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公开(公告)号：CN103212774B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310177071.4
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K10/00
Abstract: 自由曲面光学零件的大气等离子体数控加工的装置，它属于等离子体加工大口径非球面光学零件的技术领域。它是为了解决高精度大口径非球面光学零件的加工效率和表面质量问题。它的五轴联动数控机床的绝缘工作架上安装有大口径的等离子体炬或中口径的等离子体炬或小口径的等离子体炬；将待加工光学零件装卡在地电极上；大口径的等离子体炬或中口径的等离子体炬或小口径的等离子体炬分别对待加工光学零件待加工表面进行大气等离子体数控加工。本发明能采用不同类型的等离子体炬进行大气等离子体加工。
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公开(公告)号：CN103273149B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310177039.6
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23H3/00
Abstract: 水电极大气等离子体加工大口径非球面光学零件的方法，它属于等离子体加工大口径非球面光学零件的技术领域。它是为了解决高精度大口径非球面光学零件的加工效率和表面质量问题。它的步骤一：将成形电极连接在工作架上；步骤二：在待加工光学零件的下方的所有喷头喷出的水都接地；步骤三：使成形电极靠近待加工光学零件的待加工表面；步骤四：预热射频电源和混合等离子体气源；步骤五：使所有喷头喷出的水都喷射到待加工光学零件的下端面上，启动射频电源；步骤六：使所有喷头进行左右移动和前后移动；步骤七：取出待加工光学零件。本发明采用直线式排列的水射流作为电极来进行等离子体加工，水射流可以保证在每条直线上的放电特性相同。
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公开(公告)号：CN103213172B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201310177066.3
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B26F3/06
Abstract: 水电极大气等离子体加工大口径非球面光学零件的装置，它属于等离子体加工大口径非球面光学零件的技术领域。它是为了解决高精度大口径非球面光学零件的加工效率和表面质量问题。它的成形电极的上端面连接在工作架上；在待加工零件的下方设置的所有喷头喷出的水都喷射到待加工光学零件的下端面上，所有喷头喷出的水都接地；成形电极靠近待加工光学零件的待加工表面；放电间隙附近设置有出气管，出气管的进气端口与混合等离子体气源的出气端口导气连通。本发明采用直线式排列的水射流作为电极来进行等离子体加工，多条水射流可以保证在每条直线上的放电特性相同，避免放电不均匀的问题。
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公开(公告)号：CN103273149A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310177039.6
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23H3/00
Abstract: 水电极大气等离子体加工大口径非球面光学零件的方法，它属于等离子体加工大口径非球面光学零件的技术领域。它是为了解决高精度大口径非球面光学零件的加工效率和表面质量问题。它的步骤一：将成形电极连接在工作架上；步骤二：在待加工零件的下方的所有喷头喷出的水都接地；步骤三：使成形电极靠近待加工光学零件的待加工表面；步骤四：预热射频电源和混合等离子体气源；步骤五：使所有喷头喷出的水都喷射到待加工光学零件的下端面上，启动射频电源；步骤六：使所有喷头进行左右移动和前后移动；步骤七：取出待加工光学零件。本发明采用直线式排列的水射流作为电极来进行等离子体加工，水射流可以保证在每条直线上的放电特性相同。
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公开(公告)号：CN103258709A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310177075.2
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 多个电极大气等离子体加工碳化硅密封环类零件的方法。它属于等离子体加工碳化硅密封环类零件的技术领域。它是为了解决碳化硅密封环类零件的难加工问题。它的步骤一：圆盘形电极架外圆面上竖直设置有多片薄片形电极；步骤二：将待加工碳化硅密封环类零件装卡在地电极上；步骤三：使每片薄片形电极的下端面都靠近待加工碳化硅密封环类零件的待加工表面；步骤四：预热射频电源和混合等离子体气源；步骤五：通入混合气体，启动射频电源；步骤六：控制所有薄片形电极的运动轨迹和在零件表面的驻留时间；步骤七：取出待加工碳化硅密封环类零件。本发明能对那些表面微结构形状具有周期重复性的密封环类零件表面进行高精度、高效率的加工。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103236392A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310177060.6
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 成型电极大气等离子体加工回转零件方法，它属于等离子体加工碳化硅或融石英等硅基材料回转类零件的技术领域。针对目前加工方法效率低和质量差的问题，提出了这种方法。它的步骤一：将旋转成形电极的上端面连接在转轴上；步骤二：将待加工零件装卡在载物台上；步骤三：使旋转成形电极靠近待加工零件的待加工表面；步骤四：预热射频电源和混合等离子体气源；步骤五：使旋转成形电极做回转运动，启动射频电源；步骤六：控制旋转成形电极的运动轨迹和在零件表面的驻留时间；步骤七：取出待加工零件。本发明专利采用成型电极大气等离子体加工，实现了全表面复映去除，同时解决了高精度回转零件的加工效率和质量问题。
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公开(公告)号：CN103231418B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310177067.8
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B26F3/06
Abstract: 模块化电极大气等离子体加工碳化硅密封环类零件的方法，它属于等离子体加工碳化硅密封环类零件的技术领域。它是为了解决碳化硅密封环类零件的难加工问题。它的步骤一：圆盘形电极架的面上设置有多个薄片形电极模块的安装孔；步骤二：待加工碳化硅密封环类零件装在地电极上；步骤三：薄片形电极模块的下端面都靠近待加工表面；步骤四：预热；步骤五：通入混合气体，启动射频电源；步骤六：控制薄片形电极模块的运动轨迹；步骤七、取出待加工碳化硅密封环类零件。本发明能对那些表面要求比较高的、加工难度比较大的、需要多个工序才能完成加工的密封环类零件表面进行先均匀的大去除、然后局部修琢的小去除、最后刻蚀微结构的高精度、高效率的加工。
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公开(公告)号：CN103236392B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201310177060.6
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 成型电极大气等离子体加工回转零件方法，它属于等离子体加工碳化硅或融石英等硅基材料回转类零件的技术领域。针对目前加工方法效率低和质量差的问题，提出了这种方法。它的步骤一：将旋转成形电极的上端面连接在转轴上；步骤二：将待加工零件装卡在载物台上；步骤三：使旋转成形电极靠近待加工零件的待加工表面；步骤四：预热射频电源和混合等离子体气源；步骤五：使旋转成形电极做回转运动，启动射频电源；步骤六：控制旋转成形电极的运动轨迹和在零件表面的驻留时间；步骤七：取出待加工零件。本发明专利采用成型电极大气等离子体加工，实现了全表面复映去除，同时解决了高精度回转零件的加工效率和质量问题。
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公开(公告)号：CN103264414B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201310177074.8
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B26F3/06
Abstract: 大气等离子体加工碳化硅密封环类零件的装置，它属于等离子体加工碳化硅密封环类零件的技术领域。它是为了解决碳化硅密封环类零件的难加工问题。它的圆盘形电极架的上端面上设置有多个薄片形电极模块的安装孔，当薄片形电极模块安装在圆盘形电极架上的安装孔时，薄片形电极模块与圆盘形电极架的直径所在直线共线，根据待加工面型的要求选择薄片形电极模块的个数；每片薄片形电极模块的下端面都靠近待加工碳化硅密封环类零件的待加工表面。本发明能对那些表面要求比较高的、加工难度比较大的、需要多个工序才能完成加工的密封环类零件表面进行先均匀的大去除、然后局部修琢的小去除、最后刻蚀微结构的高精度、高效率的加工。
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公开(公告)号：CN103233230B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201310177051.7
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23F3/00
Abstract: 气冷式等离子体保护气罩喷嘴，它属于等离子体加工设备的技术领域。它是为了解决大气等离子体加工过程中，周围环境对加工的影响，反应不充分，及加工温度过高导致工件产生热应力的问题。它的圆管形保护罩的内孔呈锥形，其内侧壁上有三个间隔120度分布通气孔，圆盘的外圆面呈锥形，圆管形炬管延长件上端外圆面镶嵌在圆管形保护罩上端内孔中，圆管形炬管延长件下端圆盘的外圆锥形面与圆管形保护罩的下端内圆面密封连接或之间设置有间隙，当圆管形炬管延长件下端圆盘的外圆锥形面与圆管形保护罩的下端内圆面之间设置有间隙时。本发明通入气体后，可有效冷却等离子体，降低等离子体温度，从而使大气等离子体可加工温度敏感材料，扩大了其应用范围。
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