公开(公告)号：CN113054058A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202110281429.2

申请日：2021-03-16

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 田浩 ,  李帅 ,  谭鹏 ,  孟祥达

IPC: H01L31/18 ,  H01B13/00 ,  G03F7/20

Abstract: 一种柔性疏水基衬底上图案化刻蚀PEDOT:PSS透明电极的紫外光刻方法，本发明涉及一种柔性疏水基衬底上图案化刻蚀PEDOT:PSS透明电极的紫外光刻方法。本发明的目的是要解决现有在柔性疏水基衬底上旋涂水基溶液时，难实现良好的图案化刻蚀的问题，本发明在清洗后的基底上旋涂聚酰亚胺，固化后再旋涂光刻胶，烘干后得到光刻胶层；使用紫外光刻机曝光将光刻胶层图案化，烘干后获得带有预设图案光刻胶层的基底；在带有预设图案化光刻胶层的基底上旋涂法沉积PEDOT:PSS薄膜，浸泡在有机溶剂中，超声清洗，氮气吹干即完成。本发明应用于有机薄膜电极加工刻蚀及应用研究领域。

公开(公告)号：CN104131333B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201410395008.2

申请日：2014-08-12

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 田浩 ,  周忠祥 ,  胡程鹏 ,  孟祥达

IPC: C30B15/00 ,  C30B29/30

Abstract: K0.5Na0.5NbO3单晶的制备方法，它涉及一种单晶的制备方法。本发明为了解决现有方法制备的铌酸钾钠单晶尺寸较小、内应力大的技术问题。本方法如下：将K2CO3粉末、Na2CO3粉末和Nb2O5粉末混合放入坩埚内加热，再在生长炉中生长，采用顶部籽晶助熔剂法，在籽晶杆转速为10～25r/min的条件下旋转到单晶放肩至8mm～12mm，然后在提拉速度为2～2.5mm/h的条件下将单晶提拉至12mm～25mm，再将单晶提出，降至室温，即得。本发明的铌酸钾钠的单晶尺寸可为11mm×11mm×15mm。实现了缺陷少，漏电流小、压电常数大的铌酸钾钠单晶的制备。本发明属于单晶的制备领域。

公开(公告)号：CN104131333A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201410395008.2

申请日：2014-08-12

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 田浩 ,  周忠祥 ,  胡程鹏 ,  孟祥达

IPC: C30B15/00 ,  C30B29/30

Abstract: K0.5Na0.5NbO3单晶的制备方法，它涉及一种单晶的制备方法。本发明为了解决现有方法制备的铌酸钾钠单晶尺寸较小、内应力大的技术问题。本方法如下：将K2CO3粉末、Na2CO3粉末和Nb2O5粉末混合放入坩埚内加热，再在生长炉中生长，采用顶部籽晶助熔剂法，在籽晶杆转速为10～25r/min的条件下旋转到单晶放肩至8mm～12mm，然后在提拉速度为2～2.5mm/h的条件下将单晶提拉至12mm～25mm，再将单晶提出，降至室温，即得。本发明的铌酸钾钠的单晶尺寸可为11mm×11mm×15mm。实现了缺陷少，漏电流小、压电常数大的铌酸钾钠单晶的制备。本发明属于单晶的制备领域。