发光层电子墨水及其制备方法、有机电致发光器件

    公开(公告)号:CN116376361A

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202310098597.7

    申请日:2023-02-10

    Abstract: 本发明涉及电致发光显示领域,尤其涉及一种发光层电子墨水及其制备方法、有机电致发光器件。发光层电子墨水组分包括:0.5%‑30%的有机小分子主体材料,0.05%‑10%的有机小分子敏化剂材料,0.01%‑5%的有机小分子发光材料,0.1%‑5%的表面张力调节剂,0.1%‑5%的粘度调节剂,60%‑98%的第一溶剂,本申请制备方法简单,在温度为20℃‑80℃下经搅拌即可制备获得。本发明选用的有机小分子材料能有效提升发光层的整体发光效率,降低有机电致发光器件的效率滚降,有利于将喷墨打印型有机电致发光材料配制成为喷墨打印工艺可应用的电子墨水,从而获得高水平的有机电致发光器件。

    一种有机电致发光器件
    22.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116261345A

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202310198876.0

    申请日:2023-03-03

    Abstract: 本申请涉及有机电致发光技术领域,公开了一种有机电致发光器件,由下至上依次包括阳极层、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、金属阴极层;所述发光层包括主体材料、敏化剂和蓝色荧光染料;所述敏化剂采用梯度掺杂浓度的方式掺杂于所述主体材料中,所述敏化剂的掺杂浓度从所述电子阻挡层向所述空穴阻挡层的方向梯度降低;所述蓝色荧光染料采用固定掺杂浓度的方式掺杂于所述主体材料中。本申请的有机电致发光器件,通过优化器件结构和材料搭配体系,可以达到改善效率滚降和工作寿命的效果。

    一种基于二苯桶烯并咪唑衍生物的有机电致发光材料、制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN115850187B

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202310144460.0

    申请日:2023-02-21

    Abstract: 本发明属于有机光电材料与器件技术领域,具体涉及一种基于二苯桶烯并咪唑衍生物及其在有机电致发光器件中的应用,其中二苯桶烯并咪唑衍生物的分子结构通式如结构式(Ⅰ)所示:(Ⅰ),本发明提供一种新型咪唑衍生物,即二苯桶烯并咪唑衍生物,二苯桶烯单元自身的立体构型,可以进一步抑制咪唑类分子的分子间间聚集,阻挡分子内电荷转移,从而保证其高效蓝光发射。该二苯桶烯并咪唑衍生物可以直接制备成发光层获得蓝光电致发光器件,也可以作为主体材料与红、黄或绿光磷光发光材料掺杂制备红、黄或绿光电致发光器件,上述器件可用于平板显示、照明以及光源等应用领域。

    拉曼光谱的峰位分析方法、系统、终端设备及介质

    公开(公告)号:CN113989578A

    公开(公告)日:2022-01-28

    申请号:CN202111608055.7

    申请日:2021-12-27

    Abstract: 本发明公开了一种拉曼光谱的峰位分析方法、系统、终端设备以及计算机可读存储介质,该拉曼光谱的峰位分析方法的步骤包括:基于预设的滑动PCA模型和预设的分类预测模型对所述拉曼光谱进行划分得到多个光谱区间和多个所述光谱区间对应的F1分数,并基于多个所述F1分数从多个所述光谱区间确定最优光谱区间;获取所述最优光谱区间内的原始光谱和所述原始光谱中的多个光谱峰位,并确定多个所述光谱峰位对应的峰位区间的中间位置;根据所述中间位置确定峰均值组,基于多个所述峰均值组对所述原始光谱中的多个所述光谱峰位进行排序,并针对排序后的多个光谱峰位进行分析。本发明能够提高针对拉曼光谱峰位进行分析时的分析效率。

    一种有机电致发光器件
    30.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112133841B

    公开(公告)日:2021-03-02

    申请号:CN202011347649.2

    申请日:2020-11-26

    Abstract: 本发明提供了一种有机电致发光器件,包括从下到上依次设置的阳极层、空穴传输层、第一发光层、激子产生层、第二发光层、电子传输层和阴极层;所述阳极层和/或阴极层可透光;所述第一发光层和第二发光层均包括混合的主体材料和发光体;所述激子产生层包括空穴传输型的p型材料、电子传输型的n型材料、双极性传输材料中的至少两种材料;且所述激子产生层的三重态能级大于或等于直接接触的发光层中的发光体的三重态能级;该有机电致发光器件注入的电子和空穴可以在激子产生层中复合形成激子,使器件的复合区域得到拓宽,避免了激子和极化子的湮灭作用和高能态热激子的形成,使器件的效率滚降降低、工作寿命延长。

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