公开(公告)号：CN101799642B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN200910168923.7

申请日：2009-09-04

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 岩永刚 ,  八木茂 ,  鸟越诚之

IPC: G03G5/147 ,  G03G21/18 ,  G03G15/00

CPC classification number: G03G5/082 ,  G03G5/14704

Abstract: 本发明公开了电子照相感光体及使用该感光体的处理盒和图像形成设备。所述电子照相感光体包含：导电性基体；设置在所述导电性基体上面或上方的感光层；和设置在所述感光层上面或上方的表面层，所述表面层含有90原子％以上的镓(Ga)、氧(O)和氢(H)，并且具有约7.8×1022cm-3以上的原子数密度。

公开(公告)号：CN101520616A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200810184687.3

申请日：2008-12-15

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 岩永刚 ,  西川雅之 ,  八木茂 ,  鸟越诚之

IPC: G03G5/147 ,  G03G15/00 ,  G03G21/18

CPC classification number: G03G5/047 ,  G03G5/08285 ,  G03G5/142 ,  G03G5/144 ,  G03G5/147

Abstract: 本发明提供了一种电子照相感光体，所述感光体至少具有感光层和设置在所述感光层的表面的表面层。所述表面层含有设置在所述感光层侧并且折射率为n1的第一层和设置在所述第一层的与所述感光层相反的一侧并且折射率为n2的第二层。所述感光层的折射率(n0)、所述第一层的折射率(n1)、所述第二层的折射率(n2)、所述第一层的膜厚(d1，单位为nm)、0以上的一个整数(a)、在形成静电潜像时照射所述感光体表面的光的波长(λ，单位为nm)满足特定关系。

公开(公告)号：CN100527001C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200610164514.6

申请日：2006-12-06

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 岩永刚 ,  八木茂

IPC: G03G5/04 ,  G03G21/18 ,  G03G15/00

CPC classification number: G03G5/14704 ,  G03G5/0564 ,  G03G5/147 ,  G03G5/14756

Abstract: 本发明公开了一种电子照相感光体和使用该电子照相感光体的处理盒和成像装置。所述电子照相感光体包括形成于导电性基体上并至少包含聚碳酸酯的有机感光层。该有机感光层的最外表面采用包含氢或氢和氮的气体的等离子体进行表面处理。

公开(公告)号：CN101276162A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200710091737.9

申请日：2007-03-30

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 八木茂 ,  岩永刚

IPC: G03G5/04 ,  G03G5/06 ,  G03G15/00 ,  G03G21/18

Abstract: 本发明提供一种电子照相感光体和使用该电子照相感光体的处理盒及成像设备，其中所述电子照相感光体包括导电性基体和依次形成在该导电性基体上的感光层、中间层和表面层，其中，所述表面层包含第13族元素和选自氮或氧中的至少一种元素。

公开(公告)号：CN101086632A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200610164514.6

申请日：2006-12-06

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 岩永刚 ,  八木茂

IPC: G03G5/04 ,  G03G21/18 ,  G03G15/00

CPC classification number: G03G5/14704 ,  G03G5/0564 ,  G03G5/147 ,  G03G5/14756

Abstract: 本发明公开了一种电子照相感光体和使用该电子照相感光体的处理盒和成像装置。所述电子照相感光体包括形成于导电性基体上并至少包含聚碳酸酯的有机感光层。该有机感光层的最外表面采用包含氢或氢和氮的气体的等离子体进行表面处理。