公开(公告)号：CN108398382A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201810109298.8

申请日：2018-02-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林汉轩 ,  时倩 ,  殷立峰 ,  沈健

IPC: G01N21/01

CPC classification number: G01N21/01

Abstract: 本发明属于光学低温测试系统领域，具体为一种基于Quantum Design综合物理性质测量系统的便携式自由光组件，分为三个部分：光学平板支架部分；视窗法兰部分；光斑定位装置。光学平板支架部分主体由标准光学平板构成，光学平板上需要加工通光孔。视窗法兰部分需要设计通光孔，同时设计固定通孔。视窗法兰的视窗镜片设计为可拆卸，根据需要进行更换。光斑定位装置由主要由光敏电阻与特氟龙片组成，用于光斑的定位。本发明解决了在狭小空间中将自由光引入目标系统的问题，同时本设计便携小巧，易于添加不同的光学元器件。光斑定位系统可以实现光斑在目标系统测试腔内的微调对准。

公开(公告)号：CN106252204A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610736892.0

申请日：2016-08-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 牛洁斌 ,  殷立峰 ,  沈健

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/0332 ,  H01L21/02076 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明属于微纳加工技术领域，具体为一种将庞磁阻锰氧化物薄膜在纳米尺度图形化的方法。本发明首先在已经生长了庞磁阻锰氧化物薄膜的钛酸锶衬底上旋涂电子束光刻胶并烘烤，然后使用电子束直写光刻技术曝光所需纳米尺度图形版图，显影定影后得到所需纳米尺度图形的胶掩蔽图形，然后沉积铝金属薄膜，之后去胶剥离出铝金属掩蔽图形，再使铝金属掩蔽层氧化后转化为氧化铝掩蔽层，然后用离子束刻蚀庞磁阻锰氧化物薄膜层形成庞磁阻锰氧化物图形，最后去掉氧化铝掩蔽层并清洗衬底。本发明解决了电子束胶在离子束刻蚀时与庞磁阻锰氧化物层刻蚀速率比差的问题，降低电子束胶的厚度需求，提高电子束直写光刻的分辨率；本发明也解决了有些电子束胶在刻蚀后难以去除的问题。

公开(公告)号：CN210163516U

公开(公告)日：2020-03-20

申请号：CN201920470169.1

申请日：2019-04-09

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱银燕 ,  叶碧莹 ,  郁扬 ,  黄海明 ,  王文彬 ,  高春雷 ,  吴施伟 ,  殷立峰 ,  沈健

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/50 ,  C23C14/54 ,  C30B23/02 ,  C30B23/06

Abstract: 本实用新型公开了一种大面积原子级精度激光分子束外延薄膜制备系统。本实用新型系统包括快速进样室、主腔及其配件、准分子激光器、气体传输组件、机械泵以及若干个分子泵。本实用新型通过利用二轴步进电机对激光光路中的全反镜进行控制，对系统中的氧气管、反射式高能电子衍射仪、样品加热组件进行修改以及对样品架、样品托重新设计，实现大样品均匀生长。本实用新型制备的样品具有生长面积大、表面平整、无颗粒物、各区域物理性质一致的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利