十字梁岛结构的硅力传感器

    公开(公告)号:CN2049351U

    公开(公告)日:1989-12-13

    申请号:CN89208086.8

    申请日:1989-05-30

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 王言 鲍敏杭

    Abstract: 本实用新型属半导体力传感器领域,包括硅膜芯片、力敏器件、陶瓷管座、玻璃底板几个部分。其中硅膜芯片设计成十字梁岛结构形式,力敏器件设置在应变梁接近边框的端点处,用半导体离子注入工艺制作。与通常的力传感器相比,本器件体积小,灵敏度高,而且稳定性、一致性也好,成本也较低。可广泛应用于小量程范围的力的测量、医用脉波测量等领域。

    双岛-梁-膜结构压力传感器

    公开(公告)号:CN88211371U

    公开(公告)日:1988-12-28

    申请号:CN88211371

    申请日:1988-01-22

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本实用新型是一种芯片为双岛——梁——膜结构的半导体压力传感器。碰梁横贯双岛,并将硅膜分为对称的两个部分,力敏元件设置在硅梁上。与传统的膜式结果相比。有将应力二次集中的效果,提高了传感器的灵敏度和线性度。可用于微压测量领域,也可用力和加速度的测量领域。

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