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公开(公告)号：CN101671028A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910073023.4
申请日：2009-09-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种硅烷气体的制备方法，它涉及一种电子气体的制备方法。本发明解决了现有制备硅烷气体的工艺中催化速率难控制、催化剂加料困难、回收难度大，以及在三烷氧基硅烷的制备过程中硅铜触体生产率低、反应活性低，催化剂遇水易失效、产物易水解，及醇利用率低的问题。本发明的制备方法是：一、利用硅粉和醇制备三烷氧基硅烷；二、制备催化缓释剂；三、采用步骤一的三烷氧基硅烷，在催化缓释剂的作用下反应制备得到硅烷气体。本发明制备三烷氧基硅烷的选择性达到95％，转化率为90％；本发明中三烷氧基硅烷的分解率为99.8％，硅烷产率为90～93％，纯度为99％，硅烷可用于制造非晶硅薄膜太阳能电池及LED、LCD行业。
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公开(公告)号：CN110668446B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201911053850.7
申请日：2019-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/963
Abstract: 耐高温SiC气凝胶的制备方法，它涉及一种气凝胶的制备方法。本发明是为了解决现有制备SiC气凝胶的方法产率低、气凝胶的微观结构易破坏的技术问题。本方法如下：一、制备A液、B液并将A液、B液混合得水解液；二、制备湿凝胶；三、制备气凝胶；四、将气凝胶与镁粉反应后，清洗、干燥，即得SiC气凝胶。本发明采用镁热还原，在惰性气体保护下，将气凝胶前驱体还原为SiC气凝胶。成功避免了R1SiO1.5还原过程中SiO气体的产生，最大程度上保持产物形貌完整。经超临界干燥制备了孔道结构均一、形状完整的有机硅气凝胶。本发明属于气凝胶的制备领域。
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公开(公告)号：CN108328625B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201810058159.7
申请日：2018-01-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B39/40
Abstract: 一种中空多级孔ZSM‑5分子筛的制备方法，本发明涉及ZSM‑5分子筛的制备方法，本发明是要解决现有的ZSM‑5分子筛孔径分布单一、分散性差、水热稳定性差的技术问题。本方法，先将表面活性剂、水、无机碱和铝源混合均匀，再滴加硅源，在70～90℃搅拌，再加入有机模板剂，再继续在70～90℃搅拌，然后水热晶化，焙烧，得到中空多级孔ZSM‑5分子筛，该分子筛具有介孔微孔复合的多级孔结构，分散度高，可用于催化反应中。
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公开(公告)号：CN112959902A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110175178.X
申请日：2021-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本申请涉及一种阵列式磁耦合发射装置、系统及无人机充电方法。所述阵列式磁耦合发射装置包括阵列式平面供电网、磁芯和原边控制器，所述阵列式平面供电网的两个平面分别为充电面和底面，所述磁芯布设在所述底面，所述充电面用于承载待充电无人机；所述阵列式平面供电网主要由阵列式正六边形磁耦合发射线圈构成，两个或两个以上磁耦合发射线圈可构成一个多相的单体发射单元。本申请拓展了阵列式磁耦合发射装置充电区域，通过采用若干个磁耦合线圈灵活组合的方式构成的平面供电网，大大提高了系统容错位能力。
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公开(公告)号：CN109181639B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201811049851.X
申请日：2018-09-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K3/00
Abstract: 一种SiC@SiO2@铁氧体高温吸波复合材料及其制备方法，它涉及高温吸波复合材料及其制备方法。它是要解决现有的吸波材料制备工艺复杂、吸波范围较窄、无屏蔽效应的技术问题。本发明的吸波复合材料是以SiC为核，核外包覆SiO2层，在SiO2层上粘附着铁氧体粒子。制法：一、碳化硅表面预处理；二、合成包覆二氧化硅的碳化硅SiC@SiO2；三、SiC@SiO2经敏化、活化后，在碱液中与制备铁氧体的盐、强还原剂进行反应，然后再焙烧，得到SiC@SiO2@铁氧体高温吸波复合材料。本材料在8～12GHz波段和Ku波段的反射损耗均低于‑5dB，最大反射损耗达到‑14dB，可用于吸波材料领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109346848B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201811284361.8
申请日：2018-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 一种SiC‑铁氧体/碳质材料高温吸波复合材料及其制备方法，它涉及吸波复合材料，综是要解决现有的吸波材料加工复杂、成本较高、吸波效果差的技术问题。本发明的吸波复合材料是由铁氧体、碳化硅和碳质材料组成；制备方法：一、碳化硅表面预处理；二、将亲水性碳化硅、制备铁氧体的可溶性盐、氟化物、沉淀剂、碳质材料、硅烷偶联剂、醇和水混合均匀，经水热合成后得到前驱体；再将前驱体焙烧，得到该吸波复合材料。它在8‑12GHz的X波段达到90％吸收，其反射损耗均低于‑10dB，最大反射损耗达到‑28dB。可用于地面核反应堆系统的监控、原油勘探、环境监测及航空、航天、雷达、通讯系统、大功率的电子转换器及汽车马达领域。
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公开(公告)号：CN110734552A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201911053435.1
申请日：2019-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C08G77/54 , C08G77/50 , C01B32/977
Abstract: 一种高纯碳化硅多晶粉源前驱体的制备方法，本发明涉及硅碳树脂的制备方法，本发明是要解决现有的碳化硅多晶粉源的制备方法的纯度低、成本高的技术问题。本方法：在超声振荡条件下，将高纯聚合类单体和高纯催化类单体的混合液滴入温度为60～80℃超纯水中反应，反应完毕后过滤，得到硅碳树脂；再用高纯氩气对硅碳树脂除杂处理，过滤、干燥后，得到高纯碳化硅多晶粉源。本发明制备的高纯碳化硅多晶粉源中金属杂质含量在0.01～0.05ppm之间，金属杂质累计含量低于1ppm，且成本低，可用于高纯碳化硅热解制备领域。
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公开(公告)号：CN109346848A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811284361.8
申请日：2018-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 一种SiC-铁氧体/碳质材料高温吸波复合材料及其制备方法，它涉及吸波复合材料，综是要解决现有的吸波材料加工复杂、成本较高、吸波效果差的技术问题。本发明的吸波复合材料是由铁氧体、碳化硅和碳质材料组成；制备方法：一、碳化硅表面预处理；二、将亲水性碳化硅、制备铁氧体的可溶性盐、氟化物、沉淀剂、碳质材料、硅烷偶联剂、醇和水混合均匀，经水热合成后得到前驱体；再将前驱体焙烧，得到该吸波复合材料。它在8-12GHz的X波段达到90％吸收，其反射损耗均低于-10dB，最大反射损耗达到-28dB。可用于地面核反应堆系统的监控、原油勘探、环境监测及航空、航天、雷达、通讯系统、大功率的电子转换器及汽车马达领域。
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公开(公告)号：CN108584980A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810058093.1
申请日：2018-01-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B39/40
Abstract: 一种低成本ZSM-5分子筛的制备方法，本发明涉及ZSM-5分子筛的制备方法。本发明是要解决现有的无模板制备ZSM-5分子筛的方法操作过程繁琐、耗时长使成本提高的技术问题。本方法：先将聚乙烯吡咯烷酮、水、固体碱和铝源混合均匀，滴加硅源，倒入在敞口容器中搅拌，在搅拌过程中补入水，得到前驱液，前驱液晶化后洗涤干燥得到粉体，最后焙烧，得到ZSM-5分子筛。该分子筛具有规整的六棱柱形貌具有0.47～0.65nm的微孔，可用于催化领域。
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公开(公告)号：CN101671028B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200910073023.4
申请日：2009-09-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种硅烷气体的制备方法，它涉及一种电子气体的制备方法。本发明解决了现有制备硅烷气体的工艺中催化速率难控制、催化剂加料困难、回收难度大，以及在三烷氧基硅烷的制备过程中硅铜触体生产率低、反应活性低，催化剂遇水易失效、产物易水解，及醇利用率低的问题。本发明的制备方法是：一、利用硅粉和醇制备三烷氧基硅烷；二、制备催化缓释剂；三、采用步骤一的三烷氧基硅烷，在催化缓释剂的作用下反应制备得到硅烷气体。本发明制备三烷氧基硅烷的选择性达到95％，转化率为90％；本发明中三烷氧基硅烷的分解率为99.8％，硅烷产率为90～93％，纯度为99％，硅烷可用于制造非晶硅薄膜太阳能电池及LED、LCD行业。
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