET构成AM广播信号的放大电路降低闪烁噪声，且可采用与CMOS数字电路相同的CMOS工艺制造。
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