制备导电膜的方法
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101794645A

    公开(公告)日:2010-08-04

    申请号:CN201010105471.0

    申请日:2010-01-28

    Inventor: 德永司 作山弘

    CPC classification number: G03C5/58

    Abstract: 本申请公开了导电膜制备方法,其包括:曝光和显影具有厚95μm的长支持体和其上的含银盐乳剂层的光敏材料,从而形成金属银部分以制备导电膜前体的金属银形成步骤,和对所述导电膜前体进行平滑处理以制备导电膜的平滑处理步骤。在所述平滑处理中,通过彼此相对的第一和第二砑光辊辊压所述导电膜前体,所述第一砑光辊是将与支持体接触的树脂辊。该方法满足1/2≤P1/P2≤1的条件,其中P1表示将导电膜前体引入进行平滑处理步骤的区域时施加的传送力,P2表示将平滑处理后的导电膜从所述区域排出时施加的传送力。

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