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公开(公告)号：CN106463504A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580021975.5
申请日：2015-11-11
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 在IGBT部(21)中，发射电极(8)通过埋入到第1接触孔(9a)的接触插塞(14)与n+型发射区(3)、发射电极(8)和层间绝缘膜(9)从IGBT部(21)起遍及FWD部(22)而设置。在FWD部(22)中，发射电极(8)被埋入到第2接触孔(9b)并与p型基区(2)直接连接。FWD部(22)的沟槽(3)的间距W(12)大于IGBT部(21)的沟槽(3)的间距(W11)。第2接触孔(9b)的宽度(W22)大于第1接触孔(9a)的宽度(W21)。由此，在谋求微细化的沟槽栅型的RC-IGBT中能够实现良好的二极管特性。(6)和p+型接触区(7)电连接。p型基区(2)、沟槽
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公开(公告)号：CN113474886B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202080016044.7
申请日：2020-08-31
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/60 , H01L23/544
Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：半导体基板；温度感测部，其设置于半导体基板的正面；阳极焊盘和阴极焊盘，其与温度感测部电连接；正面电极，其被设定为预先确定的基准电位；以及双向二极管部，其以双向串联的方式电连接于阴极焊盘与正面电极之间。双向二极管部在正面可以配置于阳极焊盘与阴极焊盘之间。
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公开(公告)号：CN118352354A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410002460.1
申请日：2024-01-02
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够减少向发射电极的漏电流。所述半导体装置具有第一寿命调整区，其设置于半导体基板的上表面侧的第一深度，并且第一寿命调整区的晶格缺陷的密度为第一缺陷密度，第一寿命调整区包括配置在接触区中的在第一方向上距二极管部最近的接触区的下方的区域，在二极管部中设置第一寿命调整区的第一方向上的第一长度为0，或者比在二极管部中不设置第一寿命调整区的第一方向上的第二长度小。
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公开(公告)号：CN116490960A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202280007627.2
申请日：2022-04-26
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 吉田崇一
IPC: H01L21/336
Abstract: 提供一种半导体装置，其具备晶体管部和二极管部，该半导体装置具备：漂移区、基区、发射区、以及多个沟槽部，晶体管部具有边界区，该边界区被设置为与二极管部邻接，半导体装置具备寿命控制区，该寿命控制区在多个沟槽部的排列方向上，以越过边界区的方式从二极管部设置到设置有发射区的晶体管部，边界区具有第二导电型的插塞区，该第二导电型的插塞区被设置为沿多个沟槽部的延伸方向延伸，且掺杂浓度比基区的掺杂浓度高，在边界区中的正面，接触区与基区沿延伸方向交替地配置。
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公开(公告)号：CN110692140B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201880036426.9
申请日：2018-10-05
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 提供一种半导体装置，其是具有晶体管部和二极管部的半导体装置，该半导体装置具备：栅极金属层，其设置于半导体基板的上表面的上方；发射电极，其设置于半导体基板的上表面的上方；第一导电型的发射区，其在晶体管部设置于半导体基板的上表面侧；栅极沟槽部，其在晶体管部设置于半导体基板的上表面侧，与栅极金属层电连接并且与发射区接触；发射极沟槽部，其在二极管部设置于半导体基板的上表面侧，并与发射电极电连接；以及虚设沟槽部，其设置于半导体基板的上表面侧，与栅极金属层电连接并且不与发射区接触。
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公开(公告)号：CN113544846A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202080018066.7
申请日：2020-09-25
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/07 , H03K17/687
Abstract: 提供一种半导体装置，该半导体装置具备：半导体基板；温度感测部，其设置于半导体基板的正面；阳极焊盘和阴极焊盘，其与温度感测部电连接；正面电极，其被设定为预先确定的基准电位；以及双向二极管部，其以双向串联的方式电连接于阴极焊盘与正面电极之间。输出比较二极管部可以配置于阳极焊盘与阴极焊盘之间。温度感测部可以包括温度感测二极管，且输出比较二极管部可以包括与温度感测二极管反向并联地连接的二极管。
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公开(公告)号：CN113474886A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202080016044.7
申请日：2020-08-31
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/60 , H01L23/544
Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：半导体基板；温度感测部，其设置于半导体基板的正面；阳极焊盘和阴极焊盘，其与温度感测部电连接；正面电极，其被设定为预先确定的基准电位；以及双向二极管部，其以双向串联的方式电连接于阴极焊盘与正面电极之间。双向二极管部在正面可以配置于阳极焊盘与阴极焊盘之间。
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公开(公告)号：CN112640129A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202080004709.2
申请日：2020-01-31
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/66 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L29/739
Abstract: 在半导体装置中确保能够配置晶体管等元件的面积。提供一种半导体装置，该半导体装置具备：半导体基板、具有在俯视半导体基板时有间隔地配置的至少两个部分电极的发射电极、以及配置为被两个部分电极夹着的有源侧栅极布线和有源侧虚设布线，半导体基板具有：与有源侧栅极布线连接并且在俯视时的第一方向上具有长边的栅极沟槽部、以及与有源侧虚设布线连接并且在第一方向上具有长边的虚设沟槽部，有源侧栅极布线和有源侧虚设布线中的一个在第一方向上全部被栅极布线部和虚设布线部中的另一个覆盖。
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公开(公告)号：CN107408576B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201680012460.3
申请日：2016-08-08
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/265 , H01L21/322 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 从基板背面侧以不同的射程进行多次质子照射，在形成深度不同的第一～第四n型层(10a)～(10d)后，使质子活化。接着，从基板背面向比质子照射的射程更深的位置照射氦，导入晶格缺陷。在调整晶格缺陷量的热处理时，使第四n型层(10d)中未活化的质子扩散，形成在第四n型层(10d)的阳极侧与第四n型层(10d)接触，并且具有伴随着朝向阳极侧而以比第四n型层(10d)更平缓的倾斜来减小的载流子浓度分布的第五n型层(10e)。由包含该质子及氦的第五n型层(10e)、和包含质子的第一～第四n型层(10a)～(10d)构成n型FS层(10)。由此，提供能够提高可靠性并且能够实现低成本化的半导体装置。
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公开(公告)号：CN109478570A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201880002921.8
申请日：2018-02-15
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/336 , H01L29/739
Abstract: 由于掩模下垂或掩模图案的错位，存在在半导体基板的表面露出的P型区域变为N型区域的情况。本发明提供具有半导体基板的半导体装置。半导体基板包含晶体管区，晶体管区具备漂移区、多个沟槽部、多个发射区和多个接触区、以及积累区，该积累区在深度方向上设置于漂移区与多个发射区之间并具有比漂移区高的第一导电型的掺杂浓度，多个接触区中的在与第一方向平行的方向上位于最外侧的第一最外接触区在第一方向上的长度比多个接触区中的除第一最外接触区以外的一个接触区长，积累区在第一最外接触区的下方终止。
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