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公开(公告)号：CN102623486A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210084172.2
申请日：2012-03-23
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/32
Abstract: 本发明提出一种有机发光显示结构及有机发光显示器，其中有机发光显示结构包括一主动元件、一第一绝缘层、一氧化镁层以及一有机发光单元。主动元件包括一栅极、一源极、一漏极以及一氧化物通道层。第一绝缘层覆盖主动元件。氧化镁层设置于第一绝缘层上，并覆盖主动元件的氧化物通道层。氧化镁层具有一第一开口，暴露出部分第一绝缘层。有机发光单元设置于氧化镁层的第一开口内，有机发光单元包括一第一电极、一第二电极以及一发光层，发光层位于第一电极与第二电极之间，且第一电极经过第一绝缘层电性连接主动元件的漏极。
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公开(公告)号：CN101847654B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201010167036.0
申请日：2010-04-22
Applicant: 友达光电股份有限公司
Inventor： 谢信弘
Abstract: 本发明提供一种有机发光二极管显示器的像素结构及其制作方法，所述像素结构包括一第一晶体管以及一第二晶体管。第一晶体管包括一第一漏极与一第一源极。当第一漏极与第一源极间具有一电压差时，第一晶体管具有一第一次临界斜率。第二晶体管包括一第二漏极与一第二源极。当第二漏极与第二源极间具有此电压差时，第二晶体管具有一第二次临界斜率，且第二次临界斜率大于第一次临界斜率。本发明使第一晶体管的第一次临界斜率小于第二晶体管的第二次临界斜率，以差异化第一晶体管与第二晶体管的电流与电压特性，使第一晶体管可具有较快的开关速度，且第二晶体管则可提供多种不同的第二漏极电流。
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公开(公告)号：CN102339835A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110286451.2
申请日：2011-09-07
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77
Abstract: 一种半导体组件，设置于一基板上。半导体组件包括一第一信道层、一图案化掺杂层、一栅极介电层、一导电栅极、一第二通道层、一第一电极与一第二电极，以及一第三电极与一第四电极。第一信道层位于第一区域的基板上。图案化掺杂层包括一掺杂栅极位于第二区域的基板上，以及两个接触电极分别连接第一通道层的两侧。栅极介电层覆盖第一信道层与图案化掺杂层。导电栅极位于第一区域的栅极介电层上。第二信道层位于第二区域的栅极介电层上。第一电极与第二电极分别与各接触电极电性连接。第三电极与第四电极分别电性连接第二通道层的两侧。
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公开(公告)号：CN102163640A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110009706.0
申请日：2011-01-11
Applicant: 友达光电股份有限公司
Inventor： 谢信弘
Abstract: 本发明公开了一种紫外光感测显示装置，包括二个开关晶体管、二个光敏晶体管、二个电容以及二个发光二极管。各光敏晶体管的栅极分别电性连接至各开关晶体管的漏极与各电容的一端。各发光二极管的阳极电性连接至各光敏晶体管的漏极，且各发光二极管的阴极电性连接至一第一电压源。各光敏晶体管的源极电性连接至一第二电压源与各电容的另一端。各发光二极管分别产生不同颜色的光线。当紫外光持续照射光敏晶体管时，其中一光敏晶体管较另一光敏晶体管快开启。
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公开(公告)号：CN103633114B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201310464338.8
申请日：2013-10-08
Applicant: 友达光电股份有限公司
Inventor： 谢信弘
IPC: H01L27/32
CPC classification number: G06F3/1423 , G09G3/3225 , G09G2300/023 , G09G2300/0426 , G09G2300/0842
Abstract: 本发明提供一种双面发光式显示面板，其具有一前观看面以及一后观看面。双面发光式显示面板包括基板、第一、第二及第三上发光像素单元，以及第一、第二及第三下发光像素单元。基板具有多个第一及第二单元区域。第一、第二及第三上发光像素单元位于基板上。第一、第二及第三下发光像素单元于基板上。每一第一单元区域中设置一个第一上发光像素单元、一个第一下发光像素单元、一个第二上发光像素单元以及一个第二下发光像素单元。每一第二单元区域中设置一个第三上发光像素单元、一个第三下发光像素单元、一个第二上发光像素单元以及一个第二下发光像素单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103715271A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201410008913.8
申请日：2011-12-16
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/77 , H01L21/28 , H01L27/32
CPC classification number: H01L27/0688 , H01L27/1251
Abstract: 一种半导体组件，设置于一基板上。半导体组件包括一第一信道层、一图案化掺杂层、一栅极介电层、一导电栅极、一第二通道层、一第一电极与一第二电极，以及一第三电极与一第四电极。第一信道层位于第一区域的基板上。图案化掺杂层包括一掺杂栅极位于第二区域的基板上，以及两个接触电极分别连接第一通道层的两侧。栅极介电层覆盖第一信道层与图案化掺杂层。导电栅极位于第一区域的栅极介电层上。第二信道层位于第二区域的栅极介电层上。第一电极与第二电极分别与各接触电极电性连接。第三电极与第四电极分别电性连接第二通道层的两侧。
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公开(公告)号：CN103633114A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310464338.8
申请日：2013-10-08
Applicant: 友达光电股份有限公司
Inventor： 谢信弘
IPC: H01L27/32
CPC classification number: G06F3/1423 , G09G3/3225 , G09G2300/023 , G09G2300/0426 , G09G2300/0842
Abstract: 本发明提供一种双面发光式显示面板，其具有一前观看面以及一后观看面。双面发光式显示面板包括基板、第一、第二及第三上发光像素单元，以及第一、第二及第三下发光像素单元。基板具有多个第一及第二单元区域。第一、第二及第三上发光像素单元位于基板上。第一、第二及第三下发光像素单元于基板上。每一第一单元区域中设置一个第一上发光像素单元、一个第一下发光像素单元、一个第二上发光像素单元以及一个第二下发光像素单元。每一第二单元区域中设置一个第三上发光像素单元、一个第三下发光像素单元、一个第二上发光像素单元以及一个第二下发光像素单元。
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公开(公告)号：CN102437172B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201110342957.0
申请日：2011-10-25
Applicant: 友达光电股份有限公司
CPC classification number: H01L51/524
Abstract: 一种镜面电激发光显示面板，包括一阵列基板、多个驱动元件、多个电激发光元件，以及一上盖基板。驱动元件位于阵列基板上。电激发光元件位于阵列基板上，且各电激发光元件包括一第一电极与对应的驱动元件电性连接、一发光层位于第一电极上，以及一第二电极位于发光层上。上盖基板与阵列基板对向设置。上盖基板具有多个透光区，以及一反射区位于相邻的透光区之间，其中各透光区大体上分别对应各发光层。本发明的镜面电激发光显示面板的上盖基板的透光区可提供高亮度与无色偏的显示画面，而上盖基板的透光区以外的反射区则可有效反射环境光线发挥镜面效果。
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公开(公告)号：CN103035667A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210587789.6
申请日：2012-12-31
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种镜面AMOLED显示设备及其制造方法。该显示设备包括：薄膜晶体管阵列基板；第一保护层，位于阵列基板的上方，包括一薄膜晶体管，以定义发光区域和非发光区域；第二保护层，位于第一保护层的上方；有机发光二极管，包括：阳极，其在竖直方向上对应于薄膜晶体管；有机发光元件，位于阳极的上方；以及阴极，设置于第二保护层的上方以及有机发光元件的上方；金属反射薄膜，沉积于阴极的上方，其在竖直方向上对应于非发光区域；以及玻璃盖板，与阵列基板相对设置。采用本发明，将金属反射薄膜沉积于OLED阴极的上方且在竖直方向上对应于非发光区域，从而避免因金属反射薄膜与OLED电极间的单元间隙所造成的影像模糊。
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公开(公告)号：CN102496621A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110424194.4
申请日：2011-12-16
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77
Abstract: 一种半导体组件，设置于一基板上。半导体组件包括一第一信道层、一图案化掺杂层、一栅极介电层、一导电栅极、一第二通道层、一第一电极与一第二电极，以及一第三电极与一第四电极。第一信道层位于第一区域的基板上。图案化掺杂层包括一掺杂栅极位于第二区域的基板上，以及两个接触电极分别连接第一通道层的两侧。栅极介电层覆盖第一信道层与图案化掺杂层。导电栅极位于第一区域的栅极介电层上。第二信道层位于第二区域的栅极介电层上。第一电极与第二电极分别与各接触电极电性连接。第三电极与第四电极分别电性连接第二通道层的两侧。
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