公开(公告)号：CN117594632A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310913998.3

申请日：2023-07-24

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 唐本祐树 ,  三塚要

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供一种抑制浪涌电压的半导体装置。该半导体装置具备第一导电型的缓冲区，其设置于半导体基板的下表面与漂移区之间，在半导体基板的深度方向上具有三个以上的掺杂浓度峰，且该缓冲区的浓度比漂移区的浓度高，三个以上的掺杂浓度峰包括距半导体基板的下表面最远的最深峰和距半导体基板的下表面第二近的第二峰，在深度方向上，第二峰的峰宽为最深峰的峰宽的2倍以上。

公开(公告)号：CN117397043A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202280038383.4

申请日：2022-10-25

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 三塚要

IPC: H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：栅极沟槽部，其设置在半导体基板；第一沟槽部，其设置在半导体基板，并且与栅极沟槽部邻接；第一导电型的发射区，其在栅极沟槽部与第一沟槽部之间的台面部与栅极沟槽部相接地设置；第二导电型的接触区，其在台面部与第一沟槽部相接地设置；金属层，其设置在半导体基板的上方；以及第一导电型的电阻部，其与金属层和发射区相接地设置，并且第一导电型的电阻部的掺杂浓度比发射区的掺杂浓度低。

公开(公告)号：CN117397042A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202280038046.5

申请日：2022-10-25

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 三塚要 ,  唐本祐树

IPC: H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备栅极沟槽部、以及与所述栅极沟槽部邻接的第一沟槽部，所述半导体装置具备：第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板；第二导电型的基区，其设置于漂移区的上方；第一导电型的发射区，其设置于基区的上方，并且掺杂浓度高于漂移区的掺杂浓度；以及第二导电型的接触区，其设置于基区的上方，并且掺杂浓度高于基区的掺杂浓度。接触区在栅极沟槽部与第一沟槽部之间的台面部可以具有从第一沟槽部延伸至发射区的下端的下方而设置地第一接触区和第二接触区。在沟槽排列方向上，第一接触部可以设置为从第一沟槽部起比第二接触部从第一沟槽部起延伸得更长。

公开(公告)号：CN113921587A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202110575884.3

申请日：2021-05-26

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 白川彻 ,  阿形泰典 ,  三塚要

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739

Abstract: 提供一种半导体装置，其适当地调整有源区中的耐压。所述半导体装置具备有源区和边缘区域，并且具备：第1导电型的漂移区，其设置于半导体基板；第2导电型的基区，其设置于漂移区的上方；第2导电型的第1集电区，其在有源区中设置于漂移区的下方；以及第2导电型的第2集电区，其在边缘区域中设置于漂移区的下方，第1集电区的掺杂浓度大于第2集电区的掺杂浓度，在俯视时，第1集电区的面积与第2集电区的面积相同或大于第2集电区的面积。

公开(公告)号：CN113299643A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202011577395.3

申请日：2020-12-28

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 三塚要 ,  小野泽勇一

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/866 ,  H01L21/8232 ,  H01L23/544

Abstract: 本发明提供半导体装置及半导体装置的制造方法。优选避免破坏感测IGBT。所述半导体装置具备：半导体基板；晶体管部，其设置于半导体基板；电流感测部，其用于检测流经晶体管部的电流；发射电极，其被设定为晶体管部的发射极电位；感测电极，其与电流感测部电连接；齐纳二极管，其电连接到发射电极与感测电极之间。所述半导体装置的制造方法包括：在晶体管部设置半导体基板的步骤；设置对流经晶体管部的电流进行检测的电流感测部的步骤；设置被设定为晶体管部的发射极电位的发射电极的步骤；设置与电流感测部电连接的感测电极的步骤；设置电连接到发射电极与感测电极之间的齐纳二极管的步骤。

公开(公告)号：CN110770914A

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201880035386.6

申请日：2018-10-25

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 三塚要 ,  高桥美咲 ,  白川彻

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739

Abstract: 提供晶体管部和二极管部的导通特性优良的半导体装置。提供具有晶体管部与二极管部的半导体装置，该半导体装置具备：第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板；第二导电型的第一阱区，其设置在半导体基板的上表面侧；第二导电型的阳极区，其在二极管部，设置在半导体基板的上表面侧；以及第二导电型的第一高浓度区，其在阳极区与第一阱区之间，与第一阱区接触地设置，并且掺杂浓度比阳极区的掺杂浓度高。