公开(公告)号：CN116387264A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310335805.0

申请日：2023-03-31

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院

Inventor： 姚二现 ,  陈英毅 ,  骆健 ,  杨金龙 ,  童颜 ,  黄全全

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/49 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明公开了一种多芯片并联半桥型IGBT模块，本发明增设发射极信号铜层，直接将发射极电压信号从相应键合线蔟引出，减小了信号回路与功率回路的共发射极寄生电感，以及功率回路与信号控制回路间的互感，减小了共发射极寄生电感对信号控制回路的分压，降低了功率回路电流变化对信号控制回路电压变化的影响，使得芯片集电极‑发射极电压在开通过程中下降速度加快，降低了芯片在开通过程中的损耗，有利于提高模块的工作频率。

公开(公告)号：CN112560318A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011530910.2

申请日：2020-12-22

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 潘政薇 ,  刘旭光 ,  董长城 ,  骆健

IPC: G06F30/23 ,  G06F30/28 ,  G06F30/367 ,  G06F113/08 ,  G06F119/14 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明公开了一种不同工况下IGBT器件各物理层温度监测仿真方法，通过三维制图软件，建立IGBT器件的3D热仿真模型；将3D热仿真模型导入Icepak仿真软件，对3D热仿真模型进行瞬态CFD模拟计算；将CFD模拟计算结果作为Simplorer仿真软件的输入，创建降阶模型；使用Simplorer建立IGBT动态封装模型；基于封装模型在Simplorer中搭建单相PWM逆变电路拓扑模型，通过PWM控制所述拓扑模型，得到IGBT器件动态封装模型的电压和电流数据；将所述电压和电流数据输入降阶模型，得到IGBT、二极管的结温以及IGBT器件各物理层的温度随时间变化的曲线。本发明大大减少了仿真计算的时间。

公开(公告)号：CN118156293A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202211516026.2

申请日：2022-11-30

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 史志扬 ,  骆健 ,  严毅琳

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种沟槽型IGBT结构及其制作方法，其中，IGBT结构的集电极上设有N型衬底，N型衬底上表面两端均设有P+区；N型衬底上表面形成沟槽，沟槽内形成N型注入区，N型注入区内设有第一二氧化硅层，第一二氧化硅层内设有下分离栅，下分离栅上设有第二二氧化硅层，第二二氧化硅层上设有上分离栅，第一二氧化硅层和第二二氧化硅层构成栅氧层；沟槽的两侧设有P型沟道区，P型沟道区上设有N+发射区；N+发射区、上分离栅以及栅氧层的上表面形成层间介质层；N型衬底两侧上表面通过孔光刻和刻蚀进行开孔，孔内形成P+区；P+区、N+发射区以及层间介质层的上表面形成金属连接层。本发明能够获得的兼顾导通压降低、开关速度快以及动态损耗低的IGBT结构。

公开(公告)号：CN112652536B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202011397875.1

申请日：2020-12-03

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 高东岳 ,  张大华 ,  叶枫叶 ,  骆健

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明属于功率半导体器件设计技术领域，具体涉及一种低导通压降平面栅IGBT的制备方法，该方法依次制备了N型增强层、P型体区、N+区、介质层、发射极、P型集电区和集电极，制备出P型体区的底部和侧面为N型增强层的N‑P‑N结构，且P型体区底部和侧面的N型增强层不相连。本发明制备的低导通压降平面栅IGBT具有击穿电压高，反向传输电容低和导通压降较低的优点。

公开(公告)号：CN116190335A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202211618940.8

申请日：2022-12-16

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 刘克明 ,  胡小刚 ,  童颜 ,  杨金龙 ,  骆健 ,  姚二现

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种功率模块、功率器件及功率模块的制备方法，其中功率模块包括从上至下设置的盖板、侧框和基板；所述基板上设有衬板，衬板正面的第一导电区的一侧电连接芯片的集电极；所述芯片的栅极通过键合线电连接衬板正面的第二导电区，第二导电区电连接信号端弹簧针，信号端弹簧针电连接外置接口；所述芯片的发射极电连接导电片，导电片电连接导电桥臂；所述导电桥臂输出端电连接外置接口；所述导电桥臂抵连盖板，盖板外周设有紧固件，紧固件贯穿侧框与基板螺纹连接。本发明能够提高功率模块的导电桥臂的通流能力。

公开(公告)号：CN114203643A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202111524860.1

申请日：2021-12-14

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 王蕤 ,  童颜 ,  王豹子 ,  严百强 ,  刘旭光 ,  张大华 ,  骆健 ,  董长城

IPC: H01L23/10 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明公开了功率半导体器件技术领域的一种弹性压接式半导体模块封装结构，包括内部可容置子模组的外框，所述外框的一面可拆卸安装有发射极板且另一面密封有法兰盘，所述法兰盘包括固定连接的阴极法兰盘和阳极法兰盘，所述阳极法兰盘位于阴极法兰盘的外围，远离外框一侧的所述阴极法兰盘的表面设置有承压凸起，所述承压凸起于外侧施加压力时与子模组集电极电气连接。本发明通过外框密封设置阳极法兰和阴极法兰，使其满足气密性要求；增加了承压凸起，实现与子模组集电极电气连接，且利于提高散热效率。

公开(公告)号：CN114068515A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111413751.2

申请日：2021-11-25

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 刘克明 ,  童颜 ,  王蕤 ,  严百强 ,  杨金龙 ,  王豹子 ,  董长城 ,  雷鸣 ,  骆健

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明公开了一种压接式功率器件，包括：管壳集电极电路板、管壳发射极电路板、栅极PCB板和若干个集成子单元，所述集成子单元一面连接所述管壳集电极电路板，另一面设有若干个IGBT芯片和FRD芯片，每个IGBT芯片设有用于连接所述管壳发射极电路板的IGBT凸台，每个FRD芯片设有用于连接所述管壳发射极电路板的FRD凸台，所述栅极PCB板连接所述管壳发射极电路板。针对刚性压接导通电路目前无法实现大面积大电流器件的限制，通过集成诺干个芯片封装为一个单元结构提高芯片的连接数量；针对弹性压接电流通路在器件短路时单个短路芯片的上方的导电臂大电流通路能力有限的缺点，本发明结构属于刚性压接结构可以克服短路同流问题。

公开(公告)号：CN112086372B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202010995804.5

申请日：2020-09-21

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 刘克明 ,  杨金龙 ,  骆健 ,  黄全全 ,  王立 ,  胡小刚 ,  臧传龙

IPC: H01L21/603 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明公开了一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层制作方法，包括以下步骤：S01，制作预成型平面型铜片或者铜排，其宽度小于芯片正面金属Pad宽度；S02，将铜片或者铜排表面通过印刷工艺将烧结银浆印刷在表面形成一层银膜；S03，将印刷后的铜片或者铜排在烘箱中固化，形成铜片银膜复合材料。本发明还提供的一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层，由上述用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层制作方法制作得到。本发明提供的一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层及其制作方法，利于实现批量化生产，用于高结温功率模块芯片正面键合，实现在400摄氏度以上的高结温芯片的应用环境中。

公开(公告)号：CN112652536A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202011397875.1

申请日：2020-12-03

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 高东岳 ,  张大华 ,  叶枫叶 ,  骆健

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明属于功率半导体器件设计技术领域，具体涉及一种低导通压降平面栅IGBT的制备方法，该方法依次制备了N型增强层、P型体区、N+区、介质层、发射极、P型集电区和集电极，制备出P型体区的底部和侧面为N型增强层的N‑P‑N结构，且P型体区底部和侧面的N型增强层不相连。本发明制备的低导通压降平面栅IGBT具有击穿电压高，反向传输电容低和导通压降较低的优点。

公开(公告)号：CN112086372A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202010995804.5

申请日：2020-09-21

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 刘克明 ,  杨金龙 ,  骆健 ,  黄全全 ,  王立 ,  胡小刚 ,  臧传龙

IPC: H01L21/603 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明公开了一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层制作方法，包括以下步骤：S01，制作预成型平面型铜片或者铜排，其宽度小于芯片正面金属Pad宽度；S02，将铜片或者铜排表面通过印刷工艺将烧结银浆印刷在表面形成一层银膜；S03，将印刷后的铜片或者铜排在烘箱中固化，形成铜片银膜复合材料。本发明还提供的一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层，由上述用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层制作方法制作得到。本发明提供的一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层及其制作方法，利于实现批量化生产，用于高结温功率模块芯片正面键合，实现在400摄氏度以上的高结温芯片的应用环境中。