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公开(公告)号：CN113020736A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110318785.7
申请日：2021-03-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种方钴矿热电材料与铜电极的钎焊连接方法，涉及钎焊连接技术领域。本发明的目的是要解决现有方钴矿与铜电极钎焊连接过程中方钴矿与铜电极之间易发生元素扩散以及焊接接头强度低的问题。方法：将方钴矿热电材料的待焊面电镀CoMo合金镀层，抛光、超声清洗，得到待焊方钴矿热电材料；将铜电极的待焊面进行打磨和超声清洗、吹干；将SAC305钎料与待焊方钴矿热电材料和待焊铜电极装配，得到待焊连接件，在真空环境下升温至400～500℃并保温1～5min，降至室温，完成方钴矿热电材料与铜电极的钎焊连接。本发明可获得一种方钴矿热电材料与铜电极的钎焊连接方法。
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公开(公告)号：CN112388143A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011163367.7
申请日：2020-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种混合粉末中间层的镍基单晶高温合金TLP焊接的方法，涉及一种镍基合金TLP焊接的方法。目的是解决镍基单晶高温合金在焊接过程中，焊缝产生脆性相导致接头性能下降的问题。方法：镍基单晶高温合金打磨清洗，在待焊面上涂抹BNi2粉和Al粉混合钎料，进行TLP扩散焊。本发明方法在液相扩散连接过程中引入了混合粉末中间层，通过Al元素的加入减少了脆性相，提高了焊缝的可靠性。本发明适用于镍基单晶高温合金TLP焊接。
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公开(公告)号：CN108581253B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201810380996.1
申请日：2018-04-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K28/02
Abstract: 一种三明治型石墨烯基散热板的封装方法，它涉及一种石墨烯基散热板的封装方法。本发明的目的是要解决现有石墨烯基散热板封装时焊接可靠性难以保证、焊后焊接构件的应力很大、铝合金易熔透的问题。封装方法：一、激光打孔，得到带孔石墨烯；二、表面金属化，得到金属化石墨烯；三、装配与封装，得到三明治型石墨烯基散热板。优点：石墨烯封装后金属化石墨烯与铝板之间的接头室温抗剪强度达到7MPa以上。本发明主要用于石墨烯封装。
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公开(公告)号：CN109175764B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811101772.9
申请日：2018-09-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K35/14 , B23K35/30 , B23K1/008 , B23K103/12
Abstract: 一种石墨烯海绵中间层辅助钎焊的方法，本发明涉及钎焊C/C复合材料的方法领域。本发明要解决现有C/C复合材料钎焊连接中，残余应力大导致可靠性低的技术问题。方法：一、切割C/C复合材料，清洗；二、将石墨烯海绵沿着平行于横截面的方向切成薄片；三、将AgCuTi粉末钎料进行压片处理；四、组合装配，压紧；五、钎焊。本发明通过石墨烯海绵中间层与钎料中Ti原位反应，在钎缝中生成均匀分布的TiC增强相，细化并增强钎缝基体组织，同时阻碍脆性Cu2Ti在钎缝中形成，进而提高所得接头的力学性能，抗剪强度可达到55MPa。本发明方法用于C/C复合材料钎焊连接领域中。
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公开(公告)号：CN108620767B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201810434005.3
申请日：2018-05-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于钎焊石英短纤维增强二氧化硅复合材料与Invar合金的复合钎料的制备方法，涉及一种复合钎料及其制备方法。是要解决现有焊接SiO2f/SiO2复合材料与Invar合金，接头在400℃以上采用活性钎料钎焊接头微观组织产生大量脆性化合物的问题，该复合钎料是由Cu粉、少层石墨烯和TiH2组成。方法：一、Cu粉、TiH2粉末的称重；二、CuTi钎料原位生长石墨烯；三、VFG/Cu粉与TiH2的机械混合。采用本发明钎料钎焊后接头的抗剪强度由原来的5MPa提高到15MPa，提高幅度为200％。本发明用于钎料领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109175764A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811101772.9
申请日：2018-09-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K35/14 , B23K35/30 , B23K1/008 , B23K103/12
Abstract: 一种石墨烯海绵中间层辅助钎焊的方法，本发明涉及钎焊C/C复合材料的方法领域。本发明要解决现有C/C复合材料钎焊连接中，残余应力大导致可靠性低的技术问题。方法：一、切割C/C复合材料，清洗；二、将石墨烯海绵沿着平行于横截面的方向切成薄片；三、将AgCuTi粉末钎料进行压片处理；四、组合装配，压紧；五、钎焊。本发明通过石墨烯海绵中间层与钎料中Ti原位反应，在钎缝中生成均匀分布的TiC增强相，细化并增强钎缝基体组织，同时阻碍脆性Cu2Ti在钎缝中形成，进而提高所得接头的力学性能，抗剪强度可达到55MPa。本发明方法用于C/C复合材料钎焊连接领域中。
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公开(公告)号：CN108620767A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810434005.3
申请日：2018-05-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于钎焊石英短纤维增强二氧化硅复合材料与Invar合金的复合钎料及其制备方法，涉及一种复合钎料及其制备方法。是要解决现有焊接SiO2f/SiO2复合材料与Invar合金，接头在400℃以上采用活性钎料钎焊接头微观组织产生大量脆性化合物的问题，该复合钎料是由Cu粉、少层石墨烯和TiH2组成。方法：一、Cu粉、TiH2粉末的称重；二、CuTi钎料原位生长石墨烯；三、VFG/Cu粉与TiH2的机械混合。采用本发明钎料钎焊后接头的抗剪强度由原来的5MPa提高到15MPa，提高幅度为200％。本发明用于钎料领域。
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公开(公告)号：CN119973264A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510210806.1
申请日：2025-02-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于纳米银纸实现低温、低压连接方钴矿与金属电极的方法，涉及异种材料连接技术领域。本发明的目的是为了解决现有方钴矿与金属电极的连接温度过高，导致界面化学反应严重而降低接头的连接强度以及增加界面的接触电阻和接触热阻，进而导致热电器件的转换效率低的问题。本发明通过控制纳米银纸连接温度、保温时间和烧结压力，可有效控制烧结银组织结构，进而控制接头组织和性能；相比于常用的钎焊和扩散焊法，焊接温度低，焊接压力小；相比于纳米银膏烧结，烧结质量高，成本较低。本发明可获得一种基于纳米银纸实现低温、低压连接方钴矿与金属电极的方法。
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公开(公告)号：CN119952173A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510269104.0
申请日：2025-03-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于金属陶瓷复合阻隔层的方钴矿热电材料/电极高热稳定焊接方法，涉及一种用于方钴矿基热电材料与金属电极的连接方法。为了解决方钴矿与金属电极之间存在剧烈的元素扩散，使得其强度和界面电阻增大，进而焊接接头强度低和服役寿命降低的问题。本发明以金属陶瓷复合相作为扩散阻隔层的连接强度高，接头电阻低，长期服役下反应层厚度增长缓慢，因此保持良好的力学性能与使用性能。本发明可以通过选择不同的难熔金属和陶瓷调控整体阻隔层的组成和比例，可以通过控制焊接温度及保温时间可以控制界面反应层的种类、厚度及分布方式，进而控制焊接接头的强度及热/电输运性能。
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公开(公告)号：CN119387795A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411590803.7
申请日：2024-11-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K20/02 , B23K20/24 , B23K20/22 , B23K103/18
Abstract: 一种基于恒流电场作用下实现锆及其合金低温扩散连接的方法，涉及材料连接技术领域。本发明的目的是为了解决当前锆及其合金直接扩散连接中存在低连接温度下接头强度低，以及高连接温度下母材性能削减和焊后变形大的问题。本发明主要通过恒流电场作用下的电迁移效应，恒流电场提高锆及其合金的空位浓度和高温塑性共同促进扩散连接界面处的孔洞闭合和原子扩散，从而在低温下获得高强度锆及其合金接头。本发明可获得一种基于恒流电场作用下实现锆及其合金低温扩散连接的方法。
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