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公开(公告)号：CN1237654A
公开(公告)日：1999-12-08
申请号：CN98111329.X
申请日：1998-06-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种获得微米量级的TiO2纳米丝，尤其是单晶TiO2纳米丝的方法，制备NaCl溶液的微乳和TiO2前驱物Ti(OH)4微乳，将NaCl溶液与Ti(OH)4两种微乳均匀混合并在一定温度下作热处理，经过热处理，再经过分离、烘干，即得单晶TiO2纳米丝。所用原料是普通的化学药品，制备过程简单，无特殊要求。所得纳米棒尺寸均匀，通过改变成分配比，可以方便地改变纳米晶丝尺寸。重复性好。
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公开(公告)号：CN103789734A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410038796.X
申请日：2014-01-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提出一种中性团簇束流喷嘴集群实现宽幅纳米颗粒束流的方法，所述束流喷嘴集群由束流集群板即集成束流枪实现，束流集群板分为两层，第一层为多个集成束流枪的喷嘴，第二层为分离器，分离器与喷嘴一一对应，分离器与喷嘴的轴线在一条直线上，两层的间距为0.5cm到5cm之间。本发明构成可用于较大面积和较大通量纳米加工的纳米颗粒束流，实现较大面积的纳米喷涂。借此实现的高颗粒通量的宽幅纳米束流将有助于提高利用团簇束流进行纳米表面加工时单位时间产额，有助于降低能耗和提高效率，从而有效地降低纳米加工的单位成本。
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公开(公告)号：CN101983914B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201010514268.9
申请日：2010-10-21
Applicant: 南京大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 一种制备微观数密度或尺寸梯度金属纳米粒子点阵的方法，其步骤为(a)将掩模粘贴到涂覆高聚物膜或无定形碳膜的衬底上，并把衬底固定到衬底座上；(b)将衬底座安装到高真空沉积室中，使衬底处于金属纳米粒子束流中心；(c)通过气相聚集法团簇束流源产生金属靶材纳米粒子，纳米粒子随缓冲气体通过喷嘴形成高度定向、等效沉积率可精确控制的准直纳米粒子束流；(d)转动衬底座并进行束流沉积，控制衬底座的旋转角度范围和旋转方式制备连续梯度纳米粒子点阵或阶梯状梯度纳米粒子点阵。本发明方法具有高效、可控、低成本、工艺简单并易于规模化生产等特点。
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公开(公告)号：CN100585770C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200710021318.8
申请日：2007-04-06
Applicant: 南京大学
Abstract: 类金刚石材料场电子发射阴极制备方法，利用团簇束流在基底上沉积高密度纳米针尖发射体从而实现高场发射电流和低发射阈值，在高真空室中，利用Ar、He等气体碰撞射频磁控溅射产生的类金刚石材料蒸气产生纳米颗粒，并产生定向束流将其引到衬底，改变束流强度和沉积时间来实现高空间密度发射体制备；束流的调节方法是：调节靶室中的Ar、He气体流量101-102sccm和分压1∶1～5∶1，调节最终工作体束流的尺寸组分；调节溅射靶材到小孔的距离＞10cm调节纳米颗粒以及最终发射体的大小。本发明获得高发射体空间密度和高性能(低启动电压、高发射电流)的场发射阴极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101092737A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710023415.0
申请日：2007-06-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 制备具有密堆积结构的纳米超薄晶片的方法，采用气相团簇束流源产生颗粒直径在1－50纳米之间尺寸分布集中的纳米团簇束流，以纳米晶片的材料压制成为溅射靶材，并将其电离，加速，使得从其出发到衬底时的纳米颗粒能量在接近或刚超过颗粒的整个结合能的区间，衬底选用非取向的非晶衬底，将纳米颗粒束流高能沉积在衬底上。在本发明中，利用荷能团簇束流沉积的方法来制备超薄的纳米晶片，是因为荷能团簇束流沉积可以使数百成千个原子以同一速度到达衬底，而接近整个颗粒结合能的动能在荷能纳米颗粒与衬底完成接触的瞬间消失作用在纳米颗粒上，促进了密堆积结构晶核的生长。
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公开(公告)号：CN1900732A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610040817.7
申请日：2006-07-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种直流磁场传感器，包括磁电元件和感应线圈，其中的磁电元件的两个电极与交变电源连接，其特征在于：所述的磁电元件采用具有磁电效应的材料；所述感应线圈缠绕在磁电元件外部，该感应线圈的两端为传感器输出端。由于磁电效应，外加的交变电场使磁电元件的内部发生磁化，该磁化可被外部感应线圈灵敏地感应而产生一个感应电动势。当所述直流磁场传感器被放置在直流磁场中时，由于磁电元件的磁电效应随直流磁场的变化而呈现出一定的规律变化，其磁化状态将随之发生变化，进而导致外部感应线圈的感应电动势发生变化，因此，通过检测外部感应线圈的感应电动势幅值，即可获得被探测直流磁场的大小。
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公开(公告)号：CN1884042A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610040741.8
申请日：2006-05-30
Applicant: 南京大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 一种间距与构型可调控的纳米颗粒有序阵列的制备方法，它是将嵌段聚合物溶解于溶剂中，把溶液旋涂于衬底(5)上，置于称量瓶中内滴甲苯，用铝箔或棉布密封，制成有序图案模板，固定在衬底座(5)上，置于沉积室(8)中，抽真空，向冷凝室(6)内充入惰性气体，由原子化器(1)通过磁控溅射或高温蒸发产生原子气，经冷凝室(6)中的惰性气体冷凝生长成纳米粒子，通过喷嘴(2)形成高度定向纳米粒子束流(4)；纳米粒子束流对模板衬底沉积，当覆盖率≤100％时停止沉积，便可得到线形纳米粒子阵列，或二维有序纳米粒子阵列。本发明方法具有工艺简单、成本低、高效率、易于规模化生产等特点。
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公开(公告)号：CN1804107A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200610037969.1
申请日：2006-01-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于纳米粒子束流源的复合型分离器，它是采用光汇集再发散的气流通道结构，该气流通道由圆锥形的入口侧(12)，圆锥形的出口侧(13)和连接入口侧(12)的喉部(14)所构成。本发明的分离器采用先汇集再发散的气流通道结构取代了原来的分离器中尖锥形的单发散气流通道，使纳米粒子束流源强度获得大幅度提高，用旧的分离得到的束流等效沉积率小于0.2nm/s，而新结构的分离器得到高于5nm/s的等效沉积率的高强度束流，足以满足纳米结构薄膜沉积工艺的需要，新结构气流通道的分离器工作时间由原来数小时增加到理论上的无限长时间。
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公开(公告)号：CN1489227A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN03132167.4
申请日：2003-07-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种磁电复合材料，它是一个矩形片(1)，矩形片沿着长度方向被分成A1和A2两个区域，A1区由磁致伸缩材料构成，A2区由压电材料构成，A1区与A2区之间以粘结剂结合，在A2区，具有一对平面电极(4a和4b)，压电材料沿着厚度方向(5)极化。所述的磁致伸缩材料是具有磁致伸缩效应的合金或氧化物或者它们与聚合物复合形成的磁致伸缩复合材料。所述压电材料是具有压电效应的陶瓷或者压电陶瓷与聚合物形成的压电复合材料。对磁致伸缩复合材料矩形片2沿着长度方向施加直流偏磁场和小信号的交流磁场，磁电复合材料矩形片(1)在60kHz附近产生共振，并由压电复合材料矩形片3输出电压，实现磁－电耦合。
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