公开(公告)号：CN101930805A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN201010209336.0

申请日：2010-06-21

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 梅田贤一 ,  铃木真之 ,  田中淳

IPC: H01B1/08 ,  H01B13/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C01G15/006 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/40 ,  C30B29/22 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02664

Abstract: 本发明提供IGZO基氧化物材料和制备IGZO基氧化物材料的方法，所述IGZO基氧化物材料由组成式In2-xGaxZnO4-δ表示，其中0.75＜x＜1.10并且0＜δ≤1.29161×exp（-x/0.11802)+0.00153，并且所述IGZO基氧化物材料由具有YbFe2O4的晶体结构的IGZO的单相形成。