公开(公告)号：CN110726763A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910992375.3

申请日：2019-10-18

Applicant: 南京大学

Inventor： 张敏昊 ,  宋凤麒 ,  曹路 ,  张同庆

IPC: G01N27/30 ,  G01N27/407 ,  B82Y30/00 ,  B82Y15/00

Abstract: 本发明公开了一种低功耗的氢气检测方法及其装置和制备方法，该检测方法利用钯金属吸氢前和吸氢后的自旋轨道耦合强度不同，不同的自旋轨道耦合强度通过逆自旋霍尔效应表现出来，即通过钯金属与自旋极化层的异质结构，自旋极化层中的自旋信号会在的钯金属层中自发产生不一样的电流信号，实现氢气的检测。自旋极化层的自旋流在理论上具备无耗散的性质，而且钯金属层中的电流是自发形成的，不需要引入电源，因此减小了氢气检测的功耗，满足了传感小型化的目标。本发明既利用了钯金属层的自旋轨道耦合作用，又利用了钯金属层优异的氢敏特性，由于自旋无耗散的特点，使得这种结构的氢气检测方法能获得更小的功耗。

公开(公告)号：CN109881254A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201910131441.8

申请日：2019-02-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 费付聪 ,  宋凤麒 ,  步海军 ,  曹路 ,  张敏昊 ,  张同庆

IPC: C30B29/46 ,  C30B29/64 ,  C30B7/10 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种通过多次溶剂热生长控制拓扑绝缘体纳米片尺寸的方法，第一步，通过传统的溶剂热法合成直径约为500±200纳米左右的六角形Bi2Te3纳米片。第二步，将第一步合成的产物投入前驱液，进行第二次溶剂热合成；或再将第二步合成的产物投入前驱液，进行第三次溶剂热合成。通过生长次数的变化，有效对拓扑绝缘体纳米片尺寸进行控制。第一步生长使用预先配制的前驱液作为反应原料，其中含有产物所需的化学元素及适当的表面活性剂；第二步使用前驱液与第一步溶剂热合成的产物混合，作为第二步反应原料；后续步骤则重复使用前驱液与前一步的合成产物混合，作为反应原料进行溶剂热合成。

公开(公告)号：CN108511324A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810299196.7

申请日：2018-04-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 王学锋 ,  刘晨晨 ,  张敏昊 ,  钮伟

IPC: H01L21/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种γ相硒化铟纳米片的外延生长方法,纳米片的制备方法是化学气相沉积(CVD)技术，在46Pa附近的本底真空下，通过高纯氩气作为载体，在恒定温度的衬底上进行生长，之后再在氩气氛围下进行退火。本发明所得到的γ-In2Se3纳米片组分均匀，形貌为正六边形，尺寸大小在5μm左右，有利于对材料进行光刻等微加工工艺，为制备光电子、光伏等器件提供更简单易行的制备工艺。同时γ-In2Se3纳米片材料制备参数易调整，设备简单，易操作，生长过程可控，工艺重复性好，具有较高的制备效率。它在光电子学领域的独特优势将为新型光伏器件的应用打下基础。