一种芘基有机半导体激光材料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN107162917B

    公开(公告)日:2019-06-07

    申请号:CN201710391602.8

    申请日:2017-05-27

    Abstract: 本发明公开了一种芘基有机半导体激光材料及其制备方法与应用,该材料是以芘为核,二苯胺基团为封端单元,以不同链长芴基为桥连单元,四取代对称芘为核的蝶形结构,该材料具有如下式所示的结构通式:其中,R为C1‑C30的直链或支链烷基或烷氧基;n为1‑5的自然数。本发明的材料制备简单,中间体成本低廉,反应过程容易控制,产品易于分离、收率高、纯度高;该材料不仅在有机激光器件中表现出良好的热稳定性、低阈值、低的水氧敏感性和高发光强度,而且在有机电致发光器件中表现出超低的启亮电压、优异的发光亮度和效率;在有机半导体激光器件和有机电致发光器件方面展现出重要的应用潜力。

    一种星载异侧立体合成孔径雷达影像控制点提取方法

    公开(公告)号:CN117590392A

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202311463583.7

    申请日:2023-11-06

    Inventor: 张浩

    Abstract: 本发明公开了一种星载异侧立体合成孔径雷达影像控制点提取方法,其过程包括:(1)对某一个区域,获取星载异侧立体合成孔径雷达影像,及辅助文件;(2)计算每景影像中每个像素点的Harris响应值,选择响应值较大的点作为候选控制点;(3)对每一个具体的候选控制点,利用周围候选控制点密度提取待匹配候选控制点;(4)对每一个待匹配候选控制点,基于频域对周围影像过采样后利用抛物线插值法提取其亚像素位置;(5)对待匹配候选控制点,利用影像的几何模型和影像之间的几何转换关系,选择某一个半径范围内空间距离最近的点作为匹配点;(6)通过最小二乘法计算其三维坐标,并通过OpenStreet路网数据去除部分错误点。

    一种基于腔体谐振和集总元件的带宽展宽的吸波器

    公开(公告)号:CN109088171B

    公开(公告)日:2020-12-01

    申请号:CN201810883702.7

    申请日:2018-08-06

    Abstract: 本发明公开了一种基于腔体谐振和集总元件的带宽展宽的吸波器,其结构包括底层金属反射板,金属板上方的介质基板,和介质基板上的固态等离子体谐振单元,谐振单元之间通过电阻连接,以及介质基板中插入的空气柱。该吸波器对于TE极化波和TM极化波都有很好的吸收效果,并通过编程方式控制固态等离子体构成的谐振单元的激励区域不但能实现对不同谐振单元的激励,达到对吸波器不同频率动态调控的目的,而且该吸波器的工作频率在激励区域选择合适的情况下能够覆盖多个波段,还可以在较小的物理尺寸下实现对较低频率电磁波的吸收,该吸波器具有结构通俗,可编程调控,设计灵活,功能性强等特点。

    高速网络上轻量级DDoS攻击检测装置及检测方法

    公开(公告)号:CN110049061A

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201910353232.8

    申请日:2019-04-29

    Abstract: 本发明揭示了一种高速网络上轻量级DDoS攻击检测装置及检测方法,本发明的装置包括CBFSketch模块以及DDoS攻击检测模块。本发明的方法包括:S1、获取网络流量,将数据流信息记录并存储;S2、根据记录的数据流信息,查询特定数据流的流量大小或出现频次,并根据查询结果判断该数据流是否是一个DDoS攻击流量;S3、设定阈值,根据记录的数据流信息,检测超过阈值大小的数据流、完成DDoS攻击检测。本发明采用多级Sketch结构来对数据流进行存储,能够动态地申请空间,有效地控制空间开销上限,快速地检测出超出阈值的流量以检测DDoS攻击,并减少误报、提升了检测的准确性。

    一种二吲哚并三并咔唑基多臂结构共轭分子材料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN107445968B

    公开(公告)日:2019-05-17

    申请号:CN201710447259.4

    申请日:2017-06-14

    Abstract: 本发明涉及一种二吲哚并三并咔唑基多臂结构共轭分子材料及其制备方法与应用,该材料以二吲哚并三并咔唑为核,二苯胺基团为封端单元,以不同链长芴基为桥连单元,该材料具有如下式I所示的结构通式:本发明的材料制备简单,中间体成本低廉,反应过程容易控制,产品易于分离、收率高、纯度高,该类材料在有机电致发光器件中表现出良好的热稳定性、成膜稳定性、优异的空穴传输能力和高发光强度,在有机电致发光方面具有潜在的应用价值。

    基于等离子体超材料可调控的窄带吸波器

    公开(公告)号:CN107978870A

    公开(公告)日:2018-05-01

    申请号:CN201711111749.3

    申请日:2017-11-13

    Abstract: 本发明公开了一种基于等离子体超材料可调控的窄带吸波器,包括底层金属反射板,以及金属板上方的介质基板和固态等离子体谐振单元,固态等离子体由PIN单元组成的阵列实现,PIN单元之间有隔离层进行隔离,通过其两端加载的可编程逻辑阵列来控制激励PIN单元阵列,以便得到固态等离子体。固态等离子体谐振单元有两种工作状态,激励状态和未激励状态。该吸波器对于TE极化波有很好的吸收效果,并通过编程方式控制固态等离子体构成的谐振单元的激励区域不但能实现对不同谐振单元的激励,从而达到对吸波器高频段的高吸收率的保持和低频段吸收率逐步优化的动态调控的目的,而且该吸波器的工作频率在激励区域选择合适的情况下能够更高效的覆盖整个X波段。

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