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公开(公告)号：CN117910282B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410315133.1
申请日：2024-03-19
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院) , 中国核动力研究设计院
IPC: G06F30/20 , G06F17/10 , G16C60/00 , G01N25/20 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明提出一种掺杂氧化物核燃料的热导率计算方法，包括：步骤1，建立掺杂材料对热传导过程中声子的散射系数计算模型；掺杂材料形成AxBy型固溶体材料；步骤2，分别建立掺杂材料中A类点阵缺陷和B类点阵缺陷所产生的声子散射系数计算模型；步骤3，建立计算替代原子导致的声子散射系数模型；步骤4，建立前述步骤中各声子散射系数模型中各参数的计算方法；步骤5，根据前述步骤中的结果计算掺杂材料的热导率。本发明基于掺杂前氧化物材料的热导率数据，经过计算即可直接获得掺杂后材料的热导率，无需额外单独制备热导率实验测量所需的标准尺寸样品，从而能够快速反映被研究材料产品的热物理性能状态，降低新材料的研发成本，缩短研发周期。
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公开(公告)号：CN118389266A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410485906.0
申请日：2024-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明属于生物医药微生物培养领域，提供了一种生物医药用微生物培养装置，包括培养壳，所述培养壳前侧表面铰接有壳门；供气调节组件，所述供气调节组件安装在培养壳顶侧；温湿度调节机构，所述温湿度调节机构安装在所述培养壳侧表面；取样机构，所述取样机构安装在所述培养壳内；本发明通过供气调节组件便于对培养壳内的细菌培养环境进行调节，便于进行氧气以及二氧化碳的更换调节，同时便于对培养壳内温湿度进行调节，保障培养壳内部温湿度稳定，便于工作者通过取样机构进行培养皿中微生物取样检测，且保障培养皿在培养壳中的放置稳定，避免出现晃动而出现培养皿错位的情况，且方便后续的清洗，提高效率。
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公开(公告)号：CN115700287B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211135266.8
申请日：2022-09-19
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳) , 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明提出一种高强耐辐照肿胀的控制棒芯体，In含量为7.50～8.50wt.％，Cd含量为5.50～6.00wt.％，Hf含量为0.50～0.80wt.％，Ti含量为0.06～0.20wt.％，Y含量为0.15～0.30wt.％，O含量为0.10～0.30wt.％，余量为Ag和不可避免的杂质。该控制棒芯体的制备方法包括：步骤1，以Ag‑In‑Cd预合金粉、Hf粉、纳米TiO2颗粒、纳米Y2O3颗粒为原料，进行球磨处理；步骤2，将球磨处理后的混合粉末装入磨具，采用热等静压烧结方法制备Ag‑In‑Cd合金；步骤3，Ag‑In‑Cd合金经过热轧和退火处理，制得最终的控制棒芯体。
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公开(公告)号：CN115700287A
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202211135266.8
申请日：2022-09-19
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳) , 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明提出一种高强耐辐照肿胀的控制棒芯体，In含量为7.50～8.50wt.％，Cd含量为5.50～6.00wt.％，Hf含量为0.50～0.80wt.％，Ti含量为0.06～0.20wt.％，Y含量为0.15～0.30wt.％，O含量为0.10～0.30wt.％，余量为Ag和不可避免的杂质。该控制棒芯体的制备方法包括：步骤1，以Ag‑In‑Cd预合金粉、Hf粉、纳米TiO2颗粒、纳米Y2O3颗粒为原料，进行球磨处理；步骤2，将球磨处理后的混合粉末装入磨具，采用热等静压烧结方法制备Ag‑In‑Cd合金；步骤3，Ag‑In‑Cd合金经过热轧和退火处理，制得最终的控制棒芯体。
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公开(公告)号：CN116685043B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202310361430.5
申请日：2023-04-07
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明公开了一种用于对撞机正电子产率优化的注入器结构，包括射频电子枪、热电子枪、多段S波段电子直线加速器、中部电子直线加速器，还包括偏转结构、正电子源、正负电子分离器和正电子阻尼环，所述正负电子分离器和正电子阻尼环设于偏转结构内，所述注入器各个部件之间通过束流传输的真空管道连通，所述注入器末端设有增强器，第三S波段电子直线加速器与第二S波段电子直线加速器之间连接设有周转回路传输线，所述周转回路传输线的左端部连接设有正电子阻尼环。本发明与现有技术相比的优点在于：为了改善现存对撞机正电子系统灵活性不足及产率较低的问题，本发明提出了一种稳定高效、经济实用的用于对撞机正电子产率优化的注入器结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116685043A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310361430.5
申请日：2023-04-07
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明公开了一种用于对撞机正电子产率优化的注入器结构，包括射频电子枪、热电子枪、多段S波段电子直线加速器、中部电子直线加速器，还包括偏转结构、正电子源、正负电子分离器和正电子阻尼环，所述正负电子分离器和正电子阻尼环设于偏转结构内，所述注入器各个部件之间通过束流传输的真空管道连通，所述注入器末端设有增强器，第三S波段电子直线加速器与第二S波段电子直线加速器之间连接设有周转回路传输线，所述周转回路传输线的左端部连接设有正电子阻尼环。本发明与现有技术相比的优点在于：为了改善现存对撞机正电子系统灵活性不足及产率较低的问题，本发明提出了一种稳定高效、经济实用的用于对撞机正电子产率优化的注入器结构。
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公开(公告)号：CN115679145B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211135233.3
申请日：2022-09-19
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳) , 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种控制棒中子吸收体材料及其制备方法，中子吸收体材料组份包括Ag‑I n‑Cd合金基体以及弥散均匀分布于Ag‑I n‑Cd合金基体中的氧化钇颗粒。其制备方法包括：步骤S1、称取Ag、CdO、I n、Cd、Y原料；步骤S2、采用多阶段熔炼工艺将Ag、CdO、I n、Cd、Y原料熔炼得到含有氧化钇颗粒的Ag‑I n‑Cd合金，多阶段熔炼工艺包括至少两个阶段的熔炼；步骤S3、将Ag‑I n‑Cd合金进行轧制变形处理，轧制完成后进行退火处理。与现有技术比较，本发明所提出的含有弥散分布的氧化钇颗粒的Ag‑I n‑Cd合金与屈服强度和抗拉强度提升了50％以上，在材料强度方面提升显著，且并不会对延伸率造成明显的下降，十分适用于制作控制棒芯体，从而保障核反应堆长期安全运行。
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公开(公告)号：CN118389257A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410485924.9
申请日：2024-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明属于基因检测技术领域，提供了一种生物医药检测用的基因检测装置，包括：基因检测组件；侧板，侧板可拆卸的安装在基因检测组件的左侧；开合组件，开合组件安装在基因检测组件的上方；联动升降组件，联动升降组件设置在基因检测组件的内部；开合组件和联动升降组件通过传动皮带连接在一起，联动升降组件上可拆卸安装有一基因检测盒；本发明能够实现在打开盖合板的同时升降板竖直向上移动，在关闭盖合板的同时升降板竖直向下移动，当盖合板被完全打开之后，升降板将会位于上方，从而便于工作人员将待检测的样本溶液置于基因检测盒的内部，从而极大的提高了检测的效率，使基因检测更加方便。
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公开(公告)号：CN118166105A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410449406.1
申请日：2024-04-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C12Q1/6886 , C12Q1/6816 , C12N15/11 , B01L3/00 , C12M1/00 , C12M1/12
Abstract: 本发明公开了一种能够快速检测结直肠癌的试剂盒，所述试剂盒包括miRNA‑21检测试纸条、能够分离全血的微流控装置，其中：所述miRNA‑21检测试纸条由样品垫、样品结合垫、检测垫、吸水垫和底板构成，样品垫、样品结合垫、检测垫、吸水垫依次粘贴在底板上；所述微流控装置包括位于上方的顶盖和位于下方的装置主体，装置主体的上表面设置有血细胞分离I区和血细胞分离II区，血细胞分离I区内设有过滤装置，过滤装置由多排不同间隙的微柱组成，血细胞分离II区由数个漏斗结构构成。该试剂盒将miRNA‑21作为被检测的标志物，用来反映结直肠癌的患病情况，具有体积小、检测快速、成本低和准确度高等优势。
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公开(公告)号：CN115679145A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211135233.3
申请日：2022-09-19
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳) , 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种控制棒中子吸收体材料及其制备方法，中子吸收体材料组份包括Ag‑I n‑Cd合金基体以及弥散均匀分布于Ag‑I n‑Cd合金基体中的氧化钇颗粒。其制备方法包括：步骤S1、称取Ag、CdO、I n、Cd、Y原料；步骤S2、采用多阶段熔炼工艺将Ag、CdO、I n、Cd、Y原料熔炼得到含有氧化钇颗粒的Ag‑I n‑Cd合金，多阶段熔炼工艺包括至少两个阶段的熔炼；步骤S3、将Ag‑I n‑Cd合金进行轧制变形处理，轧制完成后进行退火处理。与现有技术比较，本发明所提出的含有弥散分布的氧化钇颗粒的Ag‑I n‑Cd合金与屈服强度和抗拉强度提升了50％以上，在材料强度方面提升显著，且并不会对延伸率造成明显的下降，十分适用于制作控制棒芯体，从而保障核反应堆长期安全运行。
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