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公开(公告)号:CN113406049A
公开(公告)日:2021-09-17
申请号:CN202110664221.9
申请日:2021-06-16
Applicant: 安徽大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明公开了一种CdTe量子点‑苯并香豆素‑3‑甲酸比率荧光探针及其制备方法和用途,其中比率荧光探针的内核为2‑5nmCdTe量子点,在CdTe量子点的表面修饰有巯基乙胺以及巯基乙胺与苯并香豆素‑3‑甲酸的反应产物。本发明CdTe量子点‑苯并香豆素‑3‑甲酸比率荧光探针能特异性识别水溶液中Hg2+,依据荧光光谱测定,可以通过其荧光强度的变化实现对Hg2+的定性或定量检测;应用本发明的CdTe量子点‑苯并香豆素‑3‑甲酸比率荧光探针可用于实际水样中Hg2+的高选择性灵敏检测,检测限达到0.03μM。
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公开(公告)号:CN112420396A
公开(公告)日:2021-02-26
申请号:CN202011159633.9
申请日:2020-10-27
Applicant: 安徽大学
IPC: H01G9/20 , H01G9/042 , C01B33/12 , C01G23/053 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种银纳米颗粒修饰的SiO2@TiO2分层微球及其制备方法和应用,其中SiO2@TiO2‑Ag分层微球是以SiO2为核层、以TiO2为壳层构成的核壳结构,并且在TiO2的壳层结构上修饰有银纳米颗粒。本发明SiO2@TiO2‑Ag分层微球能通过微球的散射作用和表面银纳米颗粒的等离子体共振效应的协同作用提高光阳极的光吸收和光生电荷分离,在P25的光电流阳极密度中掺和光杂电2%转的换S效iO率2@,T短iO路2‑电A流g分密层度微从球10能.12够m提A 高cm电‑2池提的高到15.97mA cm‑2,光电转换效率从4.3%提高到7.3%。
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公开(公告)号:CN108640867A
公开(公告)日:2018-10-12
申请号:CN201810606925.9
申请日:2018-06-13
Applicant: 安徽大学
IPC: C07D209/86 , C09K11/06 , G01N21/33 , G01N21/64 , G01N31/16
CPC classification number: C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , G01N21/33 , G01N21/643 , G01N31/16
Abstract: 本发明公开了一种含有氰基-咔唑基席夫碱荧光探针化合物及其制备方法和用途,其中含有氰基-咔唑基席夫碱荧光探针化合物的结构式为:本发明荧光探针化合物具有多功能性,可以通过紫外-可见分光光度法和荧光光谱法实现对Cu2+离子的识别及定量检测,在其它离子存在的情况下有很好的抗干扰性、高选择性和灵敏性。
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公开(公告)号:CN107417681A
公开(公告)日:2017-12-01
申请号:CN201710450445.3
申请日:2017-06-15
Applicant: 安徽大学
IPC: C07D417/12 , C09K11/06 , G01N21/31 , G01N21/64
Abstract: 本发明公开了一种含有香豆素-噻二唑基席夫碱荧光探针化合物及其制备方法和用途,其中含有香豆素-噻二唑基席夫碱荧光探针化合物的结构式为:本发明荧光探针化合物具有多功能性,可以通过紫外-可见分光光度法和荧光光谱法实现对Cu2+和Hg2+离子的识别及定量检测,在其它离子存在的情况下有很好的抗干扰性、高选择性和灵敏性。
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公开(公告)号:CN104009242A
公开(公告)日:2014-08-27
申请号:CN201410181761.1
申请日:2014-04-30
Applicant: 安徽大学
CPC classification number: Y02E60/13 , H01M4/9083 , B82Y40/00 , H01G11/30
Abstract: 一种金属/金属氧化物负载的氮掺杂的多孔碳网络结构材料制备方法,本发明以天然高分子为原料,添加金属盐溶液,形成溶胶,通过添加碱性物质,得到水凝胶,对其进行洗涤、冷冻干燥,得到干的凝胶,将干的凝胶在管式炉中用氮气气氛热处理,得到产物。本发明1.用天然高分子为碳源和氮源,来源自然,可以循环,该生物质量大。2.制备的材料为金属/金属氧化物负载的多孔碳网络结构材料。3.该方法制备的材料具有非常优秀的氧气电催化还原性能。该材料很也会在超级电容器、锂离子电池、有机催化、光催化、气体吸附等众多领域有潜在的应用价值。
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公开(公告)号:CN1666861A
公开(公告)日:2005-09-14
申请号:CN200510038675.6
申请日:2005-04-01
Applicant: 安徽大学
IPC: B32B3/12
Abstract: 本发明公开了一种低介电常数多孔氧化硅薄膜,该薄膜含有分布均匀的纳米微孔。该薄膜的制备方法是:用三烷氧基硅烷有机物(RSi(OR’)3)通过水解—缩合反应生成含有笼型结构的多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)分子的溶胶;将上述溶胶涂布于硅片上制成薄膜;将上述薄膜在空气或惰性气体保护下加热固化、烧结即得低介电常数多孔氧化硅薄膜,烧结温度为300-600℃,升温速率为2-5℃每分钟。本发明的多孔氧化硅薄膜:介电常数低,纳米微孔分布均匀,微孔大小均匀、尺寸可调,薄膜与硅片的粘附性好,结合紧密,耐热性、热稳定性好。
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