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公开(公告)号：CN1151614A
公开(公告)日：1997-06-11
申请号：CN96120192.4
申请日：1996-09-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/00
CPC classification number: H01L31/103 , H01L27/1446 , H01L31/035281 , H01L31/1876 , Y02E10/50
Abstract: 一种光接收元件，包括：第一导电类型的半导体衬底；形成于第一导电类型半导体衬底表面预定区域的第二导电类型的第一半导体层；以及至少一块其形成方式是从第二导电类型的第一半导体层的上表面延伸至第一导电类型的半导体衬底表面的第一导电类型半导体区域，其中第一导电类型半导体衬底的电阻率设定为在施加反向偏压时形成于第一导电类型半导体衬底的耗尽层深度Xd与第一导电类型的半导体区域的扩散深度Xj之间满足Xd≥Xj的关系。
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公开(公告)号：CN102853811A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210218576.6
申请日：2012-06-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G01C3/10
CPC classification number: G01S17/48 , G01C3/08 , G01S7/4813 , G02B1/041 , G02B7/022 , G02B19/0014 , G02B19/0085
Abstract: 一种光学式测距装置。把保持发光透镜（5）和受光透镜（6）的由金属构成的透镜框架（11）保持在由遮光性树脂构成的二次模制件（9）与三次模制件（10）之间。向形成在二次模制件（9）上表面的固定孔（9a）和形成在透镜框架（11）的通孔（11a）填充用于形成三次模制件（10）的遮光性树脂，以形成锚定（10a）。把透镜框架（11）由金属构成，由于即使周围温度变化和自身发热也几乎不热膨胀，所以几乎没有透镜之间距离变化量的差。由于利用锚定（10a）把透镜框架（11）固定在二次模制件（9）与三次模制件（10）之间，所以能够抑制在透镜框架（11）与二次模制件（9）和三次模制件（10）之间产生的由热膨胀系数差引起的滑移。
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公开(公告)号：CN102853809A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210222556.6
申请日：2012-06-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G01C3/00
CPC classification number: G01C3/085
Abstract: 本发明提供一种光学式测距装置及电子设备。该光学式测距装置中，在由遮光性树脂形成的二次模制件（9）及三次模制件（10）之间保持透镜架（11），该透镜架（11）由金属形成，保持发光透镜（5）及受光透镜（6）。透镜架（11）在表面及背面具有凹凸结构（11b）。因为大幅提高发光透镜（5）及受光透镜（6）与透镜架（11）的紧密结合力，所以能够防止发光透镜（5）、受光透镜（6）与透镜架（11）之间发生滑动。
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公开(公告)号：CN101839709B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201010120521.2
申请日：2010-02-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G01C3/00
CPC classification number: G01S17/48 , G01S7/4813
Abstract: 光学式测距传感器具有：用第1透光性树脂部分密封的红外LED；用第2透光性树脂部分密封的光接收元件；接触到所述第1、第2透光性树脂部分的遮光性树脂部分；驱动红外LED的驱动电路单元；控制光接收元件的光接收元件控制单元；以及用于控制所述驱动电路单元和光接收元件控制单元的控制单元。在该控制单元的控制下，使红外LED的驱动时间和光接收元件侧的曝光时间为同一定时，而且在不驱动红外LED的期间使光接收元件曝光与所述曝光时间相同的时间。求基于驱动红外LED时的曝光的输出和基于不驱动红外LED时的曝光的输出之间的输出差，根据该输出差进行测距。
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公开(公告)号：CN101655350B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200910162934.4
申请日：2009-08-20
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G01B11/026 , G01C3/08 , G01S7/481 , G01S17/48
Abstract: 一种光学式测距传感器，具备：与发光元件设置在同一平面上的受光元件(2)。受光元件(2)包括：受光部(21)，其具有多个单元(21A)且把从发光元件(1)发出而由被测定物反射的光进行聚光；闪存部(25)，其记忆受光部(21)中的规定位置；信号处理电路部(22)，其根据由多个单元(21A)得到的所述光的检测结果来检测受光部(21)中所述光的聚光位置，而且根据闪存部(25)记忆的规定位置与受光部(21)中所述光的聚光位置的相对关系来计测距测定物的距离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102096464A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010267419.5
申请日：2010-08-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G06F3/01
CPC classification number: G06F3/011 , G06F3/0304
Abstract: 本发明涉及光学式检测装置及电子设备。一种光学式检测装置，具备：面传感器即发光元件(2)、将从发光元件(2)射出的光束照射到测定对象物(20)的发光透镜部(4a)、对来自测定对象物(20)的反射光进行聚光的光接收透镜部(5a)、对由光接收透镜部(5a)聚光的来自测定对象物(20)的反射光进行检测的光接收元件(3)、以及对来自光接收元件(3)的光接收信号进行处理的信号处理部(7)。上述信号处理部(7)基于来自光接收元件(3)的光接收信号，根据光接收元件(3)上的光点位置或光点形状的其中至少一项检测出xy坐标平面上的测定对象物(20)的x坐标或y坐标的其中至少一项。
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公开(公告)号：CN1508880B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200310123928.0
申请日：2003-12-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/747
CPC classification number: H01L31/1113 , H03K17/04 , H03K17/74 , H03K17/79 , H03K17/7955
Abstract: 在CH1一侧的一光可控硅和在CH2一侧的一光可控硅中，在一P栅极扩散区33和一N型硅衬底31之间一肖特基势垒二极管44。采用这种布置，少数载流子从P栅极扩散区33向N型硅衬底31的注入受到限制，减少了残余载流子的数目，而且整流期间仍然在N型硅衬底31中过量的载流子向相对沟道侧移动的机会也得以减少，使整流特性得到改善。因而，通过与一LED相结合，就可提供一光触发耦合器，用以触发和控制负载。
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公开(公告)号：CN101655350A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910162934.4
申请日：2009-08-20
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G01B11/026 , G01C3/08 , G01S7/481 , G01S17/48
Abstract: 一种光学式测距传感器，具备：与发光元件设置在同一平面上的受光元件(2)。受光元件(2)包括：受光部(21)，其具有多个单元(21A)且把从发光元件(1)发出而由被测定物反射的光进行聚光；闪存部(25)，其记忆受光部(21)中的规定位置；信号处理电路部(22)，其根据由多个单元(21A)得到的所述光的检测结果来检测受光部(21)中所述光的聚光位置，而且根据闪存部(25)记忆的规定位置与受光部(21)中所述光的聚光位置的相对关系来计测距测定物的距离。
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公开(公告)号：CN1508881A
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN200310124615.7
申请日：2003-12-10
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/747 , H01L31/111
CPC classification number: H01L31/1113 , H01L27/144
Abstract: 在N型硅衬底41的整个宽度上形成沟道隔离区42，在左侧部分40a和右侧部分40b中形成光控晶闸管，其中在N型硅衬底41的几乎整个宽度上平行于沟道隔离区42形成每个光控晶闸管的阳极扩散区43、P栅扩散区44、阴极扩散区45，反向平行地布线。通过沟道隔离区阻止整流过程中沟道之间残余的空穴移动，由此抑制整流失败，以提高整流性能。而且，尽管半导体芯片被沟道隔离区分开，也可以获得用于控制约0.2A的负载电流的足够大的操作电流。因此，使用这些双向光控晶闸管芯片使之可以实现具有除去主晶闸管的廉价SSR。
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公开(公告)号：CN1508880A
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN200310123928.0
申请日：2003-12-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/747 , H01L31/111
CPC classification number: H01L31/1113 , H03K17/04 , H03K17/74 , H03K17/79 , H03K17/7955
Abstract: 在CH1一侧的一光可控硅和在CH2一侧的一光可控硅中，在一P栅极扩散区33和一N型硅衬底31之间一肖特基势垒二极管44。采用这种布置，少数载流子从P栅极扩散区33向N型硅衬底31的注入受到限制，减少了残余载流子的数目，而且整流期间仍然在N型硅衬底31中过量的载流子向相对沟道侧移动的机会也得以减少，使整流特性得到改善。因而，通过与一LED相结合，就可提供一光触发耦合器，用以触发和控制负载。
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