公开(公告)号：CN208335046U

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201821092691.2

申请日：2018-07-10

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 石跃 ,  李颂 ,  凌味未 ,  陈功 ,  姚尧 ,  周泽坤

IPC: G05F1/567

Abstract: 一种平滑温度补偿带隙基准源电路，属于模拟集成电路技术领域。包括启动模块、偏置模块、高阶补偿模块和带隙基准核心模块，启动模块用于在电路初始化阶段使带隙基准源电路脱离零状态，并在带隙基准源电路正常工作后关断；偏置模块用于为高阶补偿模块和带隙基准核心模块产生第一偏置电压和第二偏置电压；带隙基准核心模块用来产生基准电压，高阶补偿模块用于产生高阶的补偿电流来提高基准电压的温度特性。本实用新型提出的带隙基准源在整个温度范围内实现了连续温度补偿，减小了基准电压在整个温度范围的温度漂移，实现了在整个温度范围的高阶补偿，从而使得基准电压在很宽的温度范围内具有高精度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN208224883U

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201820788355.5

申请日：2018-05-25

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 石跃 ,  余洪名 ,  王川东 ,  赵杰林 ,  凌味未 ,  陈功 ,  姚尧 ,  周泽坤

IPC: G05F1/567

Abstract: 一种提升电源抑制比的带隙基准源，属于模拟电路技术领域。带隙基准核心模块包括一个预稳压电路结构，该预稳压电路结构包括两条支路，分别是第五PMOS管和第二NMOS管，以及第六PMOS管和第三NMOS管，由于反馈的作用，这两条支路均是低阻抗支路，因此从供电电压到P点具有较高的电源抑制比，从而实现了整个带隙基准核心电路电源抑制比的提升；启动电路模块用于在电路刚开始启动时拉低带隙基准核心模块中第一PMOS管和第四PMOS管的栅极电位，同时控制电流流过第一双极型晶体管、第二双极型晶体管和第三双极型晶体管的基极，启动完成后退出。本实用新型与传统的带隙基准相比能够实现基准源电源抑制比的提升，同时与传统的预稳压技术相比功耗更低。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN208298053U

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201821092761.4

申请日：2018-07-10

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 石跃 ,  李颂 ,  凌味未 ,  陈功 ,  姚尧 ,  周泽坤

IPC: G05F1/56

Abstract: 一种适用于带隙基准源的无过冲软启动电路，属于集成电路技术领域。本实用新型提出的软启动电路的启动过程分为两个阶段：自启动阶段和稳定阶段，自启动阶段中软启动电路的输出电流随着电源电压的增加逐渐增大；稳定阶段中软启动电路的输出电流根据反馈回路进行调整，使得软启动电路的输出电流逐渐增大，不会发生瞬变，最终达到设定的电流值，实现了平稳无过冲的软启动切换。本实用新型产生的输出电流实现了平稳无过冲的电流切换，有效规避了输出电流过冲的问题，实现了无过冲的软启动的目的；另外由于采用共源共栅电流镜结构减小了对电源电压的依赖，提升了软启动电路的共源抑制比；能够使得基准电压迅速建立，保证了带隙基准源电路的稳定性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利