导电性氮化硅复合烧结体及其制备方法

    公开(公告)号:CN1435395A

    公开(公告)日:2003-08-13

    申请号:CN02124784.6

    申请日:2002-06-25

    Inventor: 吉村雅司

    CPC classification number: C04B35/591

    Abstract: 通过研磨/混合氮化硅粉末和金属粉末,直到氮化硅粉末的平均粒径介于30-60nm,随后通过模制和烧结得到一种平均粒径为200nm或更低和在电火花加工之后其相对粗糙度(Ra)为0.6μm或更低的导电性氮化硅复合烧结体。在具有本发明特征的结构下,可能得到导电性氮化硅复合烧结体,所述烧结体具有5-60%体积能进行电火花加工的导电粒子。

    氮化硅烧结体的制造方法
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1131650A

    公开(公告)日:1996-09-25

    申请号:CN95118717.1

    申请日:1995-10-18

    CPC classification number: C04B35/584

    Abstract: 一种制造氮化硅烧结体的方法,包括在一个温度范围内对氮化硅烧结体的坯料进行热处理,该温度范围从坯料的内摩擦达到最大峰值时的温度-150℃至该温度+150℃。一种用于本发明的代表性的坯料是这样来制得的:将氮化硅粉末与助烧剂粉末混合,得到的粉末混合物含5-15%(重量)(以氧化物计)的至少一种选自由稀土元素和铝组成一组的元素,0.5-5%(重量)(以氧化物计)选自由Mg、Ti和Ca组成一组的元素,以及余量的Si3N4,将粉末混合物成型,在含氮气氛中于1500-1700℃烧结所得素坯。

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