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公开(公告)号：CN106229400A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610844006.6
申请日：2016-09-23
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/38 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法。一种发光二极管，包含：磊晶基板；N型半导体层，位于所述磊晶基板表面之上；发光层，位于所述N型半导体层表面之上，定义发光层的上表面为第一表面，发光层的下表面为第二表面；P型半导体层，位于所述发光层第一表面之上；P型金属电极，位于所述P型半导体层表面之上；包含金属反射层结构的N型金属电极，位于局部裸露之N型半导体层表面之上，定义金属反射层结构的上表面为第三表面，金属反射层结构的下表面为第四表面；其特征在于：所述第三表面的高度大于等于第一表面的高度，所述第四表面的高度小于等于第二表面的高度。
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公开(公告)号：CN105633236A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610002739.5
申请日：2016-01-06
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
CPC classification number: H01L33/42 , H01L25/0753 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L2933/0016 , H01L33/0075 , H01L33/22
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，从下至上依次包括：衬底；发光外延层，由半导体材料层堆叠而成，形成于衬底之上；掺有导电性的金属纳米基团的电流扩展层，形成于所述发光外延层之上；对可见光具有高透过率的金属纳米基团，形成于所述电流扩展层之上。掺有导电性的金属纳米基团，分散于所述电流扩展层的内部，减小电流扩展层的横向电阻，以提高电流横向扩展的均匀性；对可见光具有高透过率的金属纳米基团，分布于所述电流扩展层上表面，起到粗化的效果，以增加光的提取效率。
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公开(公告)号：CN101937958A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010259994.0
申请日：2010-08-23
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
IPC: H01L33/36
Abstract: 本发明公开的一种高光提取效率氮化镓基发光二极管的制备方法，提供一蓝宝石衬底；在衬底上依次生长N-GaN层、发光层和P-GaN层；通过光罩刻蚀作业，将P-GaN层所在的部分台面蚀刻至暴露出N-GaN层；在P-GaN层和暴露的N-GaN层上镀透明导电层，用作欧姆接触；通过湿法蚀刻方法，去除部分透明导电层，使P-GaN层和暴露的N-GaN层上的透明导电层分离；通过光罩刻蚀作业，分别在分离后的透明导电层上制作P电极和N电极；经衬底研磨减薄，切割成多个发光二极管芯片。采用本发明制作的LED芯片，避免了传统芯片中大面积N电极金属的遮光和吸收光现象，从而提高芯片的发光亮度。
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公开(公告)号：CN113851564A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111094317.2
申请日：2018-01-19
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，在一些实施例中，所述发光二极管，包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，其上表面设有第一电极区，其包含焊盘区和扩展区；绝缘层，形成于所述第一半导体层的扩展区之上；透明导电层，形成于所述第一半导体层的表面之上，并覆盖所述绝缘层；保护层，形成于所述透明导电层的表面上，在所述扩展区形成第一开口，露出所述扩展区的透明导电层之部分表面；第一电极，形成于所述保护层上，包括焊盘部和扩展部，所述扩展部通过所述第一开口与所述扩展区的透明导电层形成电性连接。
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公开(公告)号：CN110998872A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201980003933.7
申请日：2019-03-01
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及制备方法，该发光二极管包括:衬底，具有相对的上、下表面；DBR反射层，形成于所述衬底的上表面之上；半导体叠层，形成于所述DBR反射层之上，发射具有的第一波长的光；所述DBR反射层对于第一光波的反射率为30%以下；对于不同于第一光波的波长的第二光波的反射率为60%以上，所述第一光波为所述发光二极管发射，所述第二光波非所述发光二极管发射。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109378376B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201811116261.4
申请日：2018-09-25
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明提出了一种发光二极管结构，包括：由第一半导体层、第二半导体层及夹在两层之间的活性层构成的发光外延层，其厚度为T，露出台面的第一半导体层，连接至第二半导体层的第二电极，以及绝缘保护层，其特征在于：于所述台面上形成有一突起结构，其宽度为D0，高度为H0，且第一电极包裹所述突起结构并连接至所述第一半导体层，所述第一电极外表面具有一台阶，定义位于所述台阶之上的第一电极为上电极部，其宽度为D1，高度为H1，位于所述台阶之下的第一电极为下电极部，其宽度为D2，高度为H2，所述绝缘保护层附着于所述下电极部的侧壁及台阶的上表面。
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公开(公告)号：CN109844968A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201880003521.9
申请日：2018-01-19
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，在一些实施例中，所述发光二极管，包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，其上表面设有第一电极区，其包含焊盘区和扩展区；绝缘层，形成于所述第一半导体层的扩展区之上；透明导电层，形成于所述第一半导体层的表面之上，并覆盖所述绝缘层；保护层，形成于所述透明导电层的表面上，在所述扩展区形成第一开口，露出所述扩展区的透明导电层之部分表面；第一电极，形成于所述保护层上，包括焊盘部和扩展部，所述扩展部通过所述第一开口与所述扩展区的透明导电层形成电性连接。
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公开(公告)号：CN109378376A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811116261.4
申请日：2018-09-25
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明提出了一种发光二极管结构，包括：由第一半导体层、第二半导体层及夹在两层之间的活性层构成的发光外延层，其厚度为T，露出台面的第一半导体层，连接至第二半导体层的第二电极，以及绝缘保护层，其特征在于：于所述台面上形成有一突起结构，其宽度为D0，高度为H0，且第一电极包裹所述突起结构并连接至所述第一半导体层，所述第一电极外表面具有一台阶，定义位于所述台阶之上的第一电极为上电极部，其宽度为D1，高度为H1，位于所述台阶之下的第一电极为下电极部，其宽度为D2，高度为H2，所述绝缘保护层附着于所述下电极部的侧壁及台阶的上表面。
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公开(公告)号：CN105336829B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201510625578.0
申请日：2015-09-28
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种倒装发光二极管结构及其制作方法，包括：基板；外延层，位于所述基板之上，外延层包括：第一半导体层、第二半导体层以及夹于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层；第一电极结构，位于所述第一半导体层上；第二电极结构，位于所述第二半导体层上；第一电极结构包括第一电极本体和第一电极环，第二电极结构包括第二电极本体和第二电极环；第一电极环的厚度大于或等于第一电极本体的厚度，且第二电极环的厚度大于或等于第二电极本体的厚度。第一电极环、第二电极环作为阻隔栅结构，用于避免发光二极管在封装使用中由于固晶导电材料的溢流导致短路，提高可靠性。
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公开(公告)号：CN108417678A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810219811.9
申请日：2018-03-16
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种发光二极管结构及其制作方法，结构包括：衬底；发光外延结构，位于所述衬底上，包括依次层叠的N型半导体层、发光层以及P型半导体层，发光波长设为λ；其特征在于：所述外延层和/或衬底侧面分布有柱状波导结构，所述波导结构的宽度d于1/4λ的整数倍达到反射波导效果。本发明通过在外延层和/或衬底侧面分布有柱状波导结构，波导结构的宽度d于1/4λ的整数倍达到反射波导效果，能大大提升发光层发出的光线经外延层或衬底侧面的波导结构散射/反射后，再向外出射的几率，从而增强光萃取效率，提高发光二极管的亮度。
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