公开(公告)号：CN1158026A

公开(公告)日：1997-08-27

申请号：CN96116720.3

申请日：1996-12-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 上田政则 ,  远藤刚 ,  川内治 ,  藤原嘉朗

IPC: H03H9/15 ,  H01L41/04

CPC classification number: H03H9/6469 ,  H03H9/0038 ,  H03H9/0042 ,  H03H9/0061 ,  H03H9/1071 ,  H03H9/25 ,  H03H9/6436 ,  H03H9/6459 ,  H03H9/6466 ,  H03H9/6489

Abstract: 声表面波(SAW)装置，它包括形成在共同的压电基片(1)上且相互级联的至少第一与第二SAW元件(11，21)，此第一与第二SAW元件中的每一个包括多个叉指式电极(11A-11C；21A-21C)，它们各有多个电极指在此压电基片上对应于SAW的路径相互重叠，其中这些电极指的重叠宽度(W1，W2)在第一与第二SAW元件之间改变。