公开(公告)号：CN109001791A

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201810582196.8

申请日：2018-06-07

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 朱嘉琦 ,  代兵 ,  王伟华 ,  刘康 ,  韩杰才

IPC: G01T1/29 ,  G01T7/00

Abstract: 金刚石位置灵敏探测器的束流位置定位方法，本发明属于位置灵敏探测领域，它要解决现有二维位置灵敏探测器的定位方法复杂、电极作用单一，相邻电极间隙大的问题。定位方法：一、采用磁控溅射法在单晶CVD金刚石表面镀上4个圆心角为90°扇形结构的Au电极；二、在无光辐照的条件下，测试偏压大小为U下的暗电流；三、采用复色光或者单色光照射金电极，沿着X轴方向改变光束位置，分别测试得到正向偏压和反向偏压大小为U下不同位置的光电流；四、数据处理，得出横向位置定位公式；五、采用复色光或者单色光照射金电极，沿Y轴方向改变光束位置；六、数据处理，得出纵向位置定位公式。本发明束流位置定位方法简单，电极面积大且电极间空隙小。

公开(公告)号：CN111826714A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010733639.6

申请日：2020-07-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 朱嘉琦 ,  代兵 ,  王伟华 ,  王杨 ,  舒国阳

IPC: C30B29/04 ,  C30B25/02 ,  C23C16/27 ,  C23C16/517

Abstract: 基于射频电源施加偏压以增强CVD金刚石异质外延形核的方法，本发明属于化学气相沉积法异质外延单晶金刚石生长领域，它为了解决绝缘异质衬底难以有效施加负偏压的问题。外延形核的方法：一、将底部开有凹槽腔的样品托放置于CVD腔体内的水冷台上，射频电源的一电极通过导线连接到CVD腔体外壳上并接地，射频电源的另一电极通过导线经水冷台连接到样品托上；二、将异质衬底放置在样品托中心位置，CVD腔体抽真空；三、升温过程，通入氢气；四、控制甲烷气体浓度，进行偏压增强形核；五、生长过程及结束。本发明通过射频电源，避免了直流偏压施加过程中绝缘异质衬底电势升高导致无法正常施加偏压，实现了绝缘异质衬底上高密度外延形核。