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公开(公告)号：CN105753112A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201510912790.5
申请日：2015-12-11
Applicant: 宁夏大学
Inventor： 李海波
IPC: C02F1/469
CPC classification number: C02F1/4691
Abstract: 一种活性炭布/石墨烯复合电极的制备方法，其可包括：将50mg石墨烯和5mg铝盐溶液分散在50ml的乙醇/丙酮混合液中，得到石墨烯/ 铝盐混合液；将石墨烯/ 铝盐混合液置于高速超声波水浴中超声，直至石墨烯和铝盐溶液分散均匀；将阳极电极和阴极电极垂直的置入混合液中，阴极电极为活性炭布；设置电泳沉积电压为20V，并向石墨烯/ 铝盐混合液通电30分钟，以进行电泳沉积，使石墨烯通过电泳沉积出的Al3+离子的带动作用沉积在活性炭布的底衬上，得到沉积有石墨烯的活性炭布/石墨烯复合电极。本发明实施例还提供一种活性炭布/石墨烯复合电极以及一种电容去离子装置。
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公开(公告)号：CN105523617A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201510912795.8
申请日：2015-12-11
Applicant: 宁夏大学
IPC: C02F1/469 , C02F103/08 , C02F103/04
CPC classification number: C02F1/4691 , C02F2103/04 , C02F2103/08
Abstract: 一种电容去离子装置壳体，其特征在于，包括上固定壳和下固定壳；上固定壳包含矩形的上壁和4个上壳侧壁，上壁上开设有进水孔和出水孔，4个上壳侧壁与上壁共同形成一面开口的梯形壳体，各个上壳侧壁上均设置有上螺栓孔；下固定壳包含矩形的下壁和4个下壳侧壁，4个下壳侧壁与下壁共同形成一面开口的梯形壳体，各个下壳侧壁上均设置有下螺栓孔，其中一个下侧壁上开设有用于置放导电介质的下导电介质固定孔；上螺栓孔与下螺栓孔相对应设置，螺栓穿过上螺栓孔和下螺栓孔以固定连接上固定壳和下固定壳，使上固定壳和下固定壳之间共同形成用于置放电极的腔体。本发明实施例还提供一种电容去离子装置和一种电容去离子的方法。
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公开(公告)号：CN104609820A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510062165.6
申请日：2015-02-06
Applicant: 宁夏大学
Abstract: 一种玻璃纤维定向增强的纳米二氧化硅隔热材料，由纳米二氧化硅、玻璃纤维组成，其中，玻璃纤维定向增强的纳米二氧化硅隔热材料中的玻璃纤维沿冰晶方向定向的分布在纳米二氧化硅中间。本发明还提供一种玻璃纤维定向增强的纳米二氧化硅隔热材料制备方法。上述玻璃纤维定向增强的纳米二氧化硅隔热材料及玻璃纤维定向增强的纳米二氧化硅隔热材料制备方法，通过采用低温冷冻凝固实现玻璃纤维定向排列在纳米二氧化硅中，进而保证玻璃纤维定向增强的纳米二氧化硅隔热材料具有高强度和低导热率的特性。
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公开(公告)号：CN103911659A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410148669.5
申请日：2014-04-15
Applicant: 宁夏大学
Abstract: 一种提高400mm以上大直径单晶硅拉晶稳定性的方法，该方法应用于直拉法制造单晶硅的生产工艺中，该提高400mm以上大直径单晶硅拉晶稳定性的方法包括如下步骤：将直拉法制造单晶硅的生产工艺中的石英坩埚的尺寸设置为≥800mm；在采用直拉法制造单晶硅的等径生长步骤中，在等径初期控制液口距的范围值为15～20mm。
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公开(公告)号：CN103911654A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410148453.9
申请日：2014-04-15
Applicant: 宁夏大学
Abstract: 一种制备直径为400mm以上的单晶硅的方法，该方法采用通过直拉法制造单晶硅，该方法包括如下步骤：装料和熔化；引晶；缩颈；放肩；等径生长：石英坩埚和晶体相互反方向旋转，根据熔体和单晶炉的状况，控制晶体等径生产所需长度，其中在等径初期，进口氩气流速为0.9m/s～1.5m/s，炉压22Torr，液口距为20mm；收尾；降温。上述方法能够降低“W-状”固液界面的波动幅度，提高硅片径向氧含量均匀性，使“W-状”固液界面极大值点向晶体边缘移动，增大晶体中心均匀区的含量，进而保证大直径单晶硅的品质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103318874A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310195521.2
申请日：2013-05-21
Applicant: 宁夏大学
Abstract: 本发明公开了一种具有温度敏感特性的氧化石墨烯及元件的制备方法，其特征在于：将鳞片石墨、NaNO3加入到浓H2SO4中，并在冰浴条件下充分搅拌，然后加入KMnO4，通过调整石墨与KMnO4比例得到不同氧化程度的氧化石墨烯，将混合物放入到35℃的环境中，搅拌2～5小时，得到褐色溶液；再在该混合溶液中加入蒸馏水，于95℃温度下反应，直到溶液颜色变成黄色；加入双氧水，并用蒸馏水超声清洗，直到溶液的pH值为中性为止；溶液通过冷冻干燥的方法得到金黄色的粉末，研磨得到氧化石墨烯粉；在氧化石墨烯粉中加入PVDF压制成圆片；在圆片两面刷涂上低温银浆，烘干后即为温度敏感元件。
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公开(公告)号：CN118497028A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410391558.0
申请日：2024-04-02
Applicant: 宁夏大学
Abstract: 本发明公开了一株抑制黄曲霉生长的地衣芽孢杆菌及其应用，具体涉及微生物防治技术领域，本发明从奶牛瘤胃中筛选得到一株黄曲霉拮抗菌，即地衣芽孢杆菌(Bacillus licheniformis)NXU98，保藏编号为CGMCC No.27652，通过试验验证发现，该地衣芽孢杆菌菌株能够拮抗黄曲霉，同时耐高温、耐酸碱能力强，此外，地衣芽孢杆菌添加至青贮中能有效降低好氧细菌繁殖，因此，本发明筛选得到的地衣芽孢杆菌可以应用于预防青贮发酵过程中的黄曲霉污染。
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公开(公告)号：CN109850904B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201811624760.4
申请日：2018-12-28
Applicant: 宁夏大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 利用半固态法提高合金法提纯多晶硅收率的方法为配置提纯原料，将铝硅原料按照Al‑50wt%Si进行配比作为提纯原料；将提纯原料倒入反应炉中，通入氩气和氢气的混合气体，氩气与氢气的体积比为100:4，以将反应炉中的空气排出；按照8℃/min的速度提高反应炉的温度，直至反应炉中的温度升高至1450℃，并按照预定速度通入步骤S002中氩气和氢气的混合气体，以使反应炉维持惰性的气体环境；提纯原料在1450℃的条件下保温2h，然后按照8℃/min的速度进行降温至600℃，然后自然冷却至室温；对冷却至室温的提纯原料进行半固态处理，具体为提纯原料在室温时，按照20℃/s的速度升温至硅和铝的共晶温度以上，然后保温5～25min；自然冷却至室温，然后酸洗得到提纯后的多晶硅。
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公开(公告)号：CN109108298B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201811099554.6
申请日：2018-09-20
Applicant: 宁夏大学
IPC: B22F9/04 , B22F3/16 , C22C1/05 , C22C21/00 , C22C23/00 , C22C18/00 , C22C47/14 , C22C49/06 , C22C49/04 , C22C49/02 , C22C49/14 , C22C101/10
Abstract: 本发明专利属于材料加工技术领域，具体涉及一种高强韧分级结构金属基复合材料的制备方法，具体步骤如下：（1）将基体合金粉末经过高能球磨，获得片状金属粉末；（2）将增强体与所得片状金属粉末在分散液中机械搅拌和超声分散混合，过滤、干燥后得到复合粉末I；（3）复合粉末I再与球状金属粉末低能球磨，获得复合粉末II；（4）复合粉末II在压力下冷压成形后部分重熔、触变成形，得到分级组织构型的金属基复合材料混合粉末压块。本发明原理简洁、操作简单、安全可靠，可工业化生产，同时提高了工效、节约了材料、保证了质量、安全可靠，具有较高的应用和推广价值。
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公开(公告)号：CN109628995A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811624705.5
申请日：2018-12-28
Applicant: 宁夏大学
Abstract: 利用梯度保温提高合金法提纯多晶硅收率的方法包括：将铝硅原料按照Al‑50wt%Si进行配比作为提纯原料；通入氩气和氢气的混合气体，氩气与氢气的体积比为100:4，按照7℃/min的速度提高反应炉的温度，直至反应炉中的温度升高至1450℃，并按照预定速度通入步骤S002中氩气和氢气的混合气体，以使反应炉维持惰性的气体环境；提纯原料在1450℃的条件下保温2h，然后按照3℃/min的速度降温至1300℃；提纯原料在1300℃的条件下保温2h，然后按照3℃/min的速度降温至900℃；提纯原料在900℃的条件下保温2h，然后按照3℃/min的速度降温至600℃，自然冷却至室温。
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