一种高储能密度的聚偏氟乙烯复合薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN104650509A

    公开(公告)日:2015-05-27

    申请号:CN201510018546.4

    申请日:2015-01-14

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明涉及一种高储能密度的聚偏氟乙烯复合薄膜的制备方法,利用静电纺丝法得到大长径比的钛酸锶钡纳米纤维,首先对其表面进行羟基化处理,再将表面羟基化处理过的BaxSr1-xTiO3纳米纤维进行氟化处理,之后分散在N,N-二甲基甲酰胺中,搅拌使其完全溶解;采用流延法将成膜,在70-100℃条件下干燥7-12h,再将经过保温、淬火、干燥步骤,得到高储能密度的聚偏氟乙烯复合薄膜。该方法制备的复合薄膜可提高PVDF的储能密度,可用于电容器、大功率静电储能的材料,具有简单易行、成本低、方便快速等优点,可规模化生产。

    一种用于110kV盆式绝缘子的氟化装置

    公开(公告)号:CN210956311U

    公开(公告)日:2020-07-07

    申请号:CN201922395551.3

    申请日:2019-12-26

    Abstract: 一种用于110kV盆式绝缘子的氟化装置,包括氟化箱、抽真空装置、气体收集装置和送气装置;氟化箱内设有加热装置和温度传感器,氟化箱上设有排气孔和进气孔;抽真空装置的进气端连接排气孔,抽真空装置的出气端连接气体收集装置的进气端;送气装置的出气端连接进气孔,送气装置的进气端连接输送含有氟气和氮气的混合气体的输气管。本实用新型利用直接氟化技术氟化环氧绝缘子表层,成本低廉且无需调整配方和生产工艺,氟化后的110kV盆式绝缘子的直流闪络电压提高10%-20%,圆盘绝缘子的表面电导率高了3个数量级,以达到提高其直流闪络性能的目的。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    适用于环氧绝缘子的氟化处理设备

    公开(公告)号:CN219979248U

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202321244427.7

    申请日:2023-05-22

    Abstract: 本实用新型提供适用于环氧绝缘子的氟化处理设备,属于绝缘保护技术领域。适用于环氧绝缘子的氟化处理设备,包括箱体,所述箱体内设置的滑轨平台,与所述箱体相连接的抽真空单元、氟化作业设备,所述箱体内包括反应空腔、在所述反应空腔上下端两面上设置的棱锥形导流腔,所述抽真空单元包括与所述箱体相连接的抽真空机、与所述抽真空机连接的三通阀C,所述氟化作业设备包括风管、作业核心,所述滑轨平台包括设置在所述箱体内的滑动轨、设置在所述滑动轨上的平台托板。在已有绝缘材料氟化处理的基础上,优化工艺流程,提高利用效率,提升氟化效果。

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