公开(公告)号：CN101540477B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200910138134.9

申请日：2005-11-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山田英司 ,  神川刚 ,  荒木正浩

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/323 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433

Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体器件及其制造方法。所述器件防止裂纹产生、带有具有均匀厚度和好的生长表面平整度的氮化物半导体薄膜，且因此特性稳定，而且能以满意的成品率制造。在此氮化物半导体器件中，氮化物半导体薄膜生长于在垂直于脊表面的方向与晶体方向 之间具有倾斜角的衬底上。这有助于减小或有意加速在其整个迁移中氮化物半导体薄膜的源材料的原子或分子的扩散或移动。结果，能形成具有好的表面平整度的氮化物半导体生长层，且因此能获得具有满意特性的氮化物半导体器件。

公开(公告)号：CN101931164A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN201010258196.6

申请日：2005-11-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山田英司 ,  神川刚 ,  荒木正浩

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/32341 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体器件及其制造方法。所述器件防止裂纹产生、带有具有均匀厚度和好的生长表面平整度的氮化物半导体薄膜，且因此特性稳定，而且能以满意的成品率制造。在此氮化物半导体器件中，氮化物半导体薄膜生长于在垂直于脊表面的方向与晶体方向 之间具有倾斜角的衬底上。这有助于减小或有意加速在其整个迁移中氮化物半导体薄膜的源材料的原子或分子的扩散或移动。结果，能形成具有好的表面平整度的氮化物半导体生长层，且因此能获得具有满意特性的氮化物半导体器件。

公开(公告)号：CN101119012B

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200710149024.3

申请日：2005-05-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 神川刚 ,  山田英司 ,  荒木正浩

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/223 ,  H01S5/30 ,  H01S5/323 ,  H01L33/00

Abstract: 在具有形成于其上的作为凹陷部分的刻槽区域的已处理衬底上，布置氮化物半导体薄膜。填充所述凹陷部分的所述氮化物半导体薄膜占据的截面面积为所述凹陷部分的截面面积的0.8倍或更低。

公开(公告)号：CN100508311C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200510119342.6

申请日：2005-11-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山田英司 ,  神川刚 ,  荒木正浩

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/323 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433

Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体器件及其制造方法。所述器件防止裂纹产生、带有具有均匀厚度和好的生长表面平整度的氮化物半导体薄膜，且因此特性稳定，而且能以满意的成品率制造。在此氮化物半导体器件中，氮化物半导体薄膜生长于在垂直于脊表面的方向与晶体方向 之间具有倾斜角的衬底上。这有助于减小或有意加速在其整个迁移中氮化物半导体薄膜的源材料的原子或分子的扩散或移动。结果，能形成具有好的表面平整度的氮化物半导体生长层，且因此能获得具有满意特性的氮化物半导体器件。

公开(公告)号：CN101179178A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200710197022.1

申请日：2005-11-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山田英司 ,  神川刚 ,  荒木正浩

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433

Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体器件及其制造方法。所述器件防止裂纹产生、带有具有均匀厚度和好的生长表面平整度的氮化物半导体薄膜，且因此特性稳定，而且能以满意的成品率制造。在此氮化物半导体器件中，氮化物半导体薄膜生长于在垂直于脊表面的方向与晶体方向 之间具有倾斜角的衬底上。这有助于减小或有意加速在其整个迁移中氮化物半导体薄膜的源材料的原子或分子的扩散或移动。结果，能形成具有好的表面平整度的氮化物半导体生长层，且因此能获得具有满意特性的氮化物半导体器件。