一种化学气相沉积装置
    21.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114277360B

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202111640300.2

    申请日:2021-12-29

    Abstract: 本申请涉及化学气相沉积技术领域,具体提供了一种化学气相沉积装置,其包括:反应腔;衬托器,倾斜设置在上述反应腔内,用于放置衬底;供气组件,设置在上述反应腔的一端,包括竖直排列设置的多条进气气路,多条所述进气气路分别用于输送包含不同浓度的原料气体的外延气体,所述供气组件通过所述进气气路朝所述衬托器输送的所述外延气体中的所述原料气体的浓度随高度下降而减小;能够有效地对衬底上方的原料气体的浓度进行补偿,从而提高衬底上形成的薄膜厚度的均匀性。

    PECVD设备的清洗时间预测方法、装置、设备及介质

    公开(公告)号:CN114965901B

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202210687606.1

    申请日:2022-06-16

    Abstract: 本发明涉及半导体生产技术领域,具体公开了一种PECVD设备的清洗时间预测方法、装置、设备及介质,其中,方法包括以下步骤:在清洗PECVD设备时,获取预设采集时间内反应腔排出的尾气中的至少一种反应气体浓度变化信息和/或至少一种反应后气体浓度变化信息;基于反应气体浓度变化信息和/或反应后气体浓度变化信息,以及预设采集时间生成清洗进度函数;根据清洗进度函数生成预测时间信息和/或提醒信息;该方法基于清洗过程中反应腔排出的气体成分生成清洗进度函数,利用该清洗进度函数可快速分析出清洗工艺的进程及完成清洗的时间,使得用户能获知预测时间信息和/或提醒信息,从而实现清洗时长的准确控制。

    一种外延反应室的导流装置及外延设备

    公开(公告)号:CN116876080A

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202310932768.1

    申请日:2023-07-27

    Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域,具体而言,涉及一种外延反应室的导流装置及外延设备,其中外延反应室的导流装置包括导流组件;导流组件设置在外延反应室内部,位于衬底托盘正上方且与供气口连接;导流组件包括与供气口连接且朝向衬底托盘设置的导流管和位于导流管中部的导流件;导流件包括低于导流管末端的扩散板。本申请的外延反应室的导流装置能解决在衬底上进行外延生长时竖直方向通气产生的气体逆向流动情况导致的外延生长不均匀的问题,达到在各个衬底上进行均匀生长的效果。

    一种用于外延设备的温场调节装置及系统

    公开(公告)号:CN116288695A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310111879.6

    申请日:2023-02-14

    Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域,具体提供了一种用于外延设备的温场调节装置及系统,该装置包括:混合气体提供组件,用于提供混合气体;气体分流组件,其进气端与混合气体提供组件连接,其出气端通过一条主路气体气路和两条旁路气体气路与反应室的进气端连接,主路气体气路位于两条旁路气体气路之间,气体分流组件用于根据预设流量比将混合气体分流送入主路气体气路和两路旁路气体气路;气体温度调节组件,设置在主路气体气路和/或旁路气体气路上,用于调节主路气体气路和/或旁路气体气路内气体的温度;该装置能够在提高反应室内的温场均匀性的前提下有效地降低设计难度以及生产成本和提高反应室内的温场的可调性。

    一种化学气相沉积装置
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114277360A

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN202111640300.2

    申请日:2021-12-29

    Abstract: 本申请涉及化学气相沉积技术领域,具体提供了一种化学气相沉积装置,其包括:反应腔;衬托器,倾斜设置在上述反应腔内,用于放置衬底;供气组件,设置在上述反应腔的一端,包括竖直排列设置的多条进气气路,多条所述进气气路分别用于输送包含不同浓度的原料气体的外延气体,所述供气组件通过所述进气气路朝所述衬托器输送的所述外延气体中的所述原料气体的浓度随高度下降而减小;能够有效地对衬底上方的原料气体的浓度进行补偿,从而提高衬底上形成的薄膜厚度的均匀性。

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