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公开(公告)号：CN103035782A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201310000893.5
申请日：2013-01-05
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及硅太阳能电池的钝化技术领域，公开了一种太阳能电池表面低温钝化方法，将氧气O2或水蒸汽H2O与氧气O2的混合物作为反应源，加入调节钝化层折射率的反应物，再加入抑制纳米结构与发射极中掺杂物质扩散的反应物，完成反应源的配制；将已经制备好纳米结构的纳米表面硅太阳能电池样品放入高压反应釜中，向高压反应釜中通入已配制好的反应源，密封后加热，高浓度反应源弥散进入纳米表面硅太阳能电池表面纳米结构的缝隙中，热氧化形成的氧化硅钝化层完全覆盖于纳米表面硅表面，纳米结构与发射极完全被氧化硅钝化层包覆。本发明在较低的温度下即可完成氧化硅钝化层的制备，避免了高温对原型器件的破坏；反应源中方便加入掺杂剂，可调节钝化层折射率。
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公开(公告)号：CN116015305A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211610490.8
申请日：2022-12-12
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种基于时钟锁定的低功耗单斜坡ADC电路，属于模拟集成电路领域。包括：斜坡产生电路，采样保持电路，比较器，三个寄存器，反相器以及开关。输入信号VPIXEL作为比较器的同相输入端，VRAMP作为比较器的反相输入端。根据比较器的基本性质可知，若输入信号VPIXEL大于VRAMP，则比较器的输出VCOMP_out为高电平；若输入信号VPIXEL小于比较信号，则比较器的输出VCOMP_out为低电平。本发明采用二分法的方式，确定输入电压所对应的范围，缩短并锁定计数器的工作区间，降低计数器的开关功耗，进而降低单斜坡ADC的功耗。
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公开(公告)号：CN115942140A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211598486.4
申请日：2022-12-12
Applicant: 大连理工大学
IPC: H04N25/771 , H04N19/42 , H04N19/146 , H04N19/182 , H04N19/93
Abstract: 本发明公开了一种面向CMOS图像传感器的实时压缩存储内核，属于CMOS图像传感器数据处理系统领域和可编程逻辑器件领域。本发明包括DDR3接口控制模块、RISC‑V处理器模块以及JPEG‑LS协处理器模块。本发明为通用型压缩存储内核设计，将压缩算法固化为硬件协处理器加速压缩过程，并且通过定制RISC‑V处理器最大化减少了电路面积，且通过系统层面优化控制，使DDR3接口控制器模块和JPEG‑LS协处理器模块高效稳定工作。本发明使用时可作为自定义IP，给出输入端和输出端的信号，并且编写能被RISC‑V交叉编译工具链编译通过的运行在RISC‑V处理器上的程序，即可实现大量数据的自定义压缩存储。
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公开(公告)号：CN113162613A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110581803.0
申请日：2021-05-24
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及模拟集成电路技术领域，提供一种应用于图像传感器锁相环的线性相位误差比较器，包括：斜坡发生器和控制信号生成电路；所述控制信号生成电路，用于对输入参考时钟信号和输出时钟信号进行采样和比较，生成包含有相位差信息的控制信号，用于斜坡发生器的充放电控制；所述斜坡发生器，包括：基准电流源、电压跟随器、第一电容、基准电压源、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第五PMOS晶体管、第六PMOS晶体管、第七PMOS晶体管、第八PMOS晶体管、第九PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管。本发明能够实现线性的，连续的相位误差比较，降低相位误差比较器的量化噪声，实现低噪声锁相环。
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公开(公告)号：CN107083541A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710261163.9
申请日：2017-04-21
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供了一种用于高质量氧化物半导体材料制备的MOCVD加热盘，属于氧化物半导体材料生长及器件制备领域。实心蛇形管作为加热源和上下表面沉积层的支撑结构；MOCVD加热盘的主体结构为由一根盘旋的实心蛇形管构成的平板式结构，实心蛇形管两末端分别开孔，未连接；MOCVD加热盘的主体平板结构的上下表面分别沉积有上碳化物沉积层和下碳化物沉积层。MOCVD加热盘上的碳化物沉积层较薄且均匀性良好，经过CVD处理的加热盘的加热均匀性和发热效率不受影响，不仅解决了外延工艺中无法在氧气氛围中高温生长的技术难点也避免了沉积层导致发热不均的负面影响。使得MOCVD设备制备高质量氧化物半导体薄膜的能力得到大幅提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103456603A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310401102.X
申请日：2013-09-05
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜，在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法包括以下步骤：选取镓系半导体衬底，并清理镓系半导体衬底表面；然后在含有氧分压的气氛中，采用外部能量对镓系半导体衬底进行处理，将镓系半导体衬底表面区域的镓原子与其它组分原子形成的化学键打开，使得镓原子与气氛中的氧原子结合形成镓氧键；最后采用氧化镓膜生长技术在处理后的镓系半导体衬底上生长氧化镓膜。本发明在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法步骤科学、合理，解决了现有技术的诸多问题，有效降低了异质外延生长氧化镓膜的缺陷密度。
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公开(公告)号：CN102543988A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210052040.1
申请日：2012-03-02
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L25/075 , H01L33/64
Abstract: 本发明公开了一种金属支撑垂直结构无荧光粉白光LED。所述金属支撑垂直结构无荧光粉白光LED是将发射蓝光的LED和发射红光、黄光或红黄混合光的LED连接在一起，在电流驱动下发射白光。本发明的特点是将两种发射不同颜色光的LED（分别为发射蓝光的LED和发射红光、黄光或红黄混合光的LED）通过直接键合技术集成在一起；金属支撑基板作为整个器件的新支撑体与衬底剥离工艺使得器件的散热性能得到大幅提升，解决了LED结温影响发光性能的弊端；多电极的引入可分别控制红光、黄光或红黄混合光与蓝光比例，以调节白光LED的色温；欧姆接触合金发射层的存在与GaAs衬底的剥离使得器件的光提取效率得到大幅度提升。
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公开(公告)号：CN115996216B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202211599358.1
申请日：2022-12-12
Applicant: 大连理工大学
IPC: H04L65/65 , H04L65/80 , H04N21/6437
Abstract: 本发明属于网络通信技术领域，涉及一种基于FPGA的实时传输协议栈及其硬件实现方法，可用于实时将视频数据上传到网络上。以纯硬件的方式实现了一种实时传输协议栈的开发，同时协议栈采用纯硬件编程，协议栈内每个模块或每个执行步骤的时钟都可做到精确控制，确保数据实时传输时协议栈能做到低延时，高精度和高可靠性；采用近似于FIFO的工作方式来更新缓存表，能够有效节约时钟和定时器资源，并且当作用于以数据发送为主要任务实时传输协议栈中可以有效缩短查表时间，降低传输延时；采用设置优先级的策略用于当负载多个RTP或RTCP数据发送模块时可能会产生的冲突问题，相比于传统的将数据缓存的方法，可以有效节约硬件资源。
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公开(公告)号：CN115914872B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211599385.9
申请日：2022-12-12
Applicant: 大连理工大学
IPC: H04N25/78 , H04N25/57 , H04N25/616 , H04N25/65
Abstract: 本发明提出一种实现像素内CDS的具有高动态范围的CTIA读出电路，属于图像传感器读出电路技术领域。本发明提出的读出电路可以单独操作，根据不同的光源强度结合自选电容技术能够选择合适的积分电容，扩大其动态范围。在光信号较弱的情况下，使用小电容作为积分电容，同时将未使用的大电容作为带宽限制电容，能够有效降低电路噪声。在光信号较强的情况下，使用大电容和小电容并联作为积分电容，能够扩大探测光电流的范围。为了兼容ITR和IWR两种工作模式，本发明在传统的CDS结构中增加一路采样保持电路，能够使得每一帧的周期近似等于信号读出的时间，读出速率大大加快。
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公开(公告)号：CN117527327A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311435934.3
申请日：2023-11-01
Applicant: 河北工业大学 , 电子科技大学(深圳)高等研究院 , 大连理工大学
IPC: H04L9/40 , H04L9/00 , G06N3/0464 , G06N3/086 , G06F18/213 , G06F18/23213 , G06F18/2415 , G06N3/048
Abstract: 本发明属于物联网入侵检测技术领域，提出了一种可信的多目标神经演化入侵检测框架，尽可能保证入侵检测警报数据不被篡改。针对入侵检测警报数据的信息安全保护，通过节点信用评级，设计奖励和惩罚机制来加强节点上传可信警报数据；在入侵检测模型方面，针对基于深度学习的入侵检测模型的自动化设计问题，通过多目标演化算法来演化一些出参数量小并且准确度尽可能高的卷积神经网络结构；并设计新的卷积块结构用于搜索空间，以进一步增强模型特征提取能力；经过神经网络架构搜索会产生多个帕累托解，最终通过提出自适应权重的决策方法决策出最终解。
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